Perímetro de Difusão de Fonte de Parede Lateral Solução

ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo
Fórmula Usada
Perímetro da parede lateral de difusão da fonte = (2*Largura da transição)+(2*Comprimento da Fonte)
Ps = (2*W)+(2*Ds)
Esta fórmula usa 3 Variáveis
Variáveis Usadas
Perímetro da parede lateral de difusão da fonte - (Medido em Metro) - O perímetro da parede lateral de difusão da fonte é definido como o perímetro de difusão da fonte, não incluindo a borda sob o portão.
Largura da transição - (Medido em Metro) - A largura de transição é definida como o aumento na largura quando a tensão do dreno para a fonte aumenta, resultando na transição da região do triodo para a região de saturação.
Comprimento da Fonte - (Medido em Metro) - O comprimento da fonte é definido como o comprimento total observado na junção da fonte do MOSFET.
ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base
Largura da transição: 89.82 Milímetro --> 0.08982 Metro (Verifique a conversão aqui)
Comprimento da Fonte: 61 Milímetro --> 0.061 Metro (Verifique a conversão aqui)
ETAPA 2: Avalie a Fórmula
Substituindo valores de entrada na fórmula
Ps = (2*W)+(2*Ds) --> (2*0.08982)+(2*0.061)
Avaliando ... ...
Ps = 0.30164
PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída
0.30164 Metro -->301.64 Milímetro (Verifique a conversão aqui)
RESPOSTA FINAL
301.64 Milímetro <-- Perímetro da parede lateral de difusão da fonte
(Cálculo concluído em 00.019 segundos)

Créditos

Criado por Shobhit Dimri
Instituto de Tecnologia Bipin Tripathi Kumaon (BTKIT), Dwarahat
Shobhit Dimri criou esta calculadora e mais 900+ calculadoras!
Verificado por Urvi Rathod
Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad
Urvi Rathod verificou esta calculadora e mais 1900+ calculadoras!

15 Características do circuito CMOS Calculadoras

Capacitância efetiva em CMOS
Vai Capacitância Efetiva em CMOS = Ciclo de trabalho*(Desatualizado*(10^(Tensão do Coletor Base)))/(Portões no Caminho Crítico*[BoltZ]*Tensão do Coletor Base)
Permissividade da Camada de Óxido
Vai Permissividade da camada de óxido = Espessura da Camada de Óxido*Capacitância da porta de entrada/(Largura do portão*Comprimento do portão)
Espessura da Camada de Óxido
Vai Espessura da Camada de Óxido = Permissividade da camada de óxido*Largura do portão*Comprimento do portão/Capacitância da porta de entrada
Largura do Portão
Vai Largura do portão = Capacitância da porta de entrada/(Capacitância da camada de óxido de porta*Comprimento do portão)
Perímetro de Difusão de Fonte de Parede Lateral
Vai Perímetro da parede lateral de difusão da fonte = (2*Largura da transição)+(2*Comprimento da Fonte)
Largura de transição do CMOS
Vai Largura da transição = Capacitância de sobreposição de porta MOS/Capacitância da Porta MOS
Largura da região de depleção
Vai Largura da região de esgotamento = Comprimento da junção PN-Comprimento Efetivo do Canal
Comprimento Efetivo do Canal
Vai Comprimento Efetivo do Canal = Comprimento da junção PN-Largura da região de esgotamento
Comprimento da junção PN
Vai Comprimento da junção PN = Largura da região de esgotamento+Comprimento Efetivo do Canal
Campo Elétrico Crítico
Vai Campo Elétrico Crítico = (2*Saturação de velocidade)/Mobilidade do Elétron
CMOS significa caminho livre
Vai Significa caminho livre = Tensão Crítica em CMOS/Campo Elétrico Crítico
Tensão Crítica CMOS
Vai Tensão Crítica em CMOS = Campo Elétrico Crítico*Significa caminho livre
Largura da Difusão da Fonte
Vai Largura da transição = Área de Difusão de Fonte/Comprimento da Fonte
Área de Difusão de Fonte
Vai Área de Difusão de Fonte = Comprimento da Fonte*Largura da transição
Tensão no Mínimo EDP
Vai Tensão no EDP Mínimo = (3*Tensão de limiar)/(3-Fator de atividade)

Perímetro de Difusão de Fonte de Parede Lateral Fórmula

Perímetro da parede lateral de difusão da fonte = (2*Largura da transição)+(2*Comprimento da Fonte)
Ps = (2*W)+(2*Ds)

O que é o modelo de capacitância de difusão MOS?

A junção p-n entre a difusão da fonte e o corpo contribui com a capacitância parasita através da região de depleção. A capacitância depende tanto da área AS quanto do perímetro da parede lateral PS da região de difusão da fonte. Como a espessura da região de depleção depende das condições de polarização, esses parasitas não são lineares.

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