Knooppuntspanning bij gegeven instantie Rekenmachine

✖Transconductantiefactor is een maatstaf voor hoeveel de uitgangsstroom van een apparaat verandert als reactie op een verandering in de ingangsspanning.ⓘ Transconductantiefactor [β]			+10% -10%
✖Knooppuntcapaciteit verwijst naar de totale capaciteit die is gekoppeld aan een specifiek knooppunt in een elektrisch circuit. Bij circuitanalyse is een knooppunt een punt waar twee of meer circuitelementen met elkaar verbonden zijn.ⓘ Knooppuntcapaciteit [C_y]			+10% -10%
✖Knooppuntweerstand verwijst naar de equivalente weerstand die is gekoppeld aan een specifiek knooppunt in een elektrisch circuit. Bij circuitanalyse is een knooppunt een punt waar twee of meer circuitelementen met elkaar verbonden zijn.ⓘ Knooppunt weerstand [R_y]			+10% -10%
✖Tijdsperiode verwijst naar de duur van één volledige cyclus van een periodieke golfvorm.ⓘ Tijdsperiode [T]			+10% -10%
✖De huidige stroom die naar het knooppunt stroomt, verwijst naar de nettostroom van elektrische stroom die dat specifieke knooppunt binnenkomt. Een knooppunt is een punt binnen het circuit waar twee of meer circuitelementen aanwezig zijn.ⓘ Stroom stroomt naar knooppunt [I_dd[x]]			+10% -10%

✖Knooppuntspanning bij gegeven instantie verwijst naar de elektrische potentiaal (spanning) op een specifiek punt of knooppunt binnen het circuit, ook wel een knooppunt genoemd.ⓘ Knooppuntspanning bij gegeven instantie [V_y[t]]

⎘ Kopiëren

👎

Formule

✖

Knooppuntspanning bij gegeven instantie

Formule

`("V"_{"y"}"[t]") = ("β"/"C"_{"y"})*int(exp(-(1/("R"_{"y"}*"C"_{"y"}))*("T"-x))*("I"_{"dd"}"[x]")*x,x,0,"T")`

Voorbeeld

`"0.078579V"=("0.432S"/"237μF")*int(exp(-(1/("43kΩ"*"237μF"))*("5.61ms"-x))*"2.74A"*x,x,0,"5.61ms")`

Rekenmachine

LaTeX

Reset

👍

Downloaden MOSFET Formule Pdf PDF Image

Knooppuntspanning bij gegeven instantie Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening

Formule gebruikt

Knooppuntspanning bij gegeven instantie = (Transconductantiefactor/Knooppuntcapaciteit)*int(exp(-(1/(Knooppunt weerstand*Knooppuntcapaciteit))*(Tijdsperiode-x))*Stroom stroomt naar knooppunt*x,x,0,Tijdsperiode)
V_y[t] = (β/C_y)*int(exp(-(1/(R_y*C_y))*(T-x))*I_dd[x]*x,x,0,T)
Deze formule gebruikt 2 Functies, 6 Variabelen

Functies die worden gebruikt

exp - Bij een exponentiële functie verandert de waarde van de functie met een constante factor voor elke eenheidsverandering in de onafhankelijke variabele., exp(Number)
int - De definitieve integraal kan worden gebruikt om het netto ondertekende gebied te berekenen, dat wil zeggen het gebied boven de x-as minus het gebied onder de x-as., int(expr, arg, from, to)

