कॅलक्यूलेटर ए टू झेड
🔍
डाउनलोड करा PDF
रसायनशास्त्र
अभियांत्रिकी
आर्थिक
आरोग्य
गणित
भौतिकशास्त्र
Mosfet च्या मिलर क्षमता कॅल्क्युलेटर
अभियांत्रिकी
आरोग्य
आर्थिक
खेळाचे मैदान
गणित
भौतिकशास्त्र
रसायनशास्त्र
↳
इलेक्ट्रॉनिक्स
इलेक्ट्रॉनिक्स आणि इन्स्ट्रुमेंटेशन
उत्पादन अभियांत्रिकी
दिवाणी
पदार्थ विज्ञान
यांत्रिकी
रासायनिक अभियांत्रिकी
विद्युत
⤿
अॅनालॉग इलेक्ट्रॉनिक्स
CMOS डिझाइन आणि अनुप्रयोग
अँटेना
अॅनालॉग कम्युनिकेशन्स
अॅम्प्लीफायर
आरएफ मायक्रोइलेक्ट्रॉनिक
इंटिग्रेटेड सर्किट्स (IC)
इलेक्ट्रोमॅग्नेटिक फील्ड सिद्धांत
ईडीसी
उपग्रह संप्रेषण
एम्बेडेड प्रणाली
ऑप्टिकल फायबर डिझाइन
ऑप्टो इलेक्ट्रॉनिक्स उपकरणे
घन राज्य साधने
टेलिकम्युनिकेशन स्विचिंग सिस्टम
ट्रान्समिशन लाइन आणि अँटेना
डिजिटल कम्युनिकेशन
डिजिटल प्रतिमा प्रक्रिया
दूरदर्शन अभियांत्रिकी
नियंत्रण यंत्रणा
पॉवर इलेक्ट्रॉनिक्स
फायबर ऑप्टिक ट्रान्समिशन
मायक्रोवेव्ह सिद्धांत
माहिती सिद्धांत आणि कोडिंग
रडार सिस्टम
वायरलेस कम्युनिकेशन
व्हीएलएसआय फॅब्रिकेशन
सिग्नल आणि सिस्टम्स
⤿
MOSFET
बीजेटी
⤿
अंतर्गत कॅपेसिटिव्ह प्रभाव आणि उच्च वारंवारता मॉडेल
MOSFET वैशिष्ट्ये
Transconductance
एन-चॅनल सुधारणा
एमओएस ट्रान्झिस्टर
कॉमन मोड रिजेक्शन रेशो (सीएमआरआर)
चालू
पी-चॅनल सुधारणा
प्रतिकार
प्रवर्धन घटक/नफा
बायसिंग
लहान सिग्नल विश्लेषण
विद्युतदाब
✖
गेट-ड्रेन कॅपेसिटन्स हा एक परजीवी कॅपेसिटन्स आहे जो फील्ड-इफेक्ट ट्रान्झिस्टर (FET) च्या गेट आणि ड्रेन इलेक्ट्रोड दरम्यान अस्तित्वात आहे.
ⓘ
गेट-ड्रेन कॅपेसिटन्स [C
gd
]
Abफॅरड
अट्टोफरद
सेंटीफरॅड
कुलम्ब/व्होल्ट
डेकफरॅड
डेसिफरॅड
कॅपॅसिटन्सचा EMU
कॅपॅसिटन्सचा ESU
एक्साफॅरड
फॅरड
फेमटोफॅरड
गिगाफराड
हेक्टोफरॅड
किलोफरड
मेगाफराड
मायक्रोफरॅड
मिलिफरद
नॅनोफरॅड
पेटाफॅरड
पिकोफॅरड
स्टॅटफॅरड
तेराफरद
+10%
-10%
✖
व्होल्टेज गेन हे अॅम्प्लीफायरद्वारे इलेक्ट्रिकल सिग्नलच्या प्रवर्धनाचे मोजमाप आहे. हे सर्किटच्या इनपुट व्होल्टेजचे आउटपुट व्होल्टेजचे गुणोत्तर आहे, डेसिबल (डीबी) मध्ये व्यक्त केले जाते.
ⓘ
व्होल्टेज वाढणे [A
v
]
+10%
-10%
✖
मिलर कॅपेसिटन्स हे मिलर प्रभावामुळे MOSFET अॅम्प्लिफायरचे समतुल्य इनपुट कॅपेसिटन्स आहे.
