Nomineller kontinuierlicher Kollektorstrom des IGBT Taschenrechner

✖Die Gesamtspannung von Kollektor und Emitter eines IGBT wird als Kollektor-Emitter-Spannung (V) bezeichnetⓘ Gesamtspannung von Kollektor und Emitter [V_ce]			+10% -10%
✖Widerstand von Kollektor und Emitter eines IGBT, auch bekannt als Durchlasswiderstand (Rⓘ Widerstand von Kollektor und Emitter [R_ce]			+10% -10%
✖Die maximale Betriebssperrschichttemperatur (Tⓘ Maximaler Betriebsknotenpunkt [T_jmax]			+10% -10%
✖Die Gehäusetemperatur eines IGBT ist die Temperatur des Metallgehäuses des IGBT. Sie wird typischerweise in Grad Celsius (°C) gemessen.ⓘ Gehäusetemperatur [T_c]			+10% -10%
✖Der Wärmewiderstand ist der Widerstand eines Materials gegenüber dem Wärmefluss. Es ist ein Maß dafür, wie gut ein Material Wärme leitet.ⓘ Wärmewiderstand [R_th(jc)]			+10% -10%

✖Der Durchlassstrom eines IGBT ist der maximale Strom, der durch das Gerät fließen kann, wenn es eingeschaltet ist.ⓘ Nomineller kontinuierlicher Kollektorstrom des IGBT [I_f]

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Formel

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Nomineller kontinuierlicher Kollektorstrom des IGBT

Formel

`"I"_{"f"} = (-"V"_{"ce"}+sqrt(("V"_{"ce"})^2+4*"R"_{"ce"}*(("T"_{"jmax"}-"T"_{"c"})/"R"_{"th(jc)"})))/(2*"R"_{"ce"})`

Beispiel

`"1.691553mA"=(-"21.56V"+sqrt(("21.56V")^2+4*"12.546kΩ"*(("283°C"-"250°C")/"0.456kΩ")))/(2*"12.546kΩ")`

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Nomineller kontinuierlicher Kollektorstrom des IGBT Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung

Gebrauchte Formel

Vorwärtsstrom = (-Gesamtspannung von Kollektor und Emitter+sqrt((Gesamtspannung von Kollektor und Emitter)^2+4*Widerstand von Kollektor und Emitter*((Maximaler Betriebsknotenpunkt-Gehäusetemperatur)/Wärmewiderstand)))/(2*Widerstand von Kollektor und Emitter)
I_f = (-V_ce+sqrt((V_ce)^2+4*R_ce*((T_jmax-T_c)/R_th(jc))))/(2*R_ce)
Diese formel verwendet 1 Funktionen, 6 Variablen

Verwendete Funktionen

sqrt - Eine Quadratwurzelfunktion ist eine Funktion, die eine nicht negative Zahl als Eingabe verwendet und die Quadratwurzel der gegebenen Eingabezahl zurückgibt., sqrt(Number)

Verwendete Variablen

Vorwärtsstrom - (Gemessen in Ampere) - Der Durchlassstrom eines IGBT ist der maximale Strom, der durch das Gerät fließen kann, wenn es eingeschaltet ist.
Gesamtspannung von Kollektor und Emitter - (Gemessen in Volt) - Die Gesamtspannung von Kollektor und Emitter eines IGBT wird als Kollektor-Emitter-Spannung (V) bezeichnet
Widerstand von Kollektor und Emitter - (Gemessen in Ohm) - Widerstand von Kollektor und Emitter eines IGBT, auch bekannt als Durchlasswiderstand (R
Maximaler Betriebsknotenpunkt - (Gemessen in Kelvin) - Die maximale Betriebssperrschichttemperatur (T
Gehäusetemperatur - (Gemessen in Kelvin) - Die Gehäusetemperatur eines IGBT ist die Temperatur des Metallgehäuses des IGBT. Sie wird typischerweise in Grad Celsius (°C) gemessen.
Wärmewiderstand - (Gemessen in Ohm) - Der Wärmewiderstand ist der Widerstand eines Materials gegenüber dem Wärmefluss. Es ist ein Maß dafür, wie gut ein Material Wärme leitet.

SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit

Gesamtspannung von Kollektor und Emitter: 21.56 Volt --> 21.56 Volt Keine Konvertierung erforderlich
Widerstand von Kollektor und Emitter: 12.546 Kiloohm --> 12546 Ohm (Überprüfen sie die konvertierung hier)
Maximaler Betriebsknotenpunkt: 283 Celsius --> 556.15 Kelvin (Überprüfen sie die konvertierung hier)
Gehäusetemperatur: 250 Celsius --> 523.15 Kelvin (Überprüfen sie die konvertierung hier)
Wärmewiderstand: 0.456 Kiloohm --> 456 Ohm (Überprüfen sie die konvertierung hier)

SCHRITT 2: Formel auswerten

Eingabewerte in Formel ersetzen

I_f = (-V_ce+sqrt((V_ce)^2+4*R_ce*((T_jmax-T_c)/R_th(jc))))/(2*R_ce) --> (-21.56+sqrt((21.56)^2+4*12546*((556.15-523.15)/456)))/(2*12546)

Auswerten ... ...

I_f = 0.00169155334065811

SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit

0.00169155334065811 Ampere -->1.69155334065811 Milliampere (Überprüfen sie die konvertierung hier)

ENDGÜLTIGE ANTWORT

1.69155334065811 ≈ 1.691553 Milliampere <-- Vorwärtsstrom

(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)

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Credits

Erstellt von Mohamed Fazil V

Acharya-Institut für Technologie (AIT), Bengaluru

Mohamed Fazil V hat diesen Rechner und 50+ weitere Rechner erstellt!

Geprüft von Parminder Singh

Chandigarh-Universität (KU), