Tensione del nodo in una determinata istanza calcolatrice

✖Il fattore di transconduttanza è una misura di quanto cambia la corrente di uscita di un dispositivo in risposta a una variazione della tensione di ingresso.ⓘ Fattore di transconduttanza [β]			+10% -10%
✖La capacità del nodo si riferisce alla capacità totale associata a un nodo specifico in un circuito elettrico. Nell'analisi dei circuiti, un nodo è un punto in cui due o più elementi del circuito si collegano.ⓘ Capacità del nodo [C_y]			+10% -10%
✖La resistenza del nodo si riferisce alla resistenza equivalente associata a un nodo specifico in un circuito elettrico. Nell'analisi dei circuiti, un nodo è un punto in cui due o più elementi del circuito si collegano.ⓘ Resistenza del nodo [R_y]			+10% -10%
✖Il periodo di tempo si riferisce alla durata di un ciclo completo di una forma d'onda periodica.ⓘ Periodo di tempo [T]			+10% -10%
✖La corrente che scorre nel nodo si riferisce al flusso netto di corrente elettrica che entra in quel nodo specifico. Un nodo è un punto all'interno del circuito in cui si trovano due o più elementi del circuito.ⓘ Corrente che scorre nel nodo [I_dd[x]]			+10% -10%

✖La tensione del nodo in una determinata istanza si riferisce al potenziale elettrico (tensione) in un punto o giunzione specifico all'interno del circuito, noto come nodo.ⓘ Tensione del nodo in una determinata istanza [V_y[t]]

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Formula

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Tensione del nodo in una determinata istanza

Formula

`("V"_{"y"}"[t]") = ("β"/"C"_{"y"})*int(exp(-(1/("R"_{"y"}*"C"_{"y"}))*("T"-x))*("I"_{"dd"}"[x]")*x,x,0,"T")`

Esempio

`"0.078579V"=("0.432S"/"237μF")*int(exp(-(1/("43kΩ"*"237μF"))*("5.61ms"-x))*"2.74A"*x,x,0,"5.61ms")`

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Tensione del nodo in una determinata istanza Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo

Formula utilizzata

Tensione del nodo in una determinata istanza = (Fattore di transconduttanza/Capacità del nodo)*int(exp(-(1/(Resistenza del nodo*Capacità del nodo))*(Periodo di tempo-x))*Corrente che scorre nel nodo*x,x,0,Periodo di tempo)
V_y[t] = (β/C_y)*int(exp(-(1/(R_y*C_y))*(T-x))*I_dd[x]*x,x,0,T)
Questa formula utilizza 2 Funzioni, 6 Variabili

Funzioni utilizzate

exp - In una funzione esponenziale, il valore della funzione cambia di un fattore costante per ogni variazione unitaria della variabile indipendente., exp(Number)
int - L'integrale definito può essere utilizzato per calcolare l'area netta con segno, ovvero l'area sopra l'asse x meno l'area sotto l'asse x., int(expr, arg, from, to)

Variabili utilizzate

Tensione del nodo in una determinata istanza - (Misurato in Volt) - La tensione del nodo in una determinata istanza si riferisce al potenziale elettrico (tensione) in un punto o giunzione specifico all'interno del circuito, noto come nodo.
Fattore di transconduttanza - (Misurato in Siemens) - Il fattore di transconduttanza è una misura di quanto cambia la corrente di uscita di un dispositivo in risposta a una variazione della tensione di ingresso.
Capacità del nodo - (Misurato in Farad) - La capacità del nodo si riferisce alla capacità totale associata a un nodo specifico in un circuito elettrico. Nell'analisi dei circuiti, un nodo è un punto in cui due o più elementi del circuito si collegano.
Resistenza del nodo - (Misurato in Ohm) - La resistenza del nodo si riferisce alla resistenza equivalente associata a un nodo specifico in un circuito elettrico. Nell'analisi dei circuiti, un nodo è un punto in cui due o più elementi del circuito si collegano.
Periodo di tempo - (Misurato in Secondo) - Il periodo di tempo si riferisce alla durata di un ciclo completo di una forma d'onda periodica.
Corrente che scorre nel nodo - (Misurato in Ampere) - La corrente che scorre nel nodo si riferisce al flusso netto di corrente elettrica che entra in quel nodo specifico. Un nodo è un punto all'interno del circuito in cui si trovano due o più elementi del circuito.

PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base

Fattore di transconduttanza: 0.432 Siemens --> 0.432 Siemens Nessuna conversione richiesta
Capacità del nodo: 237 Microfarad --> 0.000237 Farad (Controlla la conversione qui)
Resistenza del nodo: 43 Kilohm --> 43000 Ohm (Controlla la conversione qui)
Periodo di tempo: 5.61 Millisecondo --> 0.00561 Secondo (Controlla la conversione qui)
Corrente che scorre nel nodo: 2.74 Ampere --> 2.74 Ampere Nessuna conversione richiesta

FASE 2: valutare la formula

Sostituzione dei valori di input nella formula

V_y[t] = (β/C_y)*int(exp(-(1/(R_y*C_y))*(T-x))*I_dd[x]*x,x,0,T) --> (0.432/0.000237)*int(exp(-(1/(43000*0.000237))*(0.00561-x))*2.74*x,x,0,0.00561)

Valutare ... ...

V_y[t] = 0.0785790880040371

PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output

0.0785790880040371 Volt --> Nessuna conversione richiesta

RISPOSTA FINALE

0.0785790880040371 ≈ 0.078579 Volt <-- Tensione del nodo in una determinata istanza

(Calcolo completato in 00.004 secondi)

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Titoli di coda

Creato da banuprakash

Dayananda Sagar College di Ingegneria (DSCE), Bangalore

banuprakash ha creato questa calcolatrice e altre 50+ altre calcolatrici!

Verificato da Dipanjona Mallick

Heritage Institute of Technology (COLPO), Calcutta

Dipanjona Mallick ha verificato questa calcolatrice e altre 50+ altre calcolatrici!

< 21 Transistor MOS Calcolatrici

Fattore di equivalenza della tensione della parete laterale

Partire Fattore di equivalenza della tensione della parete laterale = -(2*sqrt(Potenziale integrato delle giunzioni delle pareti laterali)/(Voltaggio finale-Tensione iniziale)*(sqrt(Potenziale integrato delle giunzioni delle pareti laterali-Voltaggio finale)-sqrt(Potenziale integrato delle giunzioni delle pareti laterali-Tensione iniziale)))

Abbassa la corrente nella regione lineare

Partire Corrente di abbassamento della regione lineare = sum(x,0,Numero di transistor del driver parallelo,(Mobilità elettronica*Capacità dell'ossido/2)*(Larghezza del canale/Lunghezza del canale)*(2*(Tensione della sorgente di gate-Soglia di voltaggio)*Tensione di uscita-Tensione di uscita^2))

Tensione del nodo in una determinata istanza

Partire Tensione del nodo in una determinata istanza = (Fattore di transconduttanza/Capacità del nodo)*int(exp(-(1/(Resistenza del nodo*Capacità del nodo))*(Periodo di tempo-x))*Corrente che scorre nel nodo*x,x,0,Periodo di tempo)

Abbassa la corrente nella regione di saturazione

Partire Regione di saturazione Abbassa corrente = sum(x,0,Numero di transistor del driver parallelo,(Mobilità elettronica*Capacità dell'ossido/2)*(Larghezza del canale/Lunghezza del canale)*(Tensione della sorgente di gate-Soglia di voltaggio)^2)

Corrente di drenaggio che scorre attraverso il transistor MOS

Partire Assorbimento di corrente = (Larghezza del canale/Lunghezza del canale)*Mobilità elettronica*Capacità dell'ossido*int((Tensione della sorgente di gate-x-Soglia di voltaggio),x,0,Tensione della sorgente di drenaggio)

