Obwód ściany bocznej źródła dyfuzji Kalkulator

↳

Elektronika

Cywilny

Elektronika i oprzyrządowanie

Elektryczny

Inżynieria chemiczna

Inżynieria materiałowa

Inżynieria produkcji

Mechaniczny

⤿

Charakterystyka obwodu CMOS

Charakterystyka czasu CMOS

Charakterystyka opóźnienia CMOS

Charakterystyka projektu CMOS

Falowniki CMOS

Podsystem ścieżki danych tablicowych

Podsystem specjalnego przeznaczenia CMOS

Wskaźniki mocy CMOS

✖Szerokość przejścia definiuje się jako wzrost szerokości przy wzroście napięcia dren-źródło, w wyniku czego obszar triody przechodzi do obszaru nasycenia.ⓘ Szerokość przejścia [W]			+10% -10%
✖Długość źródła definiuje się jako całkowitą długość obserwowaną na złączu źródłowym MOSFET-u.ⓘ Długość źródła [D_s]			+10% -10%

✖Obwód ściany bocznej źródła dyfuzji definiuje się jako obwód źródła dyfuzji, nie uwzględniając krawędzi pod bramką.ⓘ Obwód ściany bocznej źródła dyfuzji [P_s]

⎘ Kopiuj

👎

Formuła

✖

Obwód ściany bocznej źródła dyfuzji

Formuła

`"P"_{"s"} = (2*"W")+(2*"D"_{"s"})`

Przykład

`"301.64mm"= (2*"89.82mm")+(2*"61mm")`

Kalkulator

LaTeX

Resetowanie

👍

Pobierać Charakterystyka obwodu CMOS Formuły PDF

Obwód ściany bocznej źródła dyfuzji Rozwiązanie

KROK 0: Podsumowanie wstępnych obliczeń

Formułę używana

Obwód ściany bocznej źródła dyfuzji = (2*Szerokość przejścia)+(2*Długość źródła)
P_s = (2*W)+(2*D_s)
Ta formuła używa 3 Zmienne

Używane zmienne

Obwód ściany bocznej źródła dyfuzji - (Mierzone w Metr) - Obwód ściany bocznej źródła dyfuzji definiuje się jako obwód źródła dyfuzji, nie uwzględniając krawędzi pod bramką.
Szerokość przejścia - (Mierzone w Metr) - Szerokość przejścia definiuje się jako wzrost szerokości przy wzroście napięcia dren-źródło, w wyniku czego obszar triody przechodzi do obszaru nasycenia.
Długość źródła - (Mierzone w Metr) - Długość źródła definiuje się jako całkowitą długość obserwowaną na złączu źródłowym MOSFET-u.

KROK 1: Zamień wejście (a) na jednostkę bazową

Szerokość przejścia: 89.82 Milimetr --> 0.08982 Metr (Sprawdź konwersję tutaj)
Długość źródła: 61 Milimetr --> 0.061 Metr (Sprawdź konwersję tutaj)

KROK 2: Oceń formułę

Zastępowanie wartości wejściowych we wzorze

P_s = (2*W)+(2*D_s) --> (2*0.08982)+(2*0.061)

Ocenianie ... ...

P_s = 0.30164

KROK 3: Konwertuj wynik na jednostkę wyjścia

0.30164 Metr -->301.64 Milimetr (Sprawdź konwersję tutaj)

OSTATNIA ODPOWIEDŹ

301.64 Milimetr <-- Obwód ściany bocznej źródła dyfuzji

(Obliczenie zakończone za 00.020 sekund)

Jesteś tutaj -

Dom » Inżynieria » Elektronika » Projektowanie i zastosowania CMOS » Charakterystyka obwodu CMOS » Obwód ściany bocznej źródła dyfuzji

Kredyty

Stworzone przez Shobhit Dimri

Bipin Tripathi Kumaon Institute of Technology (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri utworzył ten kalkulator i 900+ więcej kalkulatorów!

Zweryfikowane przez Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod zweryfikował ten kalkulator i 1900+ więcej kalkulatorów!

< 15 Charakterystyka obwodu CMOS Kalkulatory

Efektywna pojemność w CMOS

Iść Efektywna pojemność w CMOS = Cykl pracy*(Wyłączony prąd*(10^(Podstawowe napięcie kolektora)))/(Bramy na ścieżce krytycznej*[BoltZ]*Podstawowe napięcie kolektora)

Przenikalność warstwy tlenkowej

Iść Przenikalność warstwy tlenkowej = Grubość warstwy tlenku*Pojemność bramki wejściowej/(Szerokość bramy*Długość bramy)

Grubość warstwy tlenku

Iść Grubość warstwy tlenku = Przenikalność warstwy tlenkowej*Szerokość bramy*Długość bramy/Pojemność bramki wejściowej

Szerokość bramy

Iść Szerokość bramy = Pojemność bramki wejściowej/(Pojemność warstwy tlenku bramki*Długość bramy)

Obwód ściany bocznej źródła dyfuzji

Iść Obwód ściany bocznej źródła dyfuzji = (2*Szerokość przejścia)+(2*Długość źródła)

Średnia wolna ścieżka CMOS

Iść Średnia darmowa ścieżka = Krytyczne napięcie w CMOS/Krytyczne pole elektryczne

Szerokość przejścia CMOS

Iść Szerokość przejścia = Pojemność nakładania się bramki MOS/Pojemność bramki MOS

Krytyczne napięcie CMOS

Iść Krytyczne napięcie w CMOS = Krytyczne pole elektryczne*Średnia darmowa ścieżka

Szerokość regionu wyczerpania

Iść Szerokość obszaru wyczerpania = Długość złącza PN-Efektywna długość kanału

Efektywna długość kanału

Iść Efektywna długość kanału = Długość złącza PN-Szerokość obszaru wyczerpania

Długość złącza PN

Iść Długość złącza PN = Szerokość obszaru wyczerpania+Efektywna długość kanału

Krytyczne pole elektryczne

Iść Krytyczne pole elektryczne = (2*Nasycenie prędkością)/Mobilność elektronu

Napięcie przy minimalnym EDP

Iść Napięcie przy minimalnym EDP = (3*Próg napięcia)/(3-Czynnik aktywności)

Szerokość dyfuzji źródła

Iść Szerokość przejścia = Obszar dyfuzji źródła/Długość źródła

Obszar dyfuzji źródła

Iść Obszar dyfuzji źródła = Długość źródła*Szerokość przejścia

Obwód ściany bocznej źródła dyfuzji Formułę

Obwód ściany bocznej źródła dyfuzji = (2*Szerokość przejścia)+(2*Długość źródła)
P_s = (2*W)+(2*D_s)

Co to jest model pojemności dyfuzji MOS?

Połączenie p–n między źródłem dyfuzji a ciałem przyczynia się do pasożytniczej pojemności w całym regionie zubożenia. Pojemność zależy zarówno od powierzchni AS, jak i obwodu PS ścianki bocznej obszaru dyfuzji źródła. Ponieważ grubość obszaru zubożenia zależy od warunków obciążenia, te pasożyty są nieliniowe.

Dom

BEZPŁATNY pliki PDF

🔍 Szukaj

Kategorie

Dzielić

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!