ⓘ
Mosfet च्या मिलर क्षमता [C
in
]
Abफॅरड
अट्टोफरद
सेंटीफरॅड
कुलम्ब/व्होल्ट
डेकफरॅड
डेसिफरॅड
कॅपॅसिटन्सचा EMU
कॅपॅसिटन्सचा ESU
एक्साफॅरड
फॅरड
फेमटोफॅरड
गिगाफराड
हेक्टोफरॅड
किलोफरड
मेगाफराड
मायक्रोफरॅड
मिलिफरद
नॅनोफरॅड
पेटाफॅरड
पिकोफॅरड
स्टॅटफॅरड
तेराफरद
⎘ कॉपी
पायर्या
👎
सुत्र
✖
Mosfet च्या मिलर क्षमता
सुत्र
`"C"_{"in"} = "C"_{"gd"}*("A"_{"v"}+1)`
उदाहरण
`"7.182μF"="7μF"*("0.026"+1)`
कॅल्क्युलेटर
LaTeX
रीसेट करा
👍
डाउनलोड करा MOSFET सुत्र PDF
Mosfet च्या मिलर क्षमता उपाय
चरण 0: पूर्व-गणन सारांश
फॉर्म्युला वापरले जाते
मिलर कॅपेसिटन्स
=
गेट-ड्रेन कॅपेसिटन्स
*(
व्होल्टेज वाढणे
+1)
C
in
=
C
gd
*(
A
v
+1)
हे सूत्र
3
व्हेरिएबल्स
वापरते
व्हेरिएबल्स वापरलेले
मिलर कॅपेसिटन्स
-
(मध्ये मोजली फॅरड)
- मिलर कॅपेसिटन्स हे मिलर प्रभावामुळे MOSFET अॅम्प्लिफायरचे समतुल्य इनपुट कॅपेसिटन्स आहे.
गेट-ड्रेन कॅपेसिटन्स
-
(मध्ये मोजली फॅरड)
- गेट-ड्रेन कॅपेसिटन्स हा एक परजीवी कॅपेसिटन्स आहे जो फील्ड-इफेक्ट ट्रान्झिस्टर (FET) च्या गेट आणि ड्रेन इलेक्ट्रोड दरम्यान अस्तित्वात आहे.
व्होल्टेज वाढणे
- व्होल्टेज गेन हे अॅम्प्लीफायरद्वारे इलेक्ट्रिकल सिग्नलच्या प्रवर्धनाचे मोजमाप आहे. हे सर्किटच्या इनपुट व्होल्टेजचे आउटपुट व्होल्टेजचे गुणोत्तर आहे, डेसिबल (डीबी) मध्ये व्यक्त केले जाते.
चरण 1: इनपुट ला बेस युनिटमध्ये रूपांतरित करा
गेट-ड्रेन कॅपेसिटन्स:
7 मायक्रोफरॅड --> 7E-06 फॅरड
(रूपांतरण तपासा
येथे
)
व्होल्टेज वाढणे:
0.026 --> कोणतेही रूपांतरण आवश्यक नाही
चरण 2: फॉर्म्युलाचे मूल्यांकन करा
फॉर्म्युलामध्ये इनपुट व्हॅल्यूजची स्थापना करणे
C
in
= C
gd
*(A
v
+1) -->
7E-06*(0.026+1)
मूल्यांकन करत आहे ... ...
C
in
= 7.182E-06
चरण 3: निकाल आउटपुटच्या युनिटमध्ये रूपांतरित करा
7.182E-06 फॅरड -->7.182 मायक्रोफरॅड
(रूपांतरण तपासा
येथे
)
अंतिम उत्तर
7.182 मायक्रोफरॅड
<--
मिलर कॅपेसिटन्स
(गणना 00.004 सेकंदात पूर्ण झाली)
आपण येथे आहात
-
होम
»
अभियांत्रिकी
»
इलेक्ट्रॉनिक्स
»
MOSFET
»
अॅनालॉग इलेक्ट्रॉनिक्स
»
अंतर्गत कॅपेसिटिव्ह प्रभाव आणि उच्च वारंवारता मॉडेल
»
Mosfet च्या मिलर क्षमता
जमा
ने निर्मित
सुमा माधुरी
व्हीआयटी विद्यापीठ
(VIT)
,
चेन्नई
सुमा माधुरी यांनी हे कॅल्क्युलेटर आणि 50+ अधिक कॅल्क्युलेटर तयार केले आहेत!
