पीएमओएसमध्ये पिंच-ऑफ स्थितीत इन्व्हर्जन लेयर चार्ज कॅल्क्युलेटर

✖ऑक्साइड कॅपेसिटन्स हा एक महत्त्वाचा पॅरामीटर आहे जो एमओएस उपकरणांच्या कार्यक्षमतेवर परिणाम करतो, जसे की एकात्मिक सर्किट्सचा वेग आणि वीज वापर.ⓘ ऑक्साइड कॅपेसिटन्स [C_ox]			+10% -10%
✖फील्ड-इफेक्ट ट्रान्झिस्टर (FET) चे गेट आणि स्त्रोत यांच्यातील व्होल्टेज गेट-सोर्स व्होल्टेज (VGS) म्हणून ओळखले जाते. हे एक महत्त्वाचे पॅरामीटर आहे जे FET च्या ऑपरेशनवर परिणाम करते.ⓘ गेट आणि स्रोत दरम्यान व्होल्टेज [V_GS]			+10% -10%
✖थ्रेशोल्ड व्होल्टेज, ज्याला गेट थ्रेशोल्ड व्होल्टेज किंवा फक्त Vth असेही म्हटले जाते, हे फील्ड-इफेक्ट ट्रान्झिस्टरच्या ऑपरेशनमध्ये एक महत्त्वपूर्ण पॅरामीटर आहे, जे आधुनिक इलेक्ट्रॉनिक्समधील मूलभूत घटक आहेत.ⓘ थ्रेशोल्ड व्होल्टेज [V_T]			+10% -10%
✖ड्रेन आणि सोर्स मधील व्होल्टेज हे फील्ड-इफेक्ट ट्रान्झिस्टर (FET) च्या ऑपरेशनमध्ये एक प्रमुख पॅरामीटर आहे आणि बहुतेकदा "ड्रेन-सोर्स व्होल्टेज" किंवा VDS म्हणून ओळखले जाते.ⓘ ड्रेन आणि स्त्रोत दरम्यान व्होल्टेज [V_DS]			+10% -10%

✖गेट इलेक्ट्रोडवर व्होल्टेज लागू केल्यावर सेमीकंडक्टर आणि इन्सुलेटिंग ऑक्साईड लेयर यांच्यातील इंटरफेसमध्ये चार्ज वाहकांच्या संचयनाला इनव्हर्जन लेयर चार्ज सूचित करते.ⓘ पीएमओएसमध्ये पिंच-ऑफ स्थितीत इन्व्हर्जन लेयर चार्ज [Q_p]

⎘ कॉपी

👎

सुत्र

✖

पीएमओएसमध्ये पिंच-ऑफ स्थितीत इन्व्हर्जन लेयर चार्ज

सुत्र

`"Q"_{"p"} = -"C"_{"ox"}*("V"_{"GS"}-"V"_{"T"}-"V"_{"DS"})`

उदाहरण

`"0.000232C/m²"=-"0.0008F"*("2.86V"-"0.7V"-"2.45V")`

कॅल्क्युलेटर

LaTeX

रीसेट करा

👍

डाउनलोड करा MOSFET सुत्र PDF PDF Image

पीएमओएसमध्ये पिंच-ऑफ स्थितीत इन्व्हर्जन लेयर चार्ज उपाय

चरण 0: पूर्व-गणन सारांश

फॉर्म्युला वापरले जाते

इन्व्हर्जन लेयर चार्ज = -ऑक्साइड कॅपेसिटन्स*(गेट आणि स्रोत दरम्यान व्होल्टेज-थ्रेशोल्ड व्होल्टेज-ड्रेन आणि स्त्रोत दरम्यान व्होल्टेज)
Q_p = -C_ox*(V_GS-V_T-V_DS)
हे सूत्र 5 व्हेरिएबल्स वापरते

व्हेरिएबल्स वापरलेले

इन्व्हर्जन लेयर चार्ज - (मध्ये मोजली कुलंब प्रति चौरस मीटर) - गेट इलेक्ट्रोडवर व्होल्टेज लागू केल्यावर सेमीकंडक्टर आणि इन्सुलेटिंग ऑक्साईड लेयर यांच्यातील इंटरफेसमध्ये चार्ज वाहकांच्या संचयनाला इनव्हर्जन लेयर चार्ज सूचित करते.
ऑक्साइड कॅपेसिटन्स - (मध्ये मोजली फॅरड) - ऑक्साइड कॅपेसिटन्स हा एक महत्त्वाचा पॅरामीटर आहे जो एमओएस उपकरणांच्या कार्यक्षमतेवर परिणाम करतो, जसे की एकात्मिक सर्किट्सचा वेग आणि वीज वापर.
गेट आणि स्रोत दरम्यान व्होल्टेज - (मध्ये मोजली व्होल्ट) - फील्ड-इफेक्ट ट्रान्झिस्टर (FET) चे गेट आणि स्त्रोत यांच्यातील व्होल्टेज गेट-सोर्स व्होल्टेज (VGS) म्हणून ओळखले जाते. हे एक महत्त्वाचे पॅरामीटर आहे जे FET च्या ऑपरेशनवर परिणाम करते.
थ्रेशोल्ड व्होल्टेज - (मध्ये मोजली व्होल्ट) - थ्रेशोल्ड व्होल्टेज, ज्याला गेट थ्रेशोल्ड व्होल्टेज किंवा फक्त Vth असेही म्हटले जाते, हे फील्ड-इफेक्ट ट्रान्झिस्टरच्या ऑपरेशनमध्ये एक महत्त्वपूर्ण पॅरामीटर आहे, जे आधुनिक इलेक्ट्रॉनिक्समधील मूलभूत घटक आहेत.
ड्रेन आणि स्त्रोत दरम्यान व्होल्टेज - (मध्ये मोजली व्होल्ट) - ड्रेन आणि सोर्स मधील व्होल्टेज हे फील्ड-इफेक्ट ट्रान्झिस्टर (FET) च्या ऑपरेशनमध्ये एक प्रमुख पॅरामीटर आहे आणि बहुतेकदा "ड्रेन-सोर्स व्होल्टेज" किंवा VDS म्हणून ओळखले जाते.

