Tension du nœud à une instance donnée Calculatrice

✖Le facteur de transconductance est une mesure de la mesure dans laquelle le courant de sortie d'un appareil change en réponse à un changement de la tension d'entrée.ⓘ Facteur de transconductance [β]			+10% -10%
✖La capacité du nœud fait référence à la capacité totale associée à un nœud spécifique dans un circuit électrique. Dans l'analyse de circuit, un nœud est un point où deux ou plusieurs éléments de circuit se connectent.ⓘ Capacité du nœud [C_y]			+10% -10%
✖La résistance du nœud fait référence à la résistance équivalente associée à un nœud spécifique dans un circuit électrique. Dans l'analyse de circuit, un nœud est un point où deux ou plusieurs éléments de circuit se connectent.ⓘ Résistance des nœuds [R_y]			+10% -10%
✖La période de temps fait référence à la durée d'un cycle complet d'une forme d'onde périodique.ⓘ Période de temps [T]			+10% -10%
✖Le courant circulant dans le nœud fait référence au flux net de courant électrique entrant dans ce nœud spécifique. Un nœud est un point dans le circuit où se trouvent deux ou plusieurs éléments de circuit.ⓘ Courant circulant dans le nœud [I_dd[x]]			+10% -10%

✖La tension du nœud à une instance donnée fait référence au potentiel électrique (tension) à un point ou à une jonction spécifique du circuit, appelé nœud.ⓘ Tension du nœud à une instance donnée [V_y[t]]

⎘ Copie

👎

Formule

✖

Tension du nœud à une instance donnée

Formule

`("V"_{"y"}"[t]") = ("β"/"C"_{"y"})*int(exp(-(1/("R"_{"y"}*"C"_{"y"}))*("T"-x))*("I"_{"dd"}"[x]")*x,x,0,"T")`

Exemple

`"0.078579V"=("0.432S"/"237μF")*int(exp(-(1/("43kΩ"*"237μF"))*("5.61ms"-x))*"2.74A"*x,x,0,"5.61ms")`

Calculatrice

LaTeX

Réinitialiser

👍

Télécharger MOSFET Formule PDF PDF Image

Tension du nœud à une instance donnée Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul

Formule utilisée

Tension du nœud à une instance donnée = (Facteur de transconductance/Capacité du nœud)*int(exp(-(1/(Résistance des nœuds*Capacité du nœud))*(Période de temps-x))*Courant circulant dans le nœud*x,x,0,Période de temps)
V_y[t] = (β/C_y)*int(exp(-(1/(R_y*C_y))*(T-x))*I_dd[x]*x,x,0,T)
Cette formule utilise 2 Les fonctions, 6 Variables

Fonctions utilisées

exp - Dans une fonction exponentielle, la valeur de la fonction change d'un facteur constant pour chaque changement d'unité dans la variable indépendante., exp(Number)
int - L'intégrale définie peut être utilisée pour calculer la zone nette signée, qui est la zone au-dessus de l'axe des x moins la zone en dessous de l'axe des x., int(expr, arg, from, to)

Variables utilisées

Tension du nœud à une instance donnée - (Mesuré en Volt) - La tension du nœud à une instance donnée fait référence au potentiel électrique (tension) à un point ou à une jonction spécifique du circuit, appelé nœud.
Facteur de transconductance - (Mesuré en Siemens) - Le facteur de transconductance est une mesure de la mesure dans laquelle le courant de sortie d'un appareil change en réponse à un changement de la tension d'entrée.
Capacité du nœud - (Mesuré en Farad) - La capacité du nœud fait référence à la capacité totale associée à un nœud spécifique dans un circuit électrique. Dans l'analyse de circuit, un nœud est un point où deux ou plusieurs éléments de circuit se connectent.
Résistance des nœuds - (Mesuré en Ohm) - La résistance du nœud fait référence à la résistance équivalente associée à un nœud spécifique dans un circuit électrique. Dans l'analyse de circuit, un nœud est un point où deux ou plusieurs éléments de circuit se connectent.
Période de temps - (Mesuré en Deuxième) - La période de temps fait référence à la durée d'un cycle complet d'une forme d'onde périodique.
Courant circulant dans le nœud - (Mesuré en Ampère) - Le courant circulant dans le nœud fait référence au flux net de courant électrique entrant dans ce nœud spécifique. Un nœud est un point dans le circuit où se trouvent deux ou plusieurs éléments de circuit.

ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base

Facteur de transconductance: 0.432 Siemens --> 0.432 Siemens Aucune conversion requise
Capacité du nœud: 237 microfarades --> 0.000237 Farad (Vérifiez la conversion ici)
Résistance des nœuds: 43 Kilohm --> 43000 Ohm (Vérifiez la conversion ici)
Période de temps: 5.61 milliseconde --> 0.00561 Deuxième (Vérifiez la conversion ici)
Courant circulant dans le nœud: 2.74 Ampère --> 2.74 Ampère Aucune conversion requise

ÉTAPE 2: Évaluer la formule

Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule

V_y[t] = (β/C_y)*int(exp(-(1/(R_y*C_y))*(T-x))*I_dd[x]*x,x,0,T) --> (0.432/0.000237)*int(exp(-(1/(43000*0.000237))*(0.00561-x))*2.74*x,x,0,0.00561)

Évaluer ... ...

V_y[t] = 0.0785790880040371

ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie

0.0785790880040371 Volt --> Aucune conversion requise

RÉPONSE FINALE

0.0785790880040371 ≈ 0.078579 Volt <-- Tension du nœud à une instance donnée

(Calcul effectué en 00.004 secondes)

Tu es là -

Accueil » Ingénierie » Électronique » MOSFET » Électronique analogique » Transistors MOS » Tension du nœud à une instance donnée

Crédits

Créé par banuprakash

Collège d'ingénierie Dayananda Sagar (DSCE), Bangalore

banuprakash a créé cette calculatrice et 50+ autres calculatrices!