Variabelen gebruikt

Knooppuntspanning bij gegeven instantie - (Gemeten in Volt) - Knooppuntspanning bij gegeven instantie verwijst naar de elektrische potentiaal (spanning) op een specifiek punt of knooppunt binnen het circuit, ook wel een knooppunt genoemd.
Transconductantiefactor - (Gemeten in Siemens) - Transconductantiefactor is een maatstaf voor hoeveel de uitgangsstroom van een apparaat verandert als reactie op een verandering in de ingangsspanning.
Knooppuntcapaciteit - (Gemeten in Farad) - Knooppuntcapaciteit verwijst naar de totale capaciteit die is gekoppeld aan een specifiek knooppunt in een elektrisch circuit. Bij circuitanalyse is een knooppunt een punt waar twee of meer circuitelementen met elkaar verbonden zijn.
Knooppunt weerstand - (Gemeten in Ohm) - Knooppuntweerstand verwijst naar de equivalente weerstand die is gekoppeld aan een specifiek knooppunt in een elektrisch circuit. Bij circuitanalyse is een knooppunt een punt waar twee of meer circuitelementen met elkaar verbonden zijn.
Tijdsperiode - (Gemeten in Seconde) - Tijdsperiode verwijst naar de duur van één volledige cyclus van een periodieke golfvorm.
Stroom stroomt naar knooppunt - (Gemeten in Ampère) - De huidige stroom die naar het knooppunt stroomt, verwijst naar de nettostroom van elektrische stroom die dat specifieke knooppunt binnenkomt. Een knooppunt is een punt binnen het circuit waar twee of meer circuitelementen aanwezig zijn.

STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid

Transconductantiefactor: 0.432 Siemens --> 0.432 Siemens Geen conversie vereist
Knooppuntcapaciteit: 237 Microfarad --> 0.000237 Farad (Bekijk de conversie hier)
Knooppunt weerstand: 43 Kilohm --> 43000 Ohm (Bekijk de conversie hier)
Tijdsperiode: 5.61 milliseconde --> 0.00561 Seconde (Bekijk de conversie hier)
Stroom stroomt naar knooppunt: 2.74 Ampère --> 2.74 Ampère Geen conversie vereist

STAP 2: Evalueer de formule

Invoerwaarden in formule vervangen

V_y[t] = (β/C_y)*int(exp(-(1/(R_y*C_y))*(T-x))*I_dd[x]*x,x,0,T) --> (0.432/0.000237)*int(exp(-(1/(43000*0.000237))*(0.00561-x))*2.74*x,x,0,0.00561)

Evalueren ... ...

V_y[t] = 0.0785790880040371

STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer

0.0785790880040371 Volt --> Geen conversie vereist

DEFINITIEVE ANTWOORD

0.0785790880040371 ≈ 0.078579 Volt <-- Knooppuntspanning bij gegeven instantie

(Berekening voltooid in 00.004 seconden)

Je bevindt je hier -

Huis » Engineering » Elektronica » MOSFET » Analoge elektronica » MOS-transistor » Knooppuntspanning bij gegeven instantie

Credits

Gemaakt door banuprakash

Dayananda Sagar College of Engineering (DSCE), Bangalore

banuprakash heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 50+ meer rekenmachines!

Geverifieërd door Dipanjona Mallick

Erfgoedinstituut voor technologie (HITK), Calcutta

Dipanjona Mallick heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 50+ rekenmachines!

< 21 MOS-transistor Rekenmachines

Equivalentiefactor voor zijwandspanning

Gaan Equivalentiefactor voor zijwandspanning = -(2*sqrt(Ingebouwd potentieel van zijwandverbindingen)/(Eindspanning-Initiële spanning)*(sqrt(Ingebouwd potentieel van zijwandverbindingen-Eindspanning)-sqrt(Ingebouwd potentieel van zijwandverbindingen-Initiële spanning)))

Trek de stroom in het lineaire gebied naar beneden

Gaan Lineaire regio pull-downstroom = sum(x,0,Aantal parallelle drivertransistors,(Elektronenmobiliteit*Oxidecapaciteit/2)*(Kanaalbreedte/Kanaallengte)*(2*(Poortbronspanning-Drempelspanning)*Uitgangsspanning-Uitgangsspanning^2))

Knooppuntspanning bij gegeven instantie

Gaan Knooppuntspanning bij gegeven instantie = (Transconductantiefactor/Knooppuntcapaciteit)*int(exp(-(1/(Knooppunt weerstand*Knooppuntcapaciteit))*(Tijdsperiode-x))*Stroom stroomt naar knooppunt*x,x,0,Tijdsperiode)

Trek de stroom in het verzadigingsgebied naar beneden

Gaan Verzadigingsregio Pull-downstroom = sum(x,0,Aantal parallelle drivertransistors,(Elektronenmobiliteit*Oxidecapaciteit/2)*(Kanaalbreedte/Kanaallengte)*(Poortbronspanning-Drempelspanning)^2)