चरण 1: इनपुट ला बेस युनिटमध्ये रूपांतरित करा

ऑक्साइड कॅपेसिटन्स: 0.0008 फॅरड --> 0.0008 फॅरड कोणतेही रूपांतरण आवश्यक नाही
गेट आणि स्रोत दरम्यान व्होल्टेज: 2.86 व्होल्ट --> 2.86 व्होल्ट कोणतेही रूपांतरण आवश्यक नाही
थ्रेशोल्ड व्होल्टेज: 0.7 व्होल्ट --> 0.7 व्होल्ट कोणतेही रूपांतरण आवश्यक नाही
ड्रेन आणि स्त्रोत दरम्यान व्होल्टेज: 2.45 व्होल्ट --> 2.45 व्होल्ट कोणतेही रूपांतरण आवश्यक नाही

चरण 2: फॉर्म्युलाचे मूल्यांकन करा

फॉर्म्युलामध्ये इनपुट व्हॅल्यूजची स्थापना करणे

Q_p = -C_ox*(V_GS-V_T-V_DS) --> -0.0008*(2.86-0.7-2.45)

मूल्यांकन करत आहे ... ...

Q_p = 0.000232

चरण 3: निकाल आउटपुटच्या युनिटमध्ये रूपांतरित करा

0.000232 कुलंब प्रति चौरस मीटर --> कोणतेही रूपांतरण आवश्यक नाही

अंतिम उत्तर

0.000232 कुलंब प्रति चौरस मीटर <-- इन्व्हर्जन लेयर चार्ज

(गणना 00.020 सेकंदात पूर्ण झाली)

आपण येथे आहात -

होम » अभियांत्रिकी » इलेक्ट्रॉनिक्स » MOSFET » अॅनालॉग इलेक्ट्रॉनिक्स » पी-चॅनल सुधारणा » पीएमओएसमध्ये पिंच-ऑफ स्थितीत इन्व्हर्जन लेयर चार्ज

जमा

ने निर्मित अमन धुसावत

गुरु तेग बहादूर इन्स्टिट्यूट ऑफ टेक्नॉलॉजी (GTBIT), नवी दिल्ली

अमन धुसावत यांनी हे कॅल्क्युलेटर आणि 50+ अधिक कॅल्क्युलेटर तयार केले आहेत!

द्वारे सत्यापित परमिंदर सिंग

चंदीगड विद्यापीठ (CU), पंजाब

परमिंदर सिंग यानी हे कॅल्क्युलेटर आणि 500+ अधिक कॅल्क्युलेटर सत्यापित केले आहेत।

< 15 पी-चॅनल सुधारणा कॅल्क्युलेटर

पीएमओएस ट्रान्झिस्टरचा एकूण ड्रेन करंट

जा ड्रेन करंट = 1/2*PMOS मध्ये प्रक्रिया ट्रान्सकंडक्टन्स पॅरामीटर*प्रसर गुणोत्तर*(गेट आणि स्रोत दरम्यान व्होल्टेज-modulus(थ्रेशोल्ड व्होल्टेज))^2*(1+ड्रेन आणि स्त्रोत दरम्यान व्होल्टेज/modulus(लवकर व्होल्टेज))

पीएमओएस ट्रान्झिस्टरच्या ट्रायोड प्रदेशात प्रवाह प्रवाह

जा ड्रेन करंट = PMOS मध्ये प्रक्रिया ट्रान्सकंडक्टन्स पॅरामीटर*प्रसर गुणोत्तर*((गेट आणि स्रोत दरम्यान व्होल्टेज-modulus(थ्रेशोल्ड व्होल्टेज))*ड्रेन आणि स्त्रोत दरम्यान व्होल्टेज-1/2*(ड्रेन आणि स्त्रोत दरम्यान व्होल्टेज)^2)