Tempo di saturazione

Partire Tempo di saturazione = -2*Capacità di carico/(Parametro del processo di transconduttanza*(Alta tensione di uscita-Soglia di voltaggio)^2)*int(1,x,Alta tensione di uscita,Alta tensione di uscita-Soglia di voltaggio)

Ritardo temporale quando NMOS funziona nella regione lineare

Partire Regione lineare nel ritardo temporale = -2*Capacità di giunzione*int(1/(Parametro del processo di transconduttanza*(2*(Tensione di ingresso-Soglia di voltaggio)*x-x^2)),x,Tensione iniziale,Voltaggio finale)

Densità di carica della regione di esaurimento

Partire Densità della carica dello strato di esaurimento = (sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*Concentrazione antidoping dell'accettore*modulus(Potenziale di superficie-Potenziale di Fermi in massa)))

Profondità della regione di svuotamento associata allo scarico

Partire Regione della profondità di esaurimento del drenaggio = sqrt((2*[Permitivity-silicon]*(Potenziale di giunzione incorporato+Tensione della sorgente di drenaggio))/([Charge-e]*Concentrazione antidoping dell'accettore))

Corrente di drenaggio nella regione di saturazione del transistor MOS

Partire Corrente di drenaggio della regione di saturazione = Larghezza del canale*Velocità di deriva degli elettroni in saturazione*int(Carica*Parametro del canale corto,x,0,Lunghezza effettiva del canale)

Potenziale di Fermi per il tipo P

Partire Potenziale di Fermi per il tipo P = ([BoltZ]*Temperatura assoluta)/[Charge-e]*ln(Concentrazione intrinseca del portatore/Concentrazione antidoping dell'accettore)

Potenziale di Fermi per il tipo N

Partire Potenziale di Fermi per il tipo N = ([BoltZ]*Temperatura assoluta)/[Charge-e]*ln(Concentrazione del drogante del donatore/Concentrazione intrinseca del portatore)

Profondità massima di esaurimento

Partire Profondità massima di esaurimento = sqrt((2*[Permitivity-silicon]*modulus(2*Potenziale di Fermi in massa))/([Charge-e]*Concentrazione antidoping dell'accettore))

Potenziale incorporato nella regione di esaurimento

Partire Voltaggio integrato = -(sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*Concentrazione antidoping dell'accettore*modulus(-2*Potenziale di Fermi in massa)))

Profondità della regione di esaurimento associata alla sorgente

Partire Regione della profondità di esaurimento della fonte = sqrt((2*[Permitivity-silicon]*Potenziale di giunzione incorporato)/([Charge-e]*Concentrazione antidoping dell'accettore))

Capacità equivalente di segnale grande

Partire Capacità equivalente di segnale grande = (1/(Voltaggio finale-Tensione iniziale))*int(Capacità di giunzione*x,x,Tensione iniziale,Voltaggio finale)

Coefficiente di polarizzazione del substrato

Partire Coefficiente di polarizzazione del substrato = sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*Concentrazione antidoping dell'accettore)/Capacità dell'ossido

Capacità equivalente di giunzione di segnali di grandi dimensioni

Partire Capacità equivalente di giunzione di segnali di grandi dimensioni = Perimetro del fianco*Capacità di giunzione della parete laterale*Fattore di equivalenza della tensione della parete laterale

Potenza media dissipata in un periodo di tempo

Partire Potenza media = (1/Tempo totale impiegato)*int(Voltaggio*Attuale,x,0,Tempo totale impiegato)

Capacità di giunzione della parete laterale con polarizzazione zero per unità di lunghezza

Partire Capacità di giunzione della parete laterale = Potenziale di giunzione della parete laterale con polarizzazione zero*Profondità del fianco

Funzione di lavoro in MOSFET

Partire Funzione di lavoro = Livello di vuoto+(Livello energetico della banda di conduzione-Livello Fermi)

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