Zijwand Omtrek van bronverspreiding Rekenmachine

↳

Elektronica

Chemische technologie

Civiel

Elektrisch

Elektronica en instrumentatie

Materiaal kunde

Mechanisch

Productie Engineering

⤿

Kenmerken van CMOS-circuits

Array Datapath-subsysteem

CMOS-omvormers

CMOS-ontwerpkenmerken

CMOS-subsysteem voor speciale doeleinden

CMOS-tijdkenmerken

CMOS-vermogensstatistieken

Kenmerken van CMOS-vertraging

✖Overgangsbreedte wordt gedefinieerd als de toename in breedte wanneer de drain-naar-source-spanning toeneemt, waardoor het triodegebied overgaat naar het verzadigingsgebied.ⓘ Overgangsbreedte [W]			+10% -10%
✖De lengte van de bron wordt gedefinieerd als de totale lengte die wordt waargenomen bij de bronverbinding van de MOSFET.ⓘ Lengte van de bron [D_s]			+10% -10%

✖Zijwandomtrek van brondiffusie wordt gedefinieerd als de omtrek van brondiffusie, exclusief de rand onder de poort.ⓘ Zijwand Omtrek van bronverspreiding [P_s]

⎘ Kopiëren

👎

Formule

✖

Zijwand Omtrek van bronverspreiding

Formule

`"P"_{"s"} = (2*"W")+(2*"D"_{"s"})`

Voorbeeld

`"301.64mm"=(2*"89.82mm")+(2*"61mm")`

Rekenmachine

LaTeX

Reset

👍

Downloaden Kenmerken van CMOS-circuits Formules Pdf PDF Image

Zijwand Omtrek van bronverspreiding Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening

Formule gebruikt

Zijwandomtrek van brondiffusie = (2*Overgangsbreedte)+(2*Lengte van de bron)
P_s = (2*W)+(2*D_s)
Deze formule gebruikt 3 Variabelen

Variabelen gebruikt

Zijwandomtrek van brondiffusie - (Gemeten in Meter) - Zijwandomtrek van brondiffusie wordt gedefinieerd als de omtrek van brondiffusie, exclusief de rand onder de poort.
Overgangsbreedte - (Gemeten in Meter) - Overgangsbreedte wordt gedefinieerd als de toename in breedte wanneer de drain-naar-source-spanning toeneemt, waardoor het triodegebied overgaat naar het verzadigingsgebied.
Lengte van de bron - (Gemeten in Meter) - De lengte van de bron wordt gedefinieerd als de totale lengte die wordt waargenomen bij de bronverbinding van de MOSFET.

STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid

Overgangsbreedte: 89.82 Millimeter --> 0.08982 Meter (Bekijk de conversie hier)
Lengte van de bron: 61 Millimeter --> 0.061 Meter (Bekijk de conversie hier)

STAP 2: Evalueer de formule

Invoerwaarden in formule vervangen

P_s = (2*W)+(2*D_s) --> (2*0.08982)+(2*0.061)

Evalueren ... ...

P_s = 0.30164

STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer

0.30164 Meter -->301.64 Millimeter (Bekijk de conversie hier)

DEFINITIEVE ANTWOORD

301.64 Millimeter <-- Zijwandomtrek van brondiffusie

(Berekening voltooid in 00.004 seconden)

Je bevindt je hier -

Huis » Engineering » Elektronica » CMOS-ontwerp en toepassingen » Kenmerken van CMOS-circuits » Zijwand Omtrek van bronverspreiding

Credits

Gemaakt door Shobhit Dimri

Bipin Tripathi Kumaon Institute of Technology (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 900+ meer rekenmachines!

Geverifieërd door Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 1900+ rekenmachines!

< 15 Kenmerken van CMOS-circuits Rekenmachines

Effectieve capaciteit in CMOS

Gaan Effectieve capaciteit in CMOS = Arbeidscyclus*(Uit huidige*(10^(Basiscollectorspanning)))/(Poorten op kritiek pad*[BoltZ]*Basiscollectorspanning)

Permittiviteit van oxidelaag

Gaan Permittiviteit van de oxidelaag = Dikte van de oxidelaag*Ingangspoortcapaciteit/(Poortbreedte*Lengte van de poort)

Dikte van de oxidelaag

Gaan Dikte van de oxidelaag = Permittiviteit van de oxidelaag*Poortbreedte*Lengte van de poort/Ingangspoortcapaciteit

Breedte van poort:

Gaan Poortbreedte = Ingangspoortcapaciteit/(Capaciteit van Gate Oxide Layer*Lengte van de poort)

Kritisch elektrisch veld

Gaan Kritisch elektrisch veld = (2*Snelheidsverzadiging)/Mobiliteit van elektronen

Zijwand Omtrek van bronverspreiding

Gaan Zijwandomtrek van brondiffusie = (2*Overgangsbreedte)+(2*Lengte van de bron)

Breedte uitputtingsgebied

Gaan Breedte uitputtingsregio = PN-verbindingslengte-Effectieve kanaallengte

Effectieve kanaallengte

Gaan Effectieve kanaallengte = PN-verbindingslengte-Breedte uitputtingsregio

PN-verbindingslengte

Gaan PN-verbindingslengte = Breedte uitputtingsregio+Effectieve kanaallengte

Overgangsbreedte van CMOS

Gaan Overgangsbreedte = MOS-poortoverlappingscapaciteit/MOS-poortcapaciteit

Spanning bij minimale EDP

Gaan Spanning bij minimale EDP = (3*Drempelspanning)/(3-Activiteitsfactor)

CMOS kritische spanning

Gaan Kritische spanning in CMOS = Kritisch elektrisch veld*Bedoel vrij pad

CMOS betekent vrij pad

Gaan Bedoel vrij pad = Kritische spanning in CMOS/Kritisch elektrisch veld

Breedte van bronverspreiding

Gaan Overgangsbreedte = Gebied van bronverspreiding/Lengte van de bron

Gebied van bronverspreiding

Gaan Gebied van bronverspreiding = Lengte van de bron*Overgangsbreedte

Zijwand Omtrek van bronverspreiding Formule

Zijwandomtrek van brondiffusie = (2*Overgangsbreedte)+(2*Lengte van de bron)
P_s = (2*W)+(2*D_s)

Wat is het MOS-diffusiecapaciteitsmodel?

De p-n-overgang tussen de brondiffusie en het lichaam draagt parasitaire capaciteit bij over het uitputtingsgebied. De capaciteit hangt af van zowel het gebied AS als de zijwandomtrek PS van het brondiffusiegebied. Omdat de dikte van het uitputtingsgebied afhangt van de bias-omstandigheden, zijn deze parasieten niet-lineair.

Huis

VRIJ PDF's

🔍 Zoeken

Categorieën

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!