Vérifié par Dipanjona Mallick

Institut du patrimoine de technologie (HITK), Calcutta

Dipanjona Mallick a validé cette calculatrice et 50+ autres calculatrices!

< 21 Transistors MOS Calculatrices

Facteur d’équivalence de tension des parois latérales

Aller Facteur d’équivalence de tension des parois latérales = -(2*sqrt(Potentiel intégré des jonctions des parois latérales)/(Tension finale-Tension initiale)*(sqrt(Potentiel intégré des jonctions des parois latérales-Tension finale)-sqrt(Potentiel intégré des jonctions des parois latérales-Tension initiale)))

Réduisez le courant dans la région linéaire

Aller Courant de réduction de la région linéaire = sum(x,0,Nombre de transistors à pilote parallèle,(Mobilité électronique*Capacité d'oxyde/2)*(Largeur de canal/Longueur du canal)*(2*(Tension de source de porte-Tension de seuil)*Tension de sortie-Tension de sortie^2))

Tension du nœud à une instance donnée

Aller Tension du nœud à une instance donnée = (Facteur de transconductance/Capacité du nœud)*int(exp(-(1/(Résistance des nœuds*Capacité du nœud))*(Période de temps-x))*Courant circulant dans le nœud*x,x,0,Période de temps)

Réduisez le courant dans la région de saturation

Aller Courant de réduction de la région de saturation = sum(x,0,Nombre de transistors à pilote parallèle,(Mobilité électronique*Capacité d'oxyde/2)*(Largeur de canal/Longueur du canal)*(Tension de source de porte-Tension de seuil)^2)

Temps de saturation

Aller Temps de saturation = -2*Capacité de charge/(Paramètre de processus de transconductance*(Tension de sortie élevée-Tension de seuil)^2)*int(1,x,Tension de sortie élevée,Tension de sortie élevée-Tension de seuil)

Courant de drain circulant à travers le transistor MOS

Aller Courant de vidange = (Largeur de canal/Longueur du canal)*Mobilité électronique*Capacité d'oxyde*int((Tension de source de porte-x-Tension de seuil),x,0,Tension de source de drain)

Délai lorsque le NMOS fonctionne dans une région linéaire

Aller Région linéaire en temporisation = -2*Capacité de jonction*int(1/(Paramètre de processus de transconductance*(2*(Tension d'entrée-Tension de seuil)*x-x^2)),x,Tension initiale,Tension finale)

Densité de charge dans la région d'épuisement

Aller Densité de charge de couche d'épuisement = (sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*Concentration dopante de l'accepteur*modulus(Potentiel des surfaces-Potentiel Fermi en vrac)))

Profondeur de la région d'épuisement associée au drain

Aller Profondeur de la région d'épuisement du drain = sqrt((2*[Permitivity-silicon]*(Potentiel de jonction intégré+Tension de source de drain))/([Charge-e]*Concentration dopante de l'accepteur))

Courant de drain dans la région de saturation du transistor MOS

Aller Courant de drainage de la région de saturation = Largeur de canal*Vitesse de dérive des électrons de saturation*int(Charge*Paramètre de canal court,x,0,Longueur effective du canal)

Potentiel de Fermi pour le type P

Aller Potentiel de Fermi pour le type P = ([BoltZ]*Température absolue)/[Charge-e]*ln(Concentration intrinsèque de porteurs/Concentration dopante de l'accepteur)

Potentiel de Fermi pour le type N

Aller Potentiel de Fermi pour le type N = ([BoltZ]*Température absolue)/[Charge-e]*ln(Concentration de dopant du donneur/Concentration intrinsèque de porteurs)

Profondeur d'épuisement maximale

Aller Profondeur d'épuisement maximale = sqrt((2*[Permitivity-silicon]*modulus(2*Potentiel Fermi en vrac))/([Charge-e]*Concentration dopante de l'accepteur))

Potentiel intégré dans la région d’épuisement

Aller Tension intégrée = -(sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*Concentration dopante de l'accepteur*modulus(-2*Potentiel Fermi en vrac)))

Grande capacité de signal équivalente

Aller Grande capacité de signal équivalente = (1/(Tension finale-Tension initiale))*int(Capacité de jonction*x,x,Tension initiale,Tension finale)

Profondeur de la région d'épuisement associée à la source

Aller Profondeur de la région d'épuisement de la source = sqrt((2*[Permitivity-silicon]*Potentiel de jonction intégré)/([Charge-e]*Concentration dopante de l'accepteur))

Coefficient de biais du substrat

Aller Coefficient de biais du substrat = sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*Concentration dopante de l'accepteur)/Capacité d'oxyde

Capacité équivalente à grande jonction de signal

Aller Capacité équivalente à grande jonction de signal = Périmètre du flanc*Capacité de jonction des parois latérales*Facteur d’équivalence de tension des parois latérales

Puissance moyenne dissipée sur une période de temps

Aller Puissance moyenne = (1/Temps total pris)*int(Tension*Actuel,x,0,Temps total pris)

Fonction de travail dans MOSFET

Aller Fonction de travail = Niveau de vide+(Niveau d'énergie de la bande de conduction-Niveau de Fermi)

Capacité de jonction de paroi latérale à polarisation nulle par unité de longueur

Aller Capacité de jonction des parois latérales = Potentiel de jonction des parois latérales sans polarisation*Profondeur du flanc

Tension du nœud à une instance donnée Formule

Accueil

GRATUIT PDF

🔍 Chercher

Catégories

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!