MOSFET चे बायस व्होल्टेज उपाय

चरण 0: पूर्व-गणन सारांश
फॉर्म्युला वापरले जाते
एकूण तात्काळ बायस व्होल्टेज = डीसी बायस व्होल्टेज+डीसी व्होल्टेज
Vbe = Vbias+Vde
हे सूत्र 3 व्हेरिएबल्स वापरते
व्हेरिएबल्स वापरलेले
एकूण तात्काळ बायस व्होल्टेज - (मध्ये मोजली व्होल्ट) - ट्रान्झिस्टर, अॅम्प्लीफायर्स आणि डायोड्स सारख्या सक्रिय घटकांसाठी एक स्थिर ऑपरेटिंग पॉइंट स्थापित करण्यासाठी टोटल इन्स्टंटेनियस बायस व्होल्टेजचा वापर केला जातो.
डीसी बायस व्होल्टेज - (मध्ये मोजली व्होल्ट) - DC बायस व्होल्टेजचा वापर ट्रान्झिस्टर, अॅम्प्लिफायर्स आणि डायोड्स सारख्या सक्रिय घटकांसाठी स्थिर ऑपरेटिंग पॉइंट स्थापित करण्यासाठी केला जातो.
डीसी व्होल्टेज - (मध्ये मोजली व्होल्ट) - डीसी व्होल्टेज, ज्याला डायरेक्ट करंट व्होल्टेज असेही म्हटले जाते, हे सर्किटमधील दोन बिंदूंमधील विद्युत संभाव्य फरकाचा संदर्भ देते जे वेळेनुसार स्थिर राहते.
चरण 1: इनपुट ला बेस युनिटमध्ये रूपांतरित करा
डीसी बायस व्होल्टेज: 5.3 व्होल्ट --> 5.3 व्होल्ट कोणतेही रूपांतरण आवश्यक नाही
डीसी व्होल्टेज: 3 व्होल्ट --> 3 व्होल्ट कोणतेही रूपांतरण आवश्यक नाही
चरण 2: फॉर्म्युलाचे मूल्यांकन करा
फॉर्म्युलामध्ये इनपुट व्हॅल्यूजची स्थापना करणे
Vbe = Vbias+Vde --> 5.3+3
मूल्यांकन करत आहे ... ...
Vbe = 8.3
चरण 3: निकाल आउटपुटच्या युनिटमध्ये रूपांतरित करा
8.3 व्होल्ट --> कोणतेही रूपांतरण आवश्यक नाही
अंतिम उत्तर
8.3 व्होल्ट <-- एकूण तात्काळ बायस व्होल्टेज
(गणना 00.004 सेकंदात पूर्ण झाली)

जमा

Creator Image
ने निर्मित पायल प्रिया
बिरसा तंत्रज्ञान तंत्रज्ञान संस्था (बिट), सिंदरी
पायल प्रिया यांनी हे कॅल्क्युलेटर आणि 600+ अधिक कॅल्क्युलेटर तयार केले आहेत!
Verifier Image
द्वारे सत्यापित प्रल्हाद सिंग
जयपूर अभियांत्रिकी महाविद्यालय व संशोधन केंद्र (जेईसीआरसी), जयपूर
प्रल्हाद सिंग यानी हे कॅल्क्युलेटर आणि 10+ अधिक कॅल्क्युलेटर सत्यापित केले आहेत।

