Permitividad de la capa de óxido Solución

PASO 0: Resumen del cálculo previo
Fórmula utilizada
Permitividad de la capa de óxido = Espesor de la capa de óxido*Capacitancia de la puerta de entrada/(Ancho de la puerta*Longitud de la puerta)
εox = tox*Cin/(Wg*Lg)
Esta fórmula usa 5 Variables
Variables utilizadas
Permitividad de la capa de óxido - (Medido en farad por metro) - La permitividad de la capa de óxido se define como la capacidad de una sustancia para almacenar energía eléctrica en un campo eléctrico.
Espesor de la capa de óxido - (Medido en Metro) - El espesor de la capa de óxido tox se determina durante la tecnología del proceso que se utiliza para fabricar el MOSFET.
Capacitancia de la puerta de entrada - (Medido en Faradio) - La capacitancia de la puerta de entrada en CMOS se refiere a la capacitancia entre los terminales de entrada de un circuito CMOS y el potencial de referencia (generalmente tierra).
Ancho de la puerta - (Medido en Metro) - El ancho de la compuerta se refiere a la distancia entre el borde de un electrodo de compuerta metálica y el material semiconductor adyacente en un CMOS.
Longitud de la puerta - (Medido en Metro) - La longitud de la puerta es la medida o extensión de algo de un extremo a otro.
PASO 1: Convierta la (s) entrada (s) a la unidad base
Espesor de la capa de óxido: 4.98 Milímetro --> 0.00498 Metro (Verifique la conversión aquí)
Capacitancia de la puerta de entrada: 60.01 Microfaradio --> 6.001E-05 Faradio (Verifique la conversión aquí)
Ancho de la puerta: 0.285 Milímetro --> 0.000285 Metro (Verifique la conversión aquí)
Longitud de la puerta: 7 Milímetro --> 0.007 Metro (Verifique la conversión aquí)
PASO 2: Evaluar la fórmula
Sustituir valores de entrada en una fórmula
εox = tox*Cin/(Wg*Lg) --> 0.00498*6.001E-05/(0.000285*0.007)
Evaluar ... ...
εox = 0.149799398496241
PASO 3: Convierta el resultado a la unidad de salida
0.149799398496241 farad por metro -->149.799398496241 Microfaradio por milímetro (Verifique la conversión aquí)
RESPUESTA FINAL
149.799398496241 149.7994 Microfaradio por milímetro <-- Permitividad de la capa de óxido
(Cálculo completado en 00.004 segundos)

Créditos

Creado por Shobhit Dimri
Instituto de Tecnología Bipin Tripathi Kumaon (BTKIT), Dwarahat
¡Shobhit Dimri ha creado esta calculadora y 900+ más calculadoras!
Verificada por Urvi Rathod
Facultad de Ingeniería del Gobierno de Vishwakarma (VGEC), Ahmedabad
¡Urvi Rathod ha verificado esta calculadora y 1900+ más calculadoras!

15 Características del circuito CMOS Calculadoras

Capacitancia efectiva en CMOS
Vamos Capacitancia efectiva en CMOS = Ciclo de trabajo*(Apagado actual*(10^(Voltaje base del colector)))/(Puertas en el camino crítico*[BoltZ]*Voltaje base del colector)
Permitividad de la capa de óxido
Vamos Permitividad de la capa de óxido = Espesor de la capa de óxido*Capacitancia de la puerta de entrada/(Ancho de la puerta*Longitud de la puerta)
Espesor de la capa de óxido
Vamos Espesor de la capa de óxido = Permitividad de la capa de óxido*Ancho de la puerta*Longitud de la puerta/Capacitancia de la puerta de entrada
Ancho de la puerta
Vamos Ancho de la puerta = Capacitancia de la puerta de entrada/(Capacitancia de la capa de óxido de puerta*Longitud de la puerta)
Perímetro de la pared lateral de la fuente de difusión
Vamos Perímetro de difusión de la fuente en la pared lateral = (2*Ancho de transición)+(2*Longitud de la fuente)
Ancho de transición de CMOS
Vamos Ancho de transición = Capacitancia de superposición de puerta MOS/Capacitancia de puerta MOS
Ancho de la región de agotamiento
Vamos Ancho de la región de agotamiento = Longitud de unión PN-Longitud efectiva del canal
Longitud efectiva del canal
Vamos Longitud efectiva del canal = Longitud de unión PN-Ancho de la región de agotamiento
Longitud de unión PN
Vamos Longitud de unión PN = Ancho de la región de agotamiento+Longitud efectiva del canal
Campo eléctrico crítico
Vamos Campo eléctrico crítico = (2*Saturación de velocidad)/Movilidad del electrón
Ancho de difusión de la fuente
Vamos Ancho de transición = Área de difusión de fuentes/Longitud de la fuente
Área de difusión de fuentes
Vamos Área de difusión de fuentes = Longitud de la fuente*Ancho de transición
CMOS significa ruta libre
Vamos Camino libre medio = Voltaje crítico en CMOS/Campo eléctrico crítico
Voltaje crítico CMOS
Vamos Voltaje crítico en CMOS = Campo eléctrico crítico*Camino libre medio
Voltaje en EDP Mínimo
Vamos Tensión al mínimo EDP = (3*Voltaje umbral)/(3-Factor de actividad)

Permitividad de la capa de óxido Fórmula

Permitividad de la capa de óxido = Espesor de la capa de óxido*Capacitancia de la puerta de entrada/(Ancho de la puerta*Longitud de la puerta)
εox = tox*Cin/(Wg*Lg)

¿Cuáles son las regiones de operación en los transistores MOS?

Los transistores MOS tienen tres regiones de operación que incluyen, región de corte o subumbral, región lineal y región de saturación.

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