Calcolatrice da A a Z

Perimetro laterale della diffusione della sorgente calcolatrice

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Terreno di gioco
✖La larghezza di transizione è definita come l'aumento di larghezza quando la tensione drain-source aumenta, determinando la transizione della regione del triodo alla regione di saturazione.ⓘ Larghezza di transizione [W]
+10%
-10%
✖La lunghezza della sorgente è definita come la lunghezza totale osservata nella giunzione della sorgente del MOSFET.ⓘ Lunghezza della fonte [Ds]
+10%
-10%
✖Il perimetro della parete laterale della diffusione della sorgente è definito come il perimetro della diffusione della sorgente escluso il bordo sotto il cancello.ⓘ Perimetro laterale della diffusione della sorgente [Ps]
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Formula
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Perimetro laterale della diffusione della sorgente

Formula
`"P"_{"s"} = (2*"W")+(2*"D"_{"s"})`

Esempio
`"301.64mm"= (2*"89.82mm")+(2*"61mm")`

Calcolatrice
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Perimetro laterale della diffusione della sorgente Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo
Formula utilizzata
Perimetro della parete laterale della diffusione della sorgente = (2*Larghezza di transizione)+(2*Lunghezza della fonte)
Ps = (2*W)+(2*Ds)
Questa formula utilizza 3 Variabili
Variabili utilizzate
Perimetro della parete laterale della diffusione della sorgente - (Misurato in metro) - Il perimetro della parete laterale della diffusione della sorgente è definito come il perimetro della diffusione della sorgente escluso il bordo sotto il cancello.
Larghezza di transizione - (Misurato in metro) - La larghezza di transizione è definita come l'aumento di larghezza quando la tensione drain-source aumenta, determinando la transizione della regione del triodo alla regione di saturazione.
Lunghezza della fonte - (Misurato in metro) - La lunghezza della sorgente è definita come la lunghezza totale osservata nella giunzione della sorgente del MOSFET.
PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base
Larghezza di transizione: 89.82 Millimetro --> 0.08982 metro (Controlla la conversione qui)
Lunghezza della fonte: 61 Millimetro --> 0.061 metro (Controlla la conversione qui)
FASE 2: valutare la formula
Sostituzione dei valori di input nella formula
Ps = (2*W)+(2*Ds) --> (2*0.08982)+(2*0.061)
Valutare ... ...
Ps = 0.30164
PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output
0.30164 metro -->301.64 Millimetro (Controlla la conversione qui)
RISPOSTA FINALE
301.64 Millimetro <-- Perimetro della parete laterale della diffusione della sorgente
(Calcolo completato in 00.004 secondi)
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Titoli di coda

Creato da Shobhit Dimri
Bipin Tripathi Kumaon Institute of Technology (BTKIT), Dwarahat
Shobhit Dimri ha creato questa calcolatrice e altre 900+ altre calcolatrici!
Verificato da Urvi Rathod
Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad
Urvi Rathod ha verificato questa calcolatrice e altre 1900+ altre calcolatrici!

15 Caratteristiche del circuito CMOS Calcolatrici

Capacità effettiva in CMOS
Partire Capacità effettiva nel CMOS = Ciclo di lavoro*(Fuori corrente*(10^(Tensione del collettore di base)))/(Cancelli sul percorso critico*[BoltZ]*Tensione del collettore di base)
Permittività dello strato di ossido
Partire Permittività dello strato di ossido = Spessore dello strato di ossido*Capacità del gate di ingresso/(Larghezza del cancello*Lunghezza del cancello)
Spessore dello strato di ossido
Partire Spessore dello strato di ossido = Permittività dello strato di ossido*Larghezza del cancello*Lunghezza del cancello/Capacità del gate di ingresso
Larghezza del cancello
Partire Larghezza del cancello = Capacità del gate di ingresso/(Capacità dello strato di ossido di gate*Lunghezza del cancello)
Perimetro laterale della diffusione della sorgente
Partire Perimetro della parete laterale della diffusione della sorgente = (2*Larghezza di transizione)+(2*Lunghezza della fonte)
Larghezza della regione di svuotamento
Partire Larghezza della regione di esaurimento = Lunghezza giunzione PN-Lunghezza effettiva del canale
Lunghezza effettiva del canale
Partire Lunghezza effettiva del canale = Lunghezza giunzione PN-Larghezza della regione di esaurimento
Lunghezza giunzione PN
Partire Lunghezza giunzione PN = Larghezza della regione di esaurimento+Lunghezza effettiva del canale
Larghezza di transizione del CMOS
Partire Larghezza di transizione = Capacità di sovrapposizione del gate MOS/Capacità del gate MOS
Larghezza della diffusione della sorgente
Partire Larghezza di transizione = Area di diffusione della sorgente/Lunghezza della fonte
Area di diffusione della sorgente
Partire Area di diffusione della sorgente = Lunghezza della fonte*Larghezza di transizione
Campo elettrico critico
Partire Campo elettrico critico = (2*Saturazione della velocità)/Mobilità dell'elettrone
CMOS percorso libero medio
Partire Percorso libero medio = Tensione critica nel CMOS/Campo elettrico critico
Tensione critica CMOS
Partire Tensione critica nel CMOS = Campo elettrico critico*Percorso libero medio
Tensione al minimo EDP
Partire Tensione al minimo EDP = (3*Soglia di voltaggio)/(3-Fattore di attività)

Perimetro laterale della diffusione della sorgente Formula

Perimetro della parete laterale della diffusione della sorgente = (2*Larghezza di transizione)+(2*Lunghezza della fonte)
Ps = (2*W)+(2*Ds)

Che cos'è il modello di capacità di diffusione MOS?

La giunzione p–n tra la diffusione della sorgente e il corpo contribuisce alla capacità parassitaria attraverso la regione di svuotamento. La capacità dipende sia dall'area AS che dal perimetro PS della parete laterale della regione di diffusione della sorgente. Poiché lo spessore della regione di svuotamento dipende dalle condizioni di bias, questi parassiti non sono lineari.

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