MOSFET च्या चॅनेलमध्ये इलेक्ट्रॉन चार्जचे परिमाण उपाय

चरण 0: पूर्व-गणन सारांश
फॉर्म्युला वापरले जाते
चॅनेलमध्ये इलेक्ट्रॉन चार्ज = ऑक्साइड कॅपेसिटन्स*चॅनेल रुंदी*चॅनेलची लांबी*प्रभावी व्होल्टेज
Qe = Cox*Wc*L*Veff
हे सूत्र 5 व्हेरिएबल्स वापरते
व्हेरिएबल्स वापरलेले
चॅनेलमध्ये इलेक्ट्रॉन चार्ज - (मध्ये मोजली कुलम्ब ) - चॅनेलमधील इलेक्ट्रॉन चार्ज म्हणजे डिव्हाइसमध्ये वापरल्या जाणार्‍या सेमीकंडक्टर सामग्रीच्या वहन बँडमध्ये इलेक्ट्रॉनद्वारे वाहून घेतलेल्या चार्जच्या प्रमाणाचा संदर्भ आहे.
ऑक्साइड कॅपेसिटन्स - (मध्ये मोजली फॅरड) - ऑक्साइड कॅपेसिटन्स हा एक महत्त्वाचा पॅरामीटर आहे जो एमओएस उपकरणांच्या कार्यक्षमतेवर परिणाम करतो, जसे की एकात्मिक सर्किट्सचा वेग आणि वीज वापर.
चॅनेल रुंदी - (मध्ये मोजली मीटर) - चॅनेलची रुंदी वायरलेस कम्युनिकेशन चॅनेलवर डेटा प्रसारित करण्यासाठी वापरल्या जाणार्‍या फ्रिक्वेन्सीच्या श्रेणीचा संदर्भ देते. हे बँडविड्थ म्हणून देखील ओळखले जाते आणि हर्ट्झ (Hz) मध्ये मोजले जाते.
चॅनेलची लांबी - (मध्ये मोजली मीटर) - चॅनेलची लांबी फील्ड-इफेक्ट ट्रान्झिस्टर (FET) मध्ये स्त्रोत आणि ड्रेन टर्मिनल्समधील अंतर दर्शवते.
प्रभावी व्होल्टेज - (मध्ये मोजली व्होल्ट) - MOSFET (मेटल-ऑक्साइड-सेमीकंडक्टर फील्ड-इफेक्ट ट्रान्झिस्टर) मधील प्रभावी व्होल्टेज हे व्होल्टेज आहे जे डिव्हाइसचे वर्तन ठरवते. हे गेट-स्रोत व्होल्टेज म्हणून देखील ओळखले जाते.
चरण 1: इनपुट ला बेस युनिटमध्ये रूपांतरित करा
ऑक्साइड कॅपेसिटन्स: 940 मायक्रोफरॅड --> 0.00094 फॅरड (रूपांतरण तपासा ​येथे)
चॅनेल रुंदी: 10 मायक्रोमीटर --> 1E-05 मीटर (रूपांतरण तपासा ​येथे)
चॅनेलची लांबी: 100 मायक्रोमीटर --> 0.0001 मीटर (रूपांतरण तपासा ​येथे)
प्रभावी व्होल्टेज: 1.7 व्होल्ट --> 1.7 व्होल्ट कोणतेही रूपांतरण आवश्यक नाही
चरण 2: फॉर्म्युलाचे मूल्यांकन करा
फॉर्म्युलामध्ये इनपुट व्हॅल्यूजची स्थापना करणे
Qe = Cox*Wc*L*Veff --> 0.00094*1E-05*0.0001*1.7
मूल्यांकन करत आहे ... ...
Qe = 1.598E-12
चरण 3: निकाल आउटपुटच्या युनिटमध्ये रूपांतरित करा
1.598E-12 कुलम्ब -->1.598 पिको कुलम्ब (रूपांतरण तपासा ​येथे)
अंतिम उत्तर
1.598 पिको कुलम्ब <-- चॅनेलमध्ये इलेक्ट्रॉन चार्ज
(गणना 00.004 सेकंदात पूर्ण झाली)

जमा

Creator Image
ने निर्मित पायल प्रिया
बिरसा तंत्रज्ञान तंत्रज्ञान संस्था (बिट), सिंदरी
पायल प्रिया यांनी हे कॅल्क्युलेटर आणि 600+ अधिक कॅल्क्युलेटर तयार केले आहेत!
Verifier Image
द्वारे सत्यापित उर्वी राठोड
विश्वकर्मा शासकीय अभियांत्रिकी महाविद्यालय (व्हीजीईसी), अहमदाबाद
उर्वी राठोड यानी हे कॅल्क्युलेटर आणि 1900+ अधिक कॅल्क्युलेटर सत्यापित केले आहेत।

अंतर्गत कॅपेसिटिव्ह प्रभाव आणि उच्च वारंवारता मॉडेल कॅल्क्युलेटर

MOSFET ची संक्रमण वारंवारता
​ LaTeX ​ जा संक्रमण वारंवारता = Transconductance/(2*pi*(स्त्रोत गेट कॅपेसिटन्स+गेट-ड्रेन कॅपेसिटन्स))
MOSFET च्या स्त्रोत चॅनेल रुंदीचे गेट
​ LaTeX ​ जा चॅनेल रुंदी = ओव्हरलॅप कॅपेसिटन्स/(ऑक्साइड कॅपेसिटन्स*ओव्हरलॅप लांबी)
MOSFETs च्या गेट आणि चॅनेल दरम्यान एकूण क्षमता
​ LaTeX ​ जा गेट चॅनेल कॅपेसिटन्स = ऑक्साइड कॅपेसिटन्स*चॅनेल रुंदी*चॅनेलची लांबी
MOSFET चे ओव्हरलॅप कॅपेसिटन्स
​ LaTeX ​ जा ओव्हरलॅप कॅपेसिटन्स = चॅनेल रुंदी*ऑक्साइड कॅपेसिटन्स*ओव्हरलॅप लांबी

MOSFET च्या चॅनेलमध्ये इलेक्ट्रॉन चार्जचे परिमाण सुत्र

​LaTeX ​जा
चॅनेलमध्ये इलेक्ट्रॉन चार्ज = ऑक्साइड कॅपेसिटन्स*चॅनेल रुंदी*चॅनेलची लांबी*प्रभावी व्होल्टेज
Qe = Cox*Wc*L*Veff

समांतर-प्लेट कॅपेसिटर बनविणार्‍या एमओएसएफईटीच्या चॅनेल प्रदेशाची संपूर्ण प्रक्रिया स्पष्ट करा.

मॉसफेटचा गेट आणि चॅनेल प्रदेश एक समांतर-प्लेट कॅपेसिटर बनवितो, ज्यामध्ये ऑक्साइड लेयर कपॅसिटर डायलेक्ट्रिक म्हणून काम करते. सकारात्मक गेट व्होल्टेजमुळे कॅपेसिटरच्या शीर्ष प्लेटवर (गेट इलेक्ट्रोड) सकारात्मक शुल्क जमा होते. तळाशी प्लेटवर संबंधित नकारात्मक शुल्क प्रेरित वाहिनीमधील इलेक्ट्रॉनद्वारे तयार केले जाते. अशा प्रकारे विद्युत क्षेत्र अनुलंब दिशेने विकसित होते. हे हे क्षेत्र आहे जे चॅनेलमधील शुल्काचे प्रमाण नियंत्रित करते आणि यामुळे ते चॅनेलची चालकता निश्चित करते आणि यामधून विद्युतवाहिनी लागू होते तेव्हा वाहिनीमधून वाहते जाणारे प्रवाह चालू होते.

Let Others Know
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!