Permissividade da Camada de Óxido Calculadora

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✖A espessura da camada de óxido é determinada durante a tecnologia de processo usada para fabricar o MOSFET.ⓘ Espessura da Camada de Óxido [t_ox]			+10% -10%
✖A capacitância da porta de entrada em CMOS refere-se à capacitância entre os terminais de entrada de um circuito CMOS e o potencial de referência (geralmente terra).ⓘ Capacitância da porta de entrada [C_in]			+10% -10%
✖Largura da porta refere-se à distância entre a borda de um eletrodo de porta metálica e o material semicondutor adjacente em um CMOS.ⓘ Largura do portão [W_g]			+10% -10%
✖Comprimento do portão é a medida ou extensão de algo de ponta a ponta.ⓘ Comprimento do portão [L_g]			+10% -10%

✖A permissividade da camada de óxido é definida como a capacidade de uma substância armazenar energia elétrica em um campo elétrico.ⓘ Permissividade da Camada de Óxido [ε_ox]

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Fórmula

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Permissividade da Camada de Óxido

Fórmula

`"ε"_{"ox"} = "t"_{"ox"}*"C"_{"in"}/("W"_{"g"}*"L"_{"g"})`

Exemplo

`"149.7994μF/mm"="4.98mm"*"60.01μF"/("0.285mm"*"7mm")`

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Permissividade da Camada de Óxido Solução

ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo

Fórmula Usada

Permissividade da camada de óxido = Espessura da Camada de Óxido*Capacitância da porta de entrada/(Largura do portão*Comprimento do portão)
ε_ox = t_ox*C_in/(W_g*L_g)
Esta fórmula usa 5 Variáveis

Variáveis Usadas

Permissividade da camada de óxido - (Medido em Farad por Metro) - A permissividade da camada de óxido é definida como a capacidade de uma substância armazenar energia elétrica em um campo elétrico.
Espessura da Camada de Óxido - (Medido em Metro) - A espessura da camada de óxido é determinada durante a tecnologia de processo usada para fabricar o MOSFET.
Capacitância da porta de entrada - (Medido em Farad) - A capacitância da porta de entrada em CMOS refere-se à capacitância entre os terminais de entrada de um circuito CMOS e o potencial de referência (geralmente terra).
Largura do portão - (Medido em Metro) - Largura da porta refere-se à distância entre a borda de um eletrodo de porta metálica e o material semicondutor adjacente em um CMOS.
Comprimento do portão - (Medido em Metro) - Comprimento do portão é a medida ou extensão de algo de ponta a ponta.

ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base

Espessura da Camada de Óxido: 4.98 Milímetro --> 0.00498 Metro (Verifique a conversão aqui)
Capacitância da porta de entrada: 60.01 Microfarad --> 6.001E-05 Farad (Verifique a conversão aqui)
Largura do portão: 0.285 Milímetro --> 0.000285 Metro (Verifique a conversão aqui)
Comprimento do portão: 7 Milímetro --> 0.007 Metro (Verifique a conversão aqui)

ETAPA 2: Avalie a Fórmula

Substituindo valores de entrada na fórmula

ε_ox = t_ox*C_in/(W_g*L_g) --> 0.00498*6.001E-05/(0.000285*0.007)

Avaliando ... ...

ε_ox = 0.149799398496241

PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída

0.149799398496241 Farad por Metro -->149.799398496241 Microfarad por Milímetro (Verifique a conversão aqui)

RESPOSTA FINAL

149.799398496241 ≈ 149.7994 Microfarad por Milímetro <-- Permissividade da camada de óxido

(Cálculo concluído em 00.004 segundos)

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Créditos

Criado por Shobhit Dimri

Instituto de Tecnologia Bipin Tripathi Kumaon (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri criou esta calculadora e mais 900+ calculadoras!

Verificado por Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod verificou esta calculadora e mais 1900+ calculadoras!

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Capacitância efetiva em CMOS

Vai Capacitância Efetiva em CMOS = Ciclo de trabalho*(Desatualizado*(10^(Tensão do Coletor Base)))/(Portões no Caminho Crítico*[BoltZ]*Tensão do Coletor Base)

Permissividade da Camada de Óxido

Vai Permissividade da camada de óxido = Espessura da Camada de Óxido*Capacitância da porta de entrada/(Largura do portão*Comprimento do portão)

Espessura da Camada de Óxido

Vai Espessura da Camada de Óxido = Permissividade da camada de óxido*Largura do portão*Comprimento do portão/Capacitância da porta de entrada

Largura do Portão

Vai Largura do portão = Capacitância da porta de entrada/(Capacitância da camada de óxido de porta*Comprimento do portão)

Perímetro de Difusão de Fonte de Parede Lateral

Vai Perímetro da parede lateral de difusão da fonte = (2*Largura da transição)+(2*Comprimento da Fonte)

Largura de transição do CMOS

Vai Largura da transição = Capacitância de sobreposição de porta MOS/Capacitância da Porta MOS

Largura da região de depleção

Vai Largura da região de esgotamento = Comprimento da junção PN-Comprimento Efetivo do Canal

Comprimento Efetivo do Canal

Vai Comprimento Efetivo do Canal = Comprimento da junção PN-Largura da região de esgotamento

Comprimento da junção PN

Vai Comprimento da junção PN = Largura da região de esgotamento+Comprimento Efetivo do Canal

Campo Elétrico Crítico

Vai Campo Elétrico Crítico = (2*Saturação de velocidade)/Mobilidade do Elétron

CMOS significa caminho livre

Vai Significa caminho livre = Tensão Crítica em CMOS/Campo Elétrico Crítico

Tensão Crítica CMOS

Vai Tensão Crítica em CMOS = Campo Elétrico Crítico*Significa caminho livre

Largura da Difusão da Fonte

Vai Largura da transição = Área de Difusão de Fonte/Comprimento da Fonte

Área de Difusão de Fonte

Vai Área de Difusão de Fonte = Comprimento da Fonte*Largura da transição

Tensão no Mínimo EDP

Vai Tensão no EDP Mínimo = (3*Tensão de limiar)/(3-Fator de atividade)

Permissividade da Camada de Óxido Fórmula

Permissividade da camada de óxido = Espessura da Camada de Óxido*Capacitância da porta de entrada/(Largura do portão*Comprimento do portão)
ε_ox = t_ox*C_in/(W_g*L_g)

Quais são as regiões de operação nos transistores MOS?

Os transistores MOS têm três regiões de operação que incluem, região de corte ou sublimiar, região linear e região de saturação.

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