Nominale continue collectorstroom van IGBT Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening
Formule gebruikt
Voorwaartse stroming = (-Totale spanning van collector en emitter+sqrt((Totale spanning van collector en emitter)^2+4*Weerstand van collector en emitter*((Maximaal operationeel kruispunt-Temperatuur behuizing)/Thermische weerstand)))/(2*Weerstand van collector en emitter)
If = (-Vce+sqrt((Vce)^2+4*Rce*((Tjmax-Tc)/Rth(jc))))/(2*Rce)
Deze formule gebruikt 1 Functies, 6 Variabelen
Functies die worden gebruikt
sqrt - Een vierkantswortelfunctie is een functie die een niet-negatief getal als invoer neemt en de vierkantswortel van het gegeven invoergetal retourneert., sqrt(Number)
Variabelen gebruikt
Voorwaartse stroming - (Gemeten in Ampère) - Voorwaartse stroom van een IGBT is de maximale stroom die door het apparaat kan stromen wanneer het is ingeschakeld.
Totale spanning van collector en emitter - (Gemeten in Volt) - De totale spanning van collector en emitter van een IGBT staat bekend als de collector-emitterspanning (V
Weerstand van collector en emitter - (Gemeten in Ohm) - Weerstand van collector en emitter van een IGBT, ook bekend als de on-state weerstand (R
Maximaal operationeel kruispunt - (Gemeten in Kelvin) - De maximale operationele junctietemperatuur (T
Temperatuur behuizing - (Gemeten in Kelvin) - Behuizingstemperatuur van een IGBT is de temperatuur van de metalen behuizing van de IGBT. Het wordt doorgaans gemeten in graden Celsius (°C).
Thermische weerstand - (Gemeten in Ohm) - Thermische weerstand is de weerstand van een materiaal tegen de warmtestroom. Het is een maatstaf voor hoe goed een materiaal warmte geleidt.
STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid
Totale spanning van collector en emitter: 21.56 Volt --> 21.56 Volt Geen conversie vereist
Weerstand van collector en emitter: 12.546 Kilohm --> 12546 Ohm (Bekijk de conversie ​hier)
Maximaal operationeel kruispunt: 283 Celsius --> 556.15 Kelvin (Bekijk de conversie ​hier)
Temperatuur behuizing: 250 Celsius --> 523.15 Kelvin (Bekijk de conversie ​hier)
Thermische weerstand: 0.456 Kilohm --> 456 Ohm (Bekijk de conversie ​hier)
STAP 2: Evalueer de formule
Invoerwaarden in formule vervangen
If = (-Vce+sqrt((Vce)^2+4*Rce*((Tjmax-Tc)/Rth(jc))))/(2*Rce) --> (-21.56+sqrt((21.56)^2+4*12546*((556.15-523.15)/456)))/(2*12546)
Evalueren ... ...
If = 0.00169155334065811
STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer
0.00169155334065811 Ampère -->1.69155334065811 milliampère (Bekijk de conversie ​hier)
DEFINITIEVE ANTWOORD
1.69155334065811 1.691553 milliampère <-- Voorwaartse stroming
(Berekening voltooid in 00.004 seconden)

Credits

Creator Image
Gemaakt door Mohammed Fazil V
Acharya instituut voor technologie (AIT), Bengaluru
Mohammed Fazil V heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 50+ meer rekenmachines!
Verifier Image
Geverifieërd door Parminder Singh
Universiteit van Chandigarh (CU), Punjab
Parminder Singh heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 600+ rekenmachines!

8 IGBT Rekenmachines

Nominale continue collectorstroom van IGBT
​ Gaan Voorwaartse stroming = (-Totale spanning van collector en emitter+sqrt((Totale spanning van collector en emitter)^2+4*Weerstand van collector en emitter*((Maximaal operationeel kruispunt-Temperatuur behuizing)/Thermische weerstand)))/(2*Weerstand van collector en emitter)
Spanningsdaling in IGBT in AAN-status
​ Gaan Spanningsdaling OP het podium = Voorwaartse stroming*N-kanaal weerstand+Voorwaartse stroming*Weerstand tegen drift+Spanning Pn-verbinding 1
Verzadigingsspanning van IGBT
​ Gaan Verzadigingsspanning van collector naar emitter = Basis-emitterspanning van PNP-transistor+Afvoerstroom*(Geleidbaarheid weerstand+N-kanaal weerstand)
IGBT-uitschakeltijd
​ Gaan Schakel de tijd UIT = Vertragingstijd+Initiële herfsttijd+Laatste herfsttijd
Maximale vermogensdissipatie in IGBT
​ Gaan Maximale vermogensdissipatie = Maximaal operationeel kruispunt/Verbinding met hoek van behuizing
Ingangscapaciteit van IGBT
​ Gaan Ingangscapaciteit = Poort naar emittercapaciteit+Poort naar collectorcapaciteit
Doorslagspanning van voorwaartse bias van IGBT
​ Gaan Doorslagspanning op veilig werkgebied = (5.34*10^13)/((Netto positieve lading)^(3/4))
Emitterstroom van IGBT
​ Gaan Zenderstroom = Gatenstroom+Elektronische stroom

Nominale continue collectorstroom van IGBT Formule

Voorwaartse stroming = (-Totale spanning van collector en emitter+sqrt((Totale spanning van collector en emitter)^2+4*Weerstand van collector en emitter*((Maximaal operationeel kruispunt-Temperatuur behuizing)/Thermische weerstand)))/(2*Weerstand van collector en emitter)
If = (-Vce+sqrt((Vce)^2+4*Rce*((Tjmax-Tc)/Rth(jc))))/(2*Rce)
Let Others Know
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!