Knotenspannung bei gegebener Instanz Taschenrechner

✖Der Transkonduktanzfaktor ist ein Maß dafür, wie stark sich der Ausgangsstrom eines Geräts als Reaktion auf eine Änderung der Eingangsspannung ändert.ⓘ Transkonduktanzfaktor [β]			+10% -10%
✖Knotenkapazität bezeichnet die Gesamtkapazität eines bestimmten Knotens in einem Stromkreis. In der Schaltkreisanalyse ist ein Knoten ein Punkt, an dem zwei oder mehr Schaltkreiselemente verbunden sind.ⓘ Knotenkapazität [C_y]			+10% -10%
✖Knotenwiderstand bezeichnet den äquivalenten Widerstand, der einem bestimmten Knoten in einem elektrischen Schaltkreis zugeordnet ist. In der Schaltkreisanalyse ist ein Knoten ein Punkt, an dem zwei oder mehr Schaltkreiselemente verbunden sind.ⓘ Knotenwiderstand [R_y]			+10% -10%
✖Der Begriff „Zeitperiode“ bezieht sich auf die Dauer eines vollständigen Zyklus einer periodischen Wellenform.ⓘ Zeitraum [T]			+10% -10%
✖In den Knoten fließender Strom bezieht sich auf den Nettofluss des elektrischen Stroms, der in diesen bestimmten Knoten eintritt. Ein Knoten ist ein Punkt innerhalb des Schaltkreises, an dem sich zwei oder mehr Schaltkreiselemente befinden.ⓘ In den Knoten fließender Strom [I_dd[x]]			+10% -10%

✖Die Knotenspannung an einer bestimmten Instanz bezieht sich auf das elektrische Potenzial (die Spannung) an einem bestimmten Punkt oder einer bestimmten Verbindung innerhalb des Schaltkreises, der als Knoten bezeichnet wird.ⓘ Knotenspannung bei gegebener Instanz [V_y[t]]

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Formel

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Knotenspannung bei gegebener Instanz

Formel

`("V"_{"y"}"[t]") = ("β"/"C"_{"y"})*int(exp(-(1/("R"_{"y"}*"C"_{"y"}))*("T"-x))*("I"_{"dd"}"[x]")*x,x,0,"T")`

Beispiel

`"0.078579V"=("0.432S"/"237μF")*int(exp(-(1/("43kΩ"*"237μF"))*("5.61ms"-x))*"2.74A"*x,x,0,"5.61ms")`

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Knotenspannung bei gegebener Instanz Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung

Gebrauchte Formel

Knotenspannung bei gegebener Instanz = (Transkonduktanzfaktor/Knotenkapazität)*int(exp(-(1/(Knotenwiderstand*Knotenkapazität))*(Zeitraum-x))*In den Knoten fließender Strom*x,x,0,Zeitraum)
V_y[t] = (β/C_y)*int(exp(-(1/(R_y*C_y))*(T-x))*I_dd[x]*x,x,0,T)
Diese formel verwendet 2 Funktionen, 6 Variablen

Verwendete Funktionen

exp - Bei einer Exponentialfunktion ändert sich der Wert der Funktion bei jeder Änderung der unabhängigen Variablen um einen konstanten Faktor., exp(Number)
int - Das bestimmte Integral kann zur Berechnung der vorzeichenbehafteten Nettofläche verwendet werden, d. h. der Fläche über der x-Achse minus der Fläche unter der x-Achse., int(expr, arg, from, to)