द्वारे सत्यापित
ऋत्विक त्रिपाठी
वेल्लोर इन्स्टिट्यूट ऑफ टेक्नॉलॉजी
(व्हीआयटी वेल्लोर)
,
वेल्लोर
ऋत्विक त्रिपाठी यानी हे कॅल्क्युलेटर आणि 100+ अधिक कॅल्क्युलेटर सत्यापित केले आहेत।
<
15 अंतर्गत कॅपेसिटिव्ह प्रभाव आणि उच्च वारंवारता मॉडेल कॅल्क्युलेटर
MOSFETs च्या चॅनेलचे संचालन
जा
चॅनेलचे संचालन
=
चॅनेलच्या पृष्ठभागावर इलेक्ट्रॉन्सची गतिशीलता
*
ऑक्साइड कॅपेसिटन्स
*(
चॅनेल रुंदी
/
चॅनेलची लांबी
)*
ऑक्साइड ओलांडून व्होल्टेज
MOSFET च्या चॅनेलमध्ये इलेक्ट्रॉन चार्जचे परिमाण
जा
चॅनेलमध्ये इलेक्ट्रॉन चार्ज
=
ऑक्साइड कॅपेसिटन्स
*
चॅनेल रुंदी
*
चॅनेलची लांबी
*
प्रभावी व्होल्टेज
MOSFET ची संक्रमण वारंवारता
जा
संक्रमण वारंवारता
=
Transconductance
/(2*
pi
*(
स्त्रोत गेट कॅपेसिटन्स
+
गेट-ड्रेन कॅपेसिटन्स
))
आउटपुट आरसी सर्किटमध्ये फेज शिफ्ट
जा
फेज शिफ्ट
=
arctan
(
कॅपेसिटिव्ह रिएक्टन्स
/(
प्रतिकार
+
लोड प्रतिकार
))
मॉस्फेटची कमी गंभीर वारंवारता
जा
कोपरा वारंवारता
= 1/(2*
pi
*(
प्रतिकार
+
इनपुट प्रतिकार
)*
क्षमता
)
आउटपुट मिलर कॅपेसिटन्स Mosfet
जा
आउटपुट मिलर कॅपेसिटन्स
=
गेट-ड्रेन कॅपेसिटन्स
*((
व्होल्टेज वाढणे
+1)/
व्होल्टेज वाढणे
)
MOSFET च्या स्त्रोत चॅनेल रुंदीचे गेट
जा
चॅनेल रुंदी
=
ओव्हरलॅप कॅपेसिटन्स
/(
ऑक्साइड कॅपेसिटन्स
*
ओव्हरलॅप लांबी
)
MOSFETs च्या गेट आणि चॅनेल दरम्यान एकूण क्षमता
जा
गेट चॅनेल कॅपेसिटन्स
=
ऑक्साइड कॅपेसिटन्स
*
चॅनेल रुंदी
*
चॅनेलची लांबी
MOSFET चे ओव्हरलॅप कॅपेसिटन्स
जा
ओव्हरलॅप कॅपेसिटन्स
=
चॅनेल रुंदी
*
ऑक्साइड कॅपेसिटन्स
*
ओव्हरलॅप लांबी
उच्च वारंवारता इनपुट आरसी सर्किटमध्ये गंभीर वारंवारता
जा
कोपरा वारंवारता
= 1/(2*
pi
*
इनपुट प्रतिकार
*
मिलर कॅपेसिटन्स
)
इनपुट आरसी सर्किटमध्ये फेज शिफ्ट
जा
फेज शिफ्ट
=
arctan
(
कॅपेसिटिव्ह रिएक्टन्स
/
इनपुट प्रतिकार
)
मॉस्फेटची कॅपेसिटिव्ह रिएक्टन्स
जा
कॅपेसिटिव्ह रिएक्टन्स
= 1/(2*
pi
*
वारंवारता
*
क्षमता
)
Mosfet च्या मिलर क्षमता
जा
मिलर कॅपेसिटन्स
=
गेट-ड्रेन कॅपेसिटन्स
*(
व्होल्टेज वाढणे
+1)
मोस्फेटची गंभीर वारंवारता
जा
डेसिबलमध्ये गंभीर वारंवारता
= 10*
log10
(
गंभीर वारंवारता
)
आरसी सर्किटचे क्षीणीकरण
जा
क्षीणता
=
बेस व्होल्टेज
/
इनपुट व्होल्टेज
Mosfet च्या मिलर क्षमता सुत्र
मिलर कॅपेसिटन्स
=
गेट-ड्रेन कॅपेसिटन्स
*(
व्होल्टेज वाढणे
+1)
C
in
=
C
gd
*(
A
v
+1)
होम
फुकट पीडीएफ
🔍
शोधा
श्रेण्या
शेयर
Let Others Know
✖
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!