18 बायसिंग कॅल्क्युलेटर

कलेक्टर वर्तमान दिले वर्तमान लाभ Mosfet
​ जा जिल्हाधिकारी वर्तमान = (वर्तमान लाभ*(नकारात्मक पुरवठा व्होल्टेज-बेस एमिटर व्होल्टेज))/(बेस प्रतिकार+(वर्तमान लाभ+1)*उत्सर्जक प्रतिकार)
Mosfet च्या इनपुट बायसिंग करंट
​ जा इनपुट बायसिंग वर्तमान = (नकारात्मक पुरवठा व्होल्टेज-बेस एमिटर व्होल्टेज)/(बेस प्रतिकार+(वर्तमान लाभ+1)*उत्सर्जक प्रतिकार)
कलेक्टर एमिटर व्होल्टेज दिलेला कलेक्टर रेझिस्टन्स
​ जा कलेक्टर एमिटर व्होल्टेज = कलेक्टर पुरवठा व्होल्टेज-(जिल्हाधिकारी वर्तमान+इनपुट बायसिंग वर्तमान)*कलेक्टर लोड रेझिस्टर
कलेक्टर वर्तमान दिलेला वर्तमान लाभ
​ जा जिल्हाधिकारी वर्तमान = वर्तमान लाभ*(कलेक्टर पुरवठा व्होल्टेज-बेस एमिटर व्होल्टेज)/बेस प्रतिकार
MOSFET चा DC बायस करंट
​ जा डीसी बायस वर्तमान = 1/2*ट्रान्सकंडक्टन्स पॅरामीटर*(गेट-स्रोत व्होल्टेज-थ्रेशोल्ड व्होल्टेज)^2
कलेक्टर एमिटर व्होल्टेज
​ जा कलेक्टर एमिटर व्होल्टेज = कलेक्टर पुरवठा व्होल्टेज-कलेक्टर लोड रेझिस्टर*जिल्हाधिकारी वर्तमान
ग्राउंडच्या संदर्भात कलेक्टर व्होल्टेज
​ जा कलेक्टर व्होल्टेज = कलेक्टर पुरवठा व्होल्टेज-जिल्हाधिकारी वर्तमान*कलेक्टर लोड रेझिस्टर
जमिनीच्या संदर्भात एमिटर व्होल्टेज
​ जा एमिटर व्होल्टेज = -नकारात्मक पुरवठा व्होल्टेज+(एमिटर करंट*उत्सर्जक प्रतिकार)
MOSFET चा बेस करंट
​ जा इनपुट बायसिंग वर्तमान = (बायस व्होल्टेज-बेस एमिटर व्होल्टेज)/बेस प्रतिकार
ड्रेनवर डीसी बायस आउटपुट व्होल्टेज
​ जा आउटपुट व्होल्टेज = पुरवठा व्होल्टेज-लोड प्रतिकार*डीसी बायस वर्तमान
संपृक्तता मध्ये जिल्हाधिकारी वर्तमान
​ जा कलेक्टर वर्तमान संपृक्तता = कलेक्टर पुरवठा व्होल्टेज/कलेक्टर लोड रेझिस्टर
ओव्हरड्राइव्ह व्होल्टेज वापरून MOSFET चा DC बायस करंट
​ जा डीसी बायस वर्तमान = 1/2*ट्रान्सकंडक्टन्स पॅरामीटर*प्रभावी व्होल्टेज^2
MOSFET चे बायस व्होल्टेज
​ जा एकूण तात्काळ बायस व्होल्टेज = डीसी बायस व्होल्टेज+डीसी व्होल्टेज
इनपुट बायस करंट
​ जा डीसी बायस वर्तमान = (इनपुट बायस करंट १+इनपुट बायस वर्तमान 2)/2
Mosfet च्या जिल्हाधिकारी वर्तमान
​ जा जिल्हाधिकारी वर्तमान = वर्तमान लाभ*इनपुट बायसिंग वर्तमान
Mosfet च्या उत्सर्जक प्रवाह
​ जा एमिटर करंट = जिल्हाधिकारी वर्तमान+इनपुट बायसिंग वर्तमान
जमिनीच्या संदर्भात बेस व्होल्टेज
​ जा बेस व्होल्टेज = एमिटर व्होल्टेज+बेस एमिटर व्होल्टेज
विभेदक जोडीमध्ये बायस करंट
​ जा डीसी बायस वर्तमान = ड्रेन करंट १+निचरा प्रवाह 2

