Transconduttanza nella regione di saturazione in MESFET calcolatrice

✖La conduttanza di uscita è un parametro che caratterizza il comportamento di un transistor ad effetto di campo (FET) nella sua regione di saturazione.ⓘ Conduttanza di uscita [g₀]			+10% -10%
✖La tensione di ingresso è la differenza di potenziale elettrico applicata ai terminali di ingresso di un componente o sistema.ⓘ Tensione di ingresso [V_i]			+10% -10%
✖La tensione di soglia è definita come la tensione alla quale il transistor inizia a condurre.ⓘ Soglia di voltaggio [V_G]			+10% -10%
✖La tensione di pinch-off rappresenta la tensione gate-source alla quale il canale del MESFET si chiude o "si stacca".ⓘ Tensione di pinch-off [V_p]			+10% -10%

✖La transconduttanza del MESFET è un parametro chiave nei MESFET, che rappresenta la variazione della corrente di drain rispetto alla variazione della tensione gate-source.ⓘ Transconduttanza nella regione di saturazione in MESFET [G_m]

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Transconduttanza nella regione di saturazione in MESFET Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo

Formula utilizzata

Transconduttanza del MESFET = Conduttanza di uscita*(1-sqrt((Tensione di ingresso-Soglia di voltaggio)/Tensione di pinch-off))
G_m = g₀*(1-sqrt((V_i-V_G)/V_p))
Questa formula utilizza 1 Funzioni, 5 Variabili

Funzioni utilizzate

sqrt - Una funzione radice quadrata è una funzione che accetta un numero non negativo come input e restituisce la radice quadrata del numero di input specificato., sqrt(Number)

Variabili utilizzate

Transconduttanza del MESFET - (Misurato in Siemens) - La transconduttanza del MESFET è un parametro chiave nei MESFET, che rappresenta la variazione della corrente di drain rispetto alla variazione della tensione gate-source.
Conduttanza di uscita - (Misurato in Siemens) - La conduttanza di uscita è un parametro che caratterizza il comportamento di un transistor ad effetto di campo (FET) nella sua regione di saturazione.
Tensione di ingresso - (Misurato in Volt) - La tensione di ingresso è la differenza di potenziale elettrico applicata ai terminali di ingresso di un componente o sistema.
Soglia di voltaggio - (Misurato in Volt) - La tensione di soglia è definita come la tensione alla quale il transistor inizia a condurre.
Tensione di pinch-off - (Misurato in Volt) - La tensione di pinch-off rappresenta la tensione gate-source alla quale il canale del MESFET si chiude o "si stacca".

PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base

Conduttanza di uscita: 0.152 Siemens --> 0.152 Siemens Nessuna conversione richiesta
Tensione di ingresso: 2.25 Volt --> 2.25 Volt Nessuna conversione richiesta
Soglia di voltaggio: 1.562 Volt --> 1.562 Volt Nessuna conversione richiesta
Tensione di pinch-off: 2.01 Volt --> 2.01 Volt Nessuna conversione richiesta

FASE 2: valutare la formula

Sostituzione dei valori di input nella formula

G_m = g₀*(1-sqrt((V_i-V_G)/V_p)) --> 0.152*(1-sqrt((2.25-1.562)/2.01))

Valutare ... ...

G_m = 0.0630717433777618

PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output

0.0630717433777618 Siemens --> Nessuna conversione richiesta

RISPOSTA FINALE

0.0630717433777618 ≈ 0.063072 Siemens <-- Transconduttanza del MESFET

(Calcolo completato in 00.004 secondi)

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Titoli di coda

Creato da Banu Prakash

Dayananda Sagar College di Ingegneria (DSCE), Bangalore

Banu Prakash ha creato questa calcolatrice e altre 50+ altre calcolatrici!

Verificato da Dipanjona Mallick

Heritage Institute of Technology (COLPO), Calcutta

Dipanjona Mallick ha verificato questa calcolatrice e altre 50+ altre calcolatrici!

< Amplificatori a transistor Calcolatrici

Frequenza operativa massima

LaTeX Partire Frequenza operativa massima = Frequenza di taglio MESFET/2*sqrt(Resistenza allo scarico/(Resistenza alla fonte+Resistenza in ingresso+Resistenza alla metallizzazione del cancello))

Transconduttanza nella regione di saturazione in MESFET

LaTeX Partire Transconduttanza del MESFET = Conduttanza di uscita*(1-sqrt((Tensione di ingresso-Soglia di voltaggio)/Tensione di pinch-off))

Frequenza di taglio MESFET

LaTeX Partire Frequenza di taglio MESFET = Transconduttanza del MESFET/(2*pi*Capacità della sorgente di gate)

Frequenza massima di oscillazione

LaTeX Partire Frequenza massima di oscillazione = Velocità di saturazione/(2*pi*Lunghezza del canale)

Vedi altro >>

Transconduttanza nella regione di saturazione in MESFET Formula

LaTeX Partire

Transconduttanza del MESFET = Conduttanza di uscita*(1-sqrt((Tensione di ingresso-Soglia di voltaggio)/Tensione di pinch-off))
G_m = g₀*(1-sqrt((V_i-V_G)/V_p))

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