Verwendete Variablen

Knotenspannung bei gegebener Instanz - (Gemessen in Volt) - Die Knotenspannung an einer bestimmten Instanz bezieht sich auf das elektrische Potenzial (die Spannung) an einem bestimmten Punkt oder einer bestimmten Verbindung innerhalb des Schaltkreises, der als Knoten bezeichnet wird.
Transkonduktanzfaktor - (Gemessen in Siemens) - Der Transkonduktanzfaktor ist ein Maß dafür, wie stark sich der Ausgangsstrom eines Geräts als Reaktion auf eine Änderung der Eingangsspannung ändert.
Knotenkapazität - (Gemessen in Farad) - Knotenkapazität bezeichnet die Gesamtkapazität eines bestimmten Knotens in einem Stromkreis. In der Schaltkreisanalyse ist ein Knoten ein Punkt, an dem zwei oder mehr Schaltkreiselemente verbunden sind.
Knotenwiderstand - (Gemessen in Ohm) - Knotenwiderstand bezeichnet den äquivalenten Widerstand, der einem bestimmten Knoten in einem elektrischen Schaltkreis zugeordnet ist. In der Schaltkreisanalyse ist ein Knoten ein Punkt, an dem zwei oder mehr Schaltkreiselemente verbunden sind.
Zeitraum - (Gemessen in Zweite) - Der Begriff „Zeitperiode“ bezieht sich auf die Dauer eines vollständigen Zyklus einer periodischen Wellenform.
In den Knoten fließender Strom - (Gemessen in Ampere) - In den Knoten fließender Strom bezieht sich auf den Nettofluss des elektrischen Stroms, der in diesen bestimmten Knoten eintritt. Ein Knoten ist ein Punkt innerhalb des Schaltkreises, an dem sich zwei oder mehr Schaltkreiselemente befinden.

SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit

Transkonduktanzfaktor: 0.432 Siemens --> 0.432 Siemens Keine Konvertierung erforderlich
Knotenkapazität: 237 Mikrofarad --> 0.000237 Farad (Überprüfen sie die konvertierung hier)
Knotenwiderstand: 43 Kiloohm --> 43000 Ohm (Überprüfen sie die konvertierung hier)
Zeitraum: 5.61 Millisekunde --> 0.00561 Zweite (Überprüfen sie die konvertierung hier)
In den Knoten fließender Strom: 2.74 Ampere --> 2.74 Ampere Keine Konvertierung erforderlich

SCHRITT 2: Formel auswerten

Eingabewerte in Formel ersetzen

V_y[t] = (β/C_y)*int(exp(-(1/(R_y*C_y))*(T-x))*I_dd[x]*x,x,0,T) --> (0.432/0.000237)*int(exp(-(1/(43000*0.000237))*(0.00561-x))*2.74*x,x,0,0.00561)

Auswerten ... ...

V_y[t] = 0.0785790880040371

SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit

0.0785790880040371 Volt --> Keine Konvertierung erforderlich

ENDGÜLTIGE ANTWORT

0.0785790880040371 ≈ 0.078579 Volt <-- Knotenspannung bei gegebener Instanz

(Berechnung in 00.020 sekunden abgeschlossen)

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Credits

Erstellt von Banuprakash

Dayananda Sagar College of Engineering (DSCE), Bangalore

Banuprakash hat diesen Rechner und 50+ weitere Rechner erstellt!

Geprüft von Dipanjona Mallick

Heritage Institute of Technology (HITK), Kalkutta

Dipanjona Mallick hat diesen Rechner und 50+ weitere Rechner verifiziert!

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Äquivalenzfaktor der Seitenwandspannung

Gehen Äquivalenzfaktor der Seitenwandspannung = -(2*sqrt(Eingebautes Potenzial von Seitenwandverbindungen)/(Endspannung-Anfangsspannung)*(sqrt(Eingebautes Potenzial von Seitenwandverbindungen-Endspannung)-sqrt(Eingebautes Potenzial von Seitenwandverbindungen-Anfangsspannung)))

Ziehen Sie den Strom im linearen Bereich herunter

Gehen Pulldown-Strom im linearen Bereich = sum(x,0,Anzahl paralleler Treibertransistoren,(Elektronenmobilität*Oxidkapazität/2)*(Kanalbreite/Kanallänge)*(2*(Gate-Source-Spannung-Grenzspannung)*Ausgangsspannung-Ausgangsspannung^2))

Knotenspannung bei gegebener Instanz

Gehen Knotenspannung bei gegebener Instanz = (Transkonduktanzfaktor/Knotenkapazität)*int(exp(-(1/(Knotenwiderstand*Knotenkapazität))*(Zeitraum-x))*In den Knoten fließender Strom*x,x,0,Zeitraum)

Ziehen Sie den Strom in den Sättigungsbereich

Gehen Sättigungsbereich Pulldown-Strom = sum(x,0,Anzahl paralleler Treibertransistoren,(Elektronenmobilität*Oxidkapazität/2)*(Kanalbreite/Kanallänge)*(Gate-Source-Spannung-Grenzspannung)^2)

