Напряжение узла в данном случае Решение

ШАГ 0: Сводка предварительного расчета
Используемая формула
Напряжение узла в данном случае = (Фактор крутизны/Емкость узла)*int(exp(-(1/(Сопротивление узла*Емкость узла))*(Временной период-x))*Ток, текущий в узел*x,x,0,Временной период)
Vy[t] = (β/Cy)*int(exp(-(1/(Ry*Cy))*(T-x))*Idd[x]*x,x,0,T)
В этой формуле используются 2 Функции, 6 Переменные
Используемые функции
exp - В показательной функции значение функции изменяется на постоянный коэффициент при каждом изменении единицы независимой переменной., exp(Number)
int - Определенный интеграл можно использовать для расчета чистой площади со знаком, которая представляет собой площадь над осью x минус площадь под осью x., int(expr, arg, from, to)
Используемые переменные
Напряжение узла в данном случае - (Измеряется в вольт) - Напряжение узла в данном экземпляре относится к электрическому потенциалу (напряжению) в определенной точке или соединении внутри цепи, известному как узел.
Фактор крутизны - (Измеряется в Сименс) - Коэффициент крутизны — это мера того, насколько изменяется выходной ток устройства в ответ на изменение входного напряжения.
Емкость узла - (Измеряется в фарада) - Емкость узла относится к общей емкости, связанной с конкретным узлом в электрической цепи. В анализе цепей узел — это точка, в которой соединяются два или более элемента схемы.
Сопротивление узла - (Измеряется в ом) - Сопротивление узла относится к эквивалентному сопротивлению, связанному с конкретным узлом в электрической цепи. В анализе цепей узел — это точка, в которой соединяются два или более элемента схемы.
Временной период - (Измеряется в Второй) - Период времени относится к продолжительности одного полного цикла периодического сигнала.
Ток, текущий в узел - (Измеряется в Ампер) - Ток, текущий в узел, относится к чистому потоку электрического тока, поступающего в этот конкретный узел. Узел — это точка внутри схемы, где находятся два или более элементов схемы.
ШАГ 1. Преобразование входов в базовый блок
Фактор крутизны: 0.432 Сименс --> 0.432 Сименс Конверсия не требуется
Емкость узла: 237 Микрофарад --> 0.000237 фарада (Проверьте преобразование ​здесь)
Сопротивление узла: 43 килоом --> 43000 ом (Проверьте преобразование ​здесь)
Временной период: 5.61 Миллисекунда --> 0.00561 Второй (Проверьте преобразование ​здесь)
Ток, текущий в узел: 2.74 Ампер --> 2.74 Ампер Конверсия не требуется
ШАГ 2: Оцените формулу
Подстановка входных значений в формулу
Vy[t] = (β/Cy)*int(exp(-(1/(Ry*Cy))*(T-x))*Idd[x]*x,x,0,T) --> (0.432/0.000237)*int(exp(-(1/(43000*0.000237))*(0.00561-x))*2.74*x,x,0,0.00561)
Оценка ... ...
Vy[t] = 0.0785790880040371
ШАГ 3: Преобразуйте результат в единицу вывода
0.0785790880040371 вольт --> Конверсия не требуется
ОКОНЧАТЕЛЬНЫЙ ОТВЕТ
0.0785790880040371 0.078579 вольт <-- Напряжение узла в данном случае
(Расчет завершен через 00.004 секунд)

Кредиты

Creator Image
Сделано банупракаш
Инженерный колледж Даянанда Сагар (ДСКЭ), Бангалор
банупракаш создал этот калькулятор и еще 50+!
Verifier Image
Проверено Дипанхона Маллик
Технологический институт наследия (ХИТК), Калькутта
Дипанхона Маллик проверил этот калькулятор и еще 50+!