Verzadigingstijd

Gaan Verzadigingstijd = -2*Belastingscapaciteit/(Transconductantieprocesparameter*(Hoge uitgangsspanning-Drempelspanning)^2)*int(1,x,Hoge uitgangsspanning,Hoge uitgangsspanning-Drempelspanning)

Ladingsdichtheid van het uitputtingsgebied

Gaan Dichtheid van de lading van de uitputtingslaag = (sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*Dopingconcentratie van acceptor*modulus(Oppervlaktepotentieel-Bulk Fermi-potentieel)))

Tijdvertraging wanneer NMOS in een lineair gebied werkt

Gaan Lineair gebied in tijdvertraging = -2*Verbindingscapaciteit*int(1/(Transconductantieprocesparameter*(2*(Ingangsspanning-Drempelspanning)*x-x^2)),x,Initiële spanning,Eindspanning)

Afvoerstroom die door de MOS-transistor vloeit

Gaan Afvoerstroom = (Kanaalbreedte/Kanaallengte)*Elektronenmobiliteit*Oxidecapaciteit*int((Poortbronspanning-x-Drempelspanning),x,0,Afvoerbronspanning)

Diepte van de uitputtingsregio geassocieerd met afvoer

Gaan De diepte van het uitputtingsgebied van de drain = sqrt((2*[Permitivity-silicon]*(Ingebouwd verbindingspotentieel+Afvoerbronspanning))/([Charge-e]*Dopingconcentratie van acceptor))

Fermi-potentieel voor N-type

Gaan Fermi-potentieel voor N-type = ([BoltZ]*Absolute temperatuur)/[Charge-e]*ln(Concentratie van donordoteringsmiddelen/Intrinsieke dragerconcentratie)

Afvoerstroom in verzadigingsgebied in MOS-transistor

Gaan Verzadigingsgebied Afvoerstroom = Kanaalbreedte*Verzadiging Elektronendriftsnelheid*int(Aanval*Korte kanaalparameter,x,0,Effectieve kanaallengte)

Fermi-potentieel voor P-type

Gaan Fermi-potentieel voor P-type = ([BoltZ]*Absolute temperatuur)/[Charge-e]*ln(Intrinsieke dragerconcentratie/Dopingconcentratie van acceptor)

Maximale uitputtingsdiepte

Gaan Maximale uitputtingsdiepte = sqrt((2*[Permitivity-silicon]*modulus(2*Bulk Fermi-potentieel))/([Charge-e]*Dopingconcentratie van acceptor))

Equivalente grote signaalcapaciteit

Gaan Equivalente grote signaalcapaciteit = (1/(Eindspanning-Initiële spanning))*int(Verbindingscapaciteit*x,x,Initiële spanning,Eindspanning)

Ingebouwd potentieel in de uitputtingsregio

Gaan Ingebouwde spanning = -(sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*Dopingconcentratie van acceptor*modulus(-2*Bulk Fermi-potentieel)))

Diepte van de uitputtingsregio geassocieerd met bron

Gaan Bron's diepte van de uitputtingsregio = sqrt((2*[Permitivity-silicon]*Ingebouwd verbindingspotentieel)/([Charge-e]*Dopingconcentratie van acceptor))

Substraat bias-coëfficiënt

Gaan Substraat bias-coëfficiënt = sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*Dopingconcentratie van acceptor)/Oxidecapaciteit

Gemiddeld vermogen dat in de loop van de tijd wordt gedissipeerd

Gaan Gemiddeld vermogen = (1/Totale tijd besteed)*int(Spanning*Huidig,x,0,Totale tijd genomen)

Equivalente grote signaalverbindingscapaciteit

Gaan Equivalente grote signaalverbindingscapaciteit = Omtrek van zijwand*Zijwandverbindingscapaciteit*Equivalentiefactor voor zijwandspanning

Werkfunctie in MOSFET

Gaan Werk functie = Vacuümniveau+(Energieniveau van de geleidingsband-Fermi-niveau)

Nul bias zijwandverbindingscapaciteit per lengte-eenheid

Gaan Zijwandverbindingscapaciteit = Zero Bias zijwandverbindingspotentieel*Diepte van zijwand

Knooppuntspanning bij gegeven instantie Formule

Huis

VRIJ PDF's

🔍 Zoeken

Categorieën

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!