Sättigungszeit

Gehen Sättigungszeit = -2*Ladekapazität/(Transkonduktanz-Prozessparameter*(Hohe Ausgangsspannung-Grenzspannung)^2)*int(1,x,Hohe Ausgangsspannung,Hohe Ausgangsspannung-Grenzspannung)

Zeitverzögerung, wenn NMOS im linearen Bereich arbeitet

Gehen Linearer Bereich in der Zeitverzögerung = -2*Sperrschichtkapazität*int(1/(Transkonduktanz-Prozessparameter*(2*(Eingangsspannung-Grenzspannung)*x-x^2)),x,Anfangsspannung,Endspannung)

Drainstrom fließt durch den MOS-Transistor

Gehen Stromverbrauch = (Kanalbreite/Kanallänge)*Elektronenmobilität*Oxidkapazität*int((Gate-Source-Spannung-x-Grenzspannung),x,0,Drain-Quellenspannung)

Ladungsdichte im Verarmungsbereich

Gehen Dichte der Sperrschichtladung = (sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*Dopingkonzentration des Akzeptors*modulus(Oberflächenpotential-Bulk-Fermi-Potenzial)))

Tiefe der mit dem Abfluss verbundenen Erschöpfungsregion

Gehen Region der Erschöpfungstiefe von Drain = sqrt((2*[Permitivity-silicon]*(Eingebautes Verbindungspotential+Drain-Quellenspannung))/([Charge-e]*Dopingkonzentration des Akzeptors))

Drainstrom im Sättigungsbereich im MOS-Transistor

Gehen Drainstrom im Sättigungsbereich = Kanalbreite*Sättigungselektronendriftgeschwindigkeit*int(Aufladen*Kurzkanalparameter,x,0,Effektive Kanallänge)

Maximale Erschöpfungstiefe

Gehen Maximale Erschöpfungstiefe = sqrt((2*[Permitivity-silicon]*modulus(2*Bulk-Fermi-Potenzial))/([Charge-e]*Dopingkonzentration des Akzeptors))

Fermipotential für P-Typ

Gehen Fermipotential für P-Typ = ([BoltZ]*Absolute Temperatur)/[Charge-e]*ln(Intrinsische Trägerkonzentration/Dopingkonzentration des Akzeptors)

Fermipotential für N-Typ

Gehen Fermipotential für N-Typ = ([BoltZ]*Absolute Temperatur)/[Charge-e]*ln(Donator-Dotierstoffkonzentration/Intrinsische Trägerkonzentration)

Eingebautes Potenzial in der Erschöpfungsregion

Gehen Eingebaute Spannung = -(sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*Dopingkonzentration des Akzeptors*modulus(-2*Bulk-Fermi-Potenzial)))

Mit der Quelle verbundene Tiefe der Erschöpfungsregion

Gehen Region der Erschöpfungstiefe der Quelle = sqrt((2*[Permitivity-silicon]*Eingebautes Verbindungspotential)/([Charge-e]*Dopingkonzentration des Akzeptors))

Äquivalente Großsignalkapazität

Gehen Äquivalente Großsignalkapazität = (1/(Endspannung-Anfangsspannung))*int(Sperrschichtkapazität*x,x,Anfangsspannung,Endspannung)

Substrat-Vorspannungskoeffizient

Gehen Substrat-Vorspannungskoeffizient = sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*Dopingkonzentration des Akzeptors)/Oxidkapazität

Durchschnittliche Verlustleistung über einen bestimmten Zeitraum

Gehen Durchschnittliche Kraft = (1/Gesamtzeitaufwand)*int(Stromspannung*Aktuell,x,0,Gesamtzeitaufwand)

Äquivalente Großsignal-Verbindungskapazität

Gehen Äquivalente Großsignal-Verbindungskapazität = Umfang der Seitenwand*Seitenwandübergangskapazität*Äquivalenzfaktor der Seitenwandspannung

Arbeitsfunktion im MOSFET

Gehen Arbeitsfuntkion = Vakuumniveau+(Energieniveau des Leitungsbandes-Fermi-Level)

Seitenwandübergangskapazität ohne Vorspannung pro Längeneinheit

Gehen Seitenwandübergangskapazität = Null-Bias-Seitenwandübergangspotential*Tiefe der Seitenwand

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