Эффективная емкость CMOS Калькулятор

✖Рабочий цикл или цикл мощности — это часть одного периода, в течение которого сигнал или система активны.ⓘ Рабочий цикл [D]			+10% -10%
✖Ток выключения выключателя – несуществующая в реальности величина. Настоящие переключатели обычно имеют очень небольшой ток отключения, который иногда называют током утечки.ⓘ Выкл. ток [i_off]			+10% -10%
✖Напряжение базового коллектора является важнейшим параметром смещения транзистора. Это относится к разнице напряжений между базовыми и коллекторными выводами транзистора, когда он находится в активном состоянии.ⓘ Базовое напряжение коллектора [V_bc]			+10% -10%
✖Элементы на критическом пути определяются как общее количество логических элементов, необходимых в течение одного цикла в КМОП.ⓘ Гейтс на критическом пути [N_g]			+10% -10%

✖Эффективная емкость в КМОП определяется как отношение количества электрического заряда, накопленного на проводнике, к разнице электрических потенциалов.ⓘ Эффективная емкость CMOS [C_eff]

⎘ копия

👎

Формула

✖

Эффективная емкость CMOS

Формула

`"C"_{"eff"} = "D"*("i"_{"off"}*(10^("V"_{"bc"})))/("N"_{"g"}*"[BoltZ]"*"V"_{"bc"})`

Пример

`"5.137895μF"="1.3E^-25"*("0.01mA"*(10^("2.02V")))/("0.95"*"[BoltZ]"*"2.02V")`

Калькулятор

LaTeX

сбросить

👍

Скачать Характеристики схемы КМОП Формулы PDF

Эффективная емкость CMOS Решение

ШАГ 0: Сводка предварительного расчета

Используемая формула

Эффективная емкость в КМОП = Рабочий цикл*(Выкл. ток*(10^(Базовое напряжение коллектора)))/(Гейтс на критическом пути*[BoltZ]*Базовое напряжение коллектора)
C_eff = D*(i_off*(10^(V_bc)))/(N_g*[BoltZ]*V_bc)
В этой формуле используются 1 Константы, 5 Переменные

Используемые константы

[BoltZ] - постоянная Больцмана Значение, принятое как 1.38064852E-23

Используемые переменные

Эффективная емкость в КМОП - (Измеряется в фарада) - Эффективная емкость в КМОП определяется как отношение количества электрического заряда, накопленного на проводнике, к разнице электрических потенциалов.
Рабочий цикл - Рабочий цикл или цикл мощности — это часть одного периода, в течение которого сигнал или система активны.
Выкл. ток - (Измеряется в Ампер) - Ток выключения выключателя – несуществующая в реальности величина. Настоящие переключатели обычно имеют очень небольшой ток отключения, который иногда называют током утечки.
Базовое напряжение коллектора - (Измеряется в вольт) - Напряжение базового коллектора является важнейшим параметром смещения транзистора. Это относится к разнице напряжений между базовыми и коллекторными выводами транзистора, когда он находится в активном состоянии.
Гейтс на критическом пути - Элементы на критическом пути определяются как общее количество логических элементов, необходимых в течение одного цикла в КМОП.

ШАГ 1. Преобразование входов в базовый блок

Рабочий цикл: 1.3E-25 --> Конверсия не требуется
Выкл. ток: 0.01 Миллиампер --> 1E-05 Ампер (Проверьте преобразование здесь)
Базовое напряжение коллектора: 2.02 вольт --> 2.02 вольт Конверсия не требуется
Гейтс на критическом пути: 0.95 --> Конверсия не требуется

ШАГ 2: Оцените формулу

Подстановка входных значений в формулу

C_eff = D*(i_off*(10^(V_bc)))/(N_g*[BoltZ]*V_bc) --> 1.3E-25*(1E-05*(10^(2.02)))/(0.95*[BoltZ]*2.02)

Оценка ... ...

C_eff = 5.13789525162511E-06

ШАГ 3: Преобразуйте результат в единицу вывода

5.13789525162511E-06 фарада -->5.13789525162511 Микрофарад (Проверьте преобразование здесь)

ОКОНЧАТЕЛЬНЫЙ ОТВЕТ

5.13789525162511 ≈ 5.137895 Микрофарад <-- Эффективная емкость в КМОП

(Расчет завершен через 00.004 секунд)

Вы здесь -

Дом » Инженерное дело » Электроника » Проектирование и применение КМОП » Характеристики схемы КМОП » Эффективная емкость CMOS

Кредиты

Сделано Шобхит Димри

Технологический институт Бипина Трипати Кумаон (BTKIT), Дварахат

Шобхит Димри создал этот калькулятор и еще 900+!

Проверено Урви Ратод

Государственный инженерный колледж Вишвакармы (VGEC), Ахмадабад

Урви Ратод проверил этот калькулятор и еще 1900+!

< 15 Характеристики схемы КМОП Калькуляторы

Эффективная емкость CMOS

Идти Эффективная емкость в КМОП = Рабочий цикл*(Выкл. ток*(10^(Базовое напряжение коллектора)))/(Гейтс на критическом пути*[BoltZ]*Базовое напряжение коллектора)

Проницаемость оксидного слоя

Идти Диэлектрическая проницаемость оксидного слоя = Толщина оксидного слоя*Емкость входного затвора/(Ширина ворот*Длина ворот)

Толщина оксидного слоя

Идти Толщина оксидного слоя = Диэлектрическая проницаемость оксидного слоя*Ширина ворот*Длина ворот/Емкость входного затвора

Ширина ворот

Идти Ширина ворот = Емкость входного затвора/(Емкость оксидного слоя затвора*Длина ворот)

Критическое напряжение КМОП

Идти Критическое напряжение в КМОП = Критическое электрическое поле*Длина свободного пробега

Средний свободный путь CMOS

Идти Длина свободного пробега = Критическое напряжение в КМОП/Критическое электрическое поле

Периметр боковой стенки источника диффузии

Идти Периметр боковой стенки диффузии источника = (2*Ширина перехода)+(2*Длина источника)

Напряжение при минимальной ЭДП

Идти Напряжение при минимальном EDP = (3*Пороговое напряжение)/(3-Фактор активности)

Критическое электрическое поле

Идти Критическое электрическое поле = (2*Насыщение скорости)/Мобильность электрона

Ширина области истощения

Идти Ширина области истощения = Длина соединения PN-Эффективная длина канала

Эффективная длина канала

Идти Эффективная длина канала = Длина соединения PN-Ширина области истощения

Длина соединения PN

Идти Длина соединения PN = Ширина области истощения+Эффективная длина канала

Ширина перехода КМОП

Идти Ширина перехода = Емкость перекрытия МОП-затвора/Емкость МОП-ворота

Ширина исходного распространения

Идти Ширина перехода = Область диффузии источника/Длина источника

Область диффузии источника

Идти Область диффузии источника = Длина источника*Ширина перехода

Эффективная емкость CMOS формула

Что такое подпороговая проводимость?

Допороговая проводимость, или подпороговая утечка, или подпороговый ток стока - это ток между истоком и стоком полевого МОП-транзистора, когда транзистор находится в подпороговой области или в области слабой инверсии, то есть для напряжений затвор-исток ниже порогового напряжения.

Дом

БЕСПЛАТНО PDF-файлы

🔍 Поиск

Категории

доля

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!