16 MOSFET वैशिष्ट्ये कॅल्क्युलेटर

गेट टू सोर्स व्होल्टेज वापरून MOSFET च्या चॅनेलचे आचरण
​ जा चॅनेलचे संचालन = चॅनेलच्या पृष्ठभागावर इलेक्ट्रॉन्सची गतिशीलता*ऑक्साइड कॅपेसिटन्स*चॅनेल रुंदी/चॅनेलची लांबी*(गेट-स्रोत व्होल्टेज-थ्रेशोल्ड व्होल्टेज)
MOSFET Transconductance दिलेला ऑक्साइड कॅपेसिटन्स
​ जा MOSFET मध्ये ट्रान्सकंडक्टन्स = sqrt(2*इलेक्ट्रॉन गतिशीलता*ऑक्साइड कॅपेसिटन्स*(ट्रान्झिस्टरची रुंदी/ट्रान्झिस्टरची लांबी)*ड्रेन करंट)
MOSFET च्या लोड रेझिस्टन्समुळे व्होल्टेज वाढणे
​ जा व्होल्टेज वाढणे = Transconductance*(1/(1/लोड प्रतिकार+1/आउटपुट प्रतिकार))/(1+Transconductance*स्रोत प्रतिकार)
MOSFET ची संक्रमण वारंवारता
​ जा संक्रमण वारंवारता = Transconductance/(2*pi*(स्त्रोत गेट कॅपेसिटन्स+गेट-ड्रेन कॅपेसिटन्स))
बायस पॉइंटवर कमाल व्होल्टेज वाढ
​ जा कमाल व्होल्टेज वाढ = 2*(पुरवठा व्होल्टेज-प्रभावी व्होल्टेज)/(प्रभावी व्होल्टेज)
लहान सिग्नल वापरून व्होल्टेज वाढवणे
​ जा व्होल्टेज वाढणे = Transconductance*1/(1/लोड प्रतिकार+1/मर्यादित प्रतिकार)
MOSFET च्या स्त्रोत चॅनेल रुंदीचे गेट
​ जा चॅनेल रुंदी = ओव्हरलॅप कॅपेसिटन्स/(ऑक्साइड कॅपेसिटन्स*ओव्हरलॅप लांबी)
ड्रेन व्होल्टेज दिलेला व्होल्टेज गेन
​ जा व्होल्टेज वाढणे = (ड्रेन करंट*लोड प्रतिकार*2)/प्रभावी व्होल्टेज
MOSFET चे संपृक्तता व्होल्टेज
​ जा ड्रेन आणि स्त्रोत संपृक्तता व्होल्टेज = गेट-स्रोत व्होल्टेज-थ्रेशोल्ड व्होल्टेज
Transconductance वर शरीर प्रभाव
​ जा बॉडी ट्रान्सकंडक्टन्स = थ्रेशोल्डमध्ये बेस व्होल्टेजमध्ये बदल*Transconductance
MOSFET चे बायस व्होल्टेज
​ जा एकूण तात्काळ बायस व्होल्टेज = डीसी बायस व्होल्टेज+डीसी व्होल्टेज
सर्व व्होल्टेज दिलेला कमाल व्होल्टेज वाढ
​ जा कमाल व्होल्टेज वाढ = (पुरवठा व्होल्टेज-0.3)/थर्मल व्होल्टेज
MOSFET चे ट्रेशोल्ड व्होल्टेज
​ जा थ्रेशोल्ड व्होल्टेज = गेट-स्रोत व्होल्टेज-प्रभावी व्होल्टेज
MOSFET मध्ये ट्रान्सकंडक्टन्स
​ जा Transconductance = (2*ड्रेन करंट)/ओव्हरड्राइव्ह व्होल्टेज
लहान सिग्नल MOSFET मॉडेलमध्ये प्रवर्धन घटक
​ जा प्रवर्धन घटक = Transconductance*आउटपुट प्रतिकार
MOSFET च्या लिनियर रेझिस्टन्स मध्ये आचरण
​ जा चॅनेलचे संचालन = 1/रेखीय प्रतिकार

MOSFET चे बायस व्होल्टेज सुत्र

एकूण तात्काळ बायस व्होल्टेज = डीसी बायस व्होल्टेज+डीसी व्होल्टेज
Vbe = Vbias+Vde

पूर्वाग्रह मुख्य कार्य काय आहे?

बायस हे डायरेक्ट करंट (डीसी) जाणीवपूर्वक प्रवाह करण्यासाठी तयार केले जाते किंवा सर्किट नियंत्रित करण्याच्या उद्देशाने डीसी व्होल्टेज मुद्दाम लागू केले जातात. द्विध्रुवीय ट्रान्झिस्टरमध्ये, पूर्वग्रह सहसा दिशा म्हणून निर्दिष्ट केला जातो ज्यामध्ये बॅटरी किंवा डीसीमधून विद्युत पुरवठा करणारा डीसी उत्सर्जक आणि बेस दरम्यान वाहतो.

Let Others Know
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!