Capacitância efetiva em CMOS Solução

ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo
Fórmula Usada
Capacitância Efetiva em CMOS = Ciclo de trabalho*(Desatualizado*(10^(Tensão do Coletor Base)))/(Portões no Caminho Crítico*[BoltZ]*Tensão do Coletor Base)
Ceff = D*(ioff*(10^(Vbc)))/(Ng*[BoltZ]*Vbc)
Esta fórmula usa 1 Constantes, 5 Variáveis
Constantes Usadas
[BoltZ] - Constante de Boltzmann Valor considerado como 1.38064852E-23
Variáveis Usadas
Capacitância Efetiva em CMOS - (Medido em Farad) - A capacitância efetiva no CMOS é definida como a razão entre a quantidade de carga elétrica armazenada em um condutor e a diferença no potencial elétrico.
Ciclo de trabalho - Um ciclo de trabalho ou ciclo de potência é a fração de um período em que um sinal ou sistema está ativo.
Desatualizado - (Medido em Ampere) - A corrente desligada de um switch é um valor inexistente na realidade. Chaves reais normalmente têm uma corrente de desligamento muito pequena, que às vezes é chamada de corrente de fuga.
Tensão do Coletor Base - (Medido em Volt) - A tensão do coletor base é um parâmetro crucial na polarização do transistor. Refere-se à diferença de tensão entre os terminais base e coletor do transistor quando ele está em seu estado ativo.
Portões no Caminho Crítico - Portas no caminho crítico são definidas como o número total de portas lógicas necessárias durante um tempo de ciclo no CMOS.
ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base
Ciclo de trabalho: 1.3E-25 --> Nenhuma conversão necessária
Desatualizado: 0.01 Miliamperes --> 1E-05 Ampere (Verifique a conversão aqui)
Tensão do Coletor Base: 2.02 Volt --> 2.02 Volt Nenhuma conversão necessária
Portões no Caminho Crítico: 0.95 --> Nenhuma conversão necessária
ETAPA 2: Avalie a Fórmula
Substituindo valores de entrada na fórmula
Ceff = D*(ioff*(10^(Vbc)))/(Ng*[BoltZ]*Vbc) --> 1.3E-25*(1E-05*(10^(2.02)))/(0.95*[BoltZ]*2.02)
Avaliando ... ...
Ceff = 5.13789525162511E-06
PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída
5.13789525162511E-06 Farad -->5.13789525162511 Microfarad (Verifique a conversão aqui)
RESPOSTA FINAL
5.13789525162511 5.137895 Microfarad <-- Capacitância Efetiva em CMOS
(Cálculo concluído em 00.004 segundos)

Créditos

Criado por Shobhit Dimri
Instituto de Tecnologia Bipin Tripathi Kumaon (BTKIT), Dwarahat
Shobhit Dimri criou esta calculadora e mais 900+ calculadoras!
Verificado por Urvi Rathod
Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad
Urvi Rathod verificou esta calculadora e mais 1900+ calculadoras!

15 Características do circuito CMOS Calculadoras

Capacitância efetiva em CMOS
Vai Capacitância Efetiva em CMOS = Ciclo de trabalho*(Desatualizado*(10^(Tensão do Coletor Base)))/(Portões no Caminho Crítico*[BoltZ]*Tensão do Coletor Base)
Permissividade da Camada de Óxido
Vai Permissividade da camada de óxido = Espessura da Camada de Óxido*Capacitância da porta de entrada/(Largura do portão*Comprimento do portão)
Espessura da Camada de Óxido
Vai Espessura da Camada de Óxido = Permissividade da camada de óxido*Largura do portão*Comprimento do portão/Capacitância da porta de entrada
Largura do Portão
Vai Largura do portão = Capacitância da porta de entrada/(Capacitância da camada de óxido de porta*Comprimento do portão)
Perímetro de Difusão de Fonte de Parede Lateral
Vai Perímetro da parede lateral de difusão da fonte = (2*Largura da transição)+(2*Comprimento da Fonte)
Largura de transição do CMOS
Vai Largura da transição = Capacitância de sobreposição de porta MOS/Capacitância da Porta MOS
Largura da região de depleção
Vai Largura da região de esgotamento = Comprimento da junção PN-Comprimento Efetivo do Canal
Comprimento Efetivo do Canal
Vai Comprimento Efetivo do Canal = Comprimento da junção PN-Largura da região de esgotamento
Comprimento da junção PN
Vai Comprimento da junção PN = Largura da região de esgotamento+Comprimento Efetivo do Canal
Campo Elétrico Crítico
Vai Campo Elétrico Crítico = (2*Saturação de velocidade)/Mobilidade do Elétron
CMOS significa caminho livre
Vai Significa caminho livre = Tensão Crítica em CMOS/Campo Elétrico Crítico
Tensão Crítica CMOS
Vai Tensão Crítica em CMOS = Campo Elétrico Crítico*Significa caminho livre
Largura da Difusão da Fonte
Vai Largura da transição = Área de Difusão de Fonte/Comprimento da Fonte
Área de Difusão de Fonte
Vai Área de Difusão de Fonte = Comprimento da Fonte*Largura da transição
Tensão no Mínimo EDP
Vai Tensão no EDP Mínimo = (3*Tensão de limiar)/(3-Fator de atividade)

Capacitância efetiva em CMOS Fórmula

Capacitância Efetiva em CMOS = Ciclo de trabalho*(Desatualizado*(10^(Tensão do Coletor Base)))/(Portões no Caminho Crítico*[BoltZ]*Tensão do Coletor Base)
Ceff = D*(ioff*(10^(Vbc)))/(Ng*[BoltZ]*Vbc)

O que é condução subliminar?

Condução subliminar ou vazamento subliminar ou corrente de drenagem subliminar é a corrente entre a fonte e o dreno de um MOSFET quando o transistor está na região subliminar, ou região de inversão fraca, ou seja, para tensões porta-a-fonte abaixo da voltagem limite.

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