PMOS मध्ये शरीराचा प्रभाव

जा थ्रेशोल्ड व्होल्टेजमध्ये बदल = थ्रेशोल्ड व्होल्टेज+फॅब्रिकेशन प्रक्रिया पॅरामीटर*(sqrt(2*भौतिक मापदंड+शरीर आणि स्रोत दरम्यान व्होल्टेज)-sqrt(2*भौतिक मापदंड))

पीएमओएस ट्रान्झिस्टरच्या ट्रायोड क्षेत्रामध्ये ड्रेन करंट दिलेला Vsd

जा ड्रेन करंट = PMOS मध्ये प्रक्रिया ट्रान्सकंडक्टन्स पॅरामीटर*प्रसर गुणोत्तर*(modulus(प्रभावी व्होल्टेज)-1/2*ड्रेन आणि स्त्रोत दरम्यान व्होल्टेज)*ड्रेन आणि स्त्रोत दरम्यान व्होल्टेज

पीएमओएस ट्रान्झिस्टरच्या संतृप्ति क्षेत्रामध्ये प्रवाह प्रवाह

जा संपृक्तता निचरा वर्तमान = 1/2*PMOS मध्ये प्रक्रिया ट्रान्सकंडक्टन्स पॅरामीटर*प्रसर गुणोत्तर*(गेट आणि स्रोत दरम्यान व्होल्टेज-modulus(थ्रेशोल्ड व्होल्टेज))^2

PMOS मध्ये बॅकगेट इफेक्ट पॅरामीटर

जा बॅकगेट इफेक्ट पॅरामीटर = sqrt(2*[Permitivity-vacuum]*[Charge-e]*दात्याची एकाग्रता)/ऑक्साइड कॅपेसिटन्स

पीएमओएसमध्ये पिंच-ऑफ स्थितीत इन्व्हर्जन लेयर चार्ज

जा इन्व्हर्जन लेयर चार्ज = -ऑक्साइड कॅपेसिटन्स*(गेट आणि स्रोत दरम्यान व्होल्टेज-थ्रेशोल्ड व्होल्टेज-ड्रेन आणि स्त्रोत दरम्यान व्होल्टेज)

स्त्रोतापासून नाल्याकडे प्रवाह काढा

जा ड्रेन करंट = (जंक्शनची रुंदी*इन्व्हर्जन लेयर चार्ज*चॅनेलमधील छिद्रांची गतिशीलता*चॅनेलमधील इलेक्ट्रिक फील्डचा क्षैतिज घटक)

पीएमओएस ट्रान्झिस्टरच्या सॅच्युरेशन क्षेत्रामध्ये प्रवाहित प्रवाह दिलेला Vov

जा संपृक्तता निचरा वर्तमान = 1/2*PMOS मध्ये प्रक्रिया ट्रान्सकंडक्टन्स पॅरामीटर*प्रसर गुणोत्तर*(प्रभावी व्होल्टेज)^2

पीएमओएसमध्ये इनव्हर्शन लेयर चार्ज

जा इन्व्हर्जन लेयर चार्ज = -ऑक्साइड कॅपेसिटन्स*(गेट आणि स्रोत दरम्यान व्होल्टेज-थ्रेशोल्ड व्होल्टेज)

पीएमओएसचा ओव्हरड्राइव्ह व्होल्टेज

जा प्रभावी व्होल्टेज = गेट आणि स्रोत दरम्यान व्होल्टेज-modulus(थ्रेशोल्ड व्होल्टेज)

पीएमओएसच्या इनव्हर्जन चॅनेलमधील वर्तमान

जा ड्रेन करंट = (जंक्शनची रुंदी*इन्व्हर्जन लेयर चार्ज*उलट्याचा प्रवाह वेग)

PMOS चे प्रक्रिया ट्रान्सकंडक्टन्स पॅरामीटर

जा PMOS मध्ये प्रक्रिया ट्रान्सकंडक्टन्स पॅरामीटर = चॅनेलमधील छिद्रांची गतिशीलता*ऑक्साइड कॅपेसिटन्स

PMOS च्या इनव्हर्शन चॅनेलमध्ये वर्तमान दिलेली गतिशीलता

जा उलट्याचा प्रवाह वेग = चॅनेलमधील छिद्रांची गतिशीलता*चॅनेलमधील इलेक्ट्रिक फील्डचा क्षैतिज घटक

पीएनपी ट्रान्झिस्टरचा संक्रमण वेळ

जा संक्रमण वेळ = पाया रुंदी^2/(2*PNP साठी प्रसार स्थिरांक)

पीएमओएसमध्ये पिंच-ऑफ स्थितीत इन्व्हर्जन लेयर चार्ज सुत्र

इन्व्हर्जन लेयर चार्ज = -ऑक्साइड कॅपेसिटन्स*(गेट आणि स्रोत दरम्यान व्होल्टेज-थ्रेशोल्ड व्होल्टेज-ड्रेन आणि स्त्रोत दरम्यान व्होल्टेज)
Q_p = -C_ox*(V_GS-V_T-V_DS)

होम

फुकट पीडीएफ

🔍 शोधा

श्रेण्या

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!