21 МОП-транзистор Калькуляторы

Коэффициент эквивалентности напряжения на боковой стенке
​ Идти Коэффициент эквивалентности напряжения на боковой стенке = -(2*sqrt(Заложенный потенциал соединений боковых стенок)/(Конечное напряжение-Начальное напряжение)*(sqrt(Заложенный потенциал соединений боковых стенок-Конечное напряжение)-sqrt(Заложенный потенциал соединений боковых стенок-Начальное напряжение)))
Понизьте ток в линейной области
​ Идти Линейный регион Понижающий ток = sum(x,0,Количество транзисторов параллельного управления,(Электронная подвижность*Оксидная емкость/2)*(ширина канала/Длина канала)*(2*(Напряжение источника затвора-Пороговое напряжение)*Выходное напряжение-Выходное напряжение^2))
Уменьшите ток в области насыщения
​ Идти Область насыщения Понижающий ток = sum(x,0,Количество транзисторов параллельного управления,(Электронная подвижность*Оксидная емкость/2)*(ширина канала/Длина канала)*(Напряжение источника затвора-Пороговое напряжение)^2)
Напряжение узла в данном случае
​ Идти Напряжение узла в данном случае = (Фактор крутизны/Емкость узла)*int(exp(-(1/(Сопротивление узла*Емкость узла))*(Временной период-x))*Ток, текущий в узел*x,x,0,Временной период)
Время насыщения
​ Идти Время насыщения = -2*Емкость нагрузки/(Параметр процесса крутизны*(Высокое выходное напряжение-Пороговое напряжение)^2)*int(1,x,Высокое выходное напряжение,Высокое выходное напряжение-Пороговое напряжение)
Ток стока, протекающий через МОП-транзистор
​ Идти Ток стока = (ширина канала/Длина канала)*Электронная подвижность*Оксидная емкость*int((Напряжение источника затвора-x-Пороговое напряжение),x,0,Напряжение источника стока)
Временная задержка, когда NMOS работает в линейной области
​ Идти Линейная область во временной задержке = -2*Емкость перехода*int(1/(Параметр процесса крутизны*(2*(Входное напряжение-Пороговое напряжение)*x-x^2)),x,Начальное напряжение,Конечное напряжение)
Плотность заряда области истощения
​ Идти Плотность заряда слоя истощения = (sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*Легирующая концентрация акцептора*modulus(Поверхностный потенциал-Объемный потенциал Ферми)))
Глубина истощения региона, связанного с дренажом
​ Идти Область истощения стока = sqrt((2*[Permitivity-silicon]*(Встроенный потенциал соединения+Напряжение источника стока))/([Charge-e]*Легирующая концентрация акцептора))
Потенциал Ферми для N-типа
​ Идти Потенциал Ферми для N-типа = ([BoltZ]*Абсолютная температура)/[Charge-e]*ln(Концентрация донорской легирующей примеси/Собственная концентрация носителей)
Эквивалентная большая сигнальная емкость
​ Идти Эквивалентная большая сигнальная емкость = (1/(Конечное напряжение-Начальное напряжение))*int(Емкость перехода*x,x,Начальное напряжение,Конечное напряжение)
Максимальная глубина истощения
​ Идти Максимальная глубина истощения = sqrt((2*[Permitivity-silicon]*modulus(2*Объемный потенциал Ферми))/([Charge-e]*Легирующая концентрация акцептора))
Ток стока в области насыщения МОП-транзистора
​ Идти Ток стока области насыщения = ширина канала*Скорость дрейфа электронов насыщения*int(Обвинение*Параметр короткого канала,x,0,Эффективная длина канала)
Потенциал Ферми для типа P
​ Идти Потенциал Ферми для типа P = ([BoltZ]*Абсолютная температура)/[Charge-e]*ln(Собственная концентрация носителей/Легирующая концентрация акцептора)
Заложенный потенциал в регионе истощения
​ Идти Встроенное напряжение = -(sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*Легирующая концентрация акцептора*modulus(-2*Объемный потенциал Ферми)))
Глубина истощения Регион, связанный с источником
​ Идти Регион глубины истощения источника = sqrt((2*[Permitivity-silicon]*Встроенный потенциал соединения)/([Charge-e]*Легирующая концентрация акцептора))
Коэффициент смещения подложки
​ Идти Коэффициент смещения подложки = sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*Легирующая концентрация акцептора)/Оксидная емкость
Эквивалентная большая емкость сигнального перехода
​ Идти Эквивалентная большая емкость сигнального перехода = Периметр боковой стенки*Емкость бокового перехода*Коэффициент эквивалентности напряжения на боковой стенке
Средняя мощность, рассеиваемая за период времени
​ Идти Средняя мощность = (1/Общее затраченное время)*int(Напряжение*Текущий,x,0,Общее затраченное время)
Рабочая функция в MOSFET
​ Идти Рабочая функция = Уровень вакуума+(Уровень энергии зоны проводимости-Уровень Ферми)
Емкость перехода на боковой стенке с нулевым смещением на единицу длины
​ Идти Емкость бокового перехода = Потенциал соединения боковой стенки с нулевым смещением*Глубина боковины

Напряжение узла в данном случае формула

Напряжение узла в данном случае = (Фактор крутизны/Емкость узла)*int(exp(-(1/(Сопротивление узла*Емкость узла))*(Временной период-x))*Ток, текущий в узел*x,x,0,Временной период)
Vy[t] = (β/Cy)*int(exp(-(1/(Ry*Cy))*(T-x))*Idd[x]*x,x,0,T)
Let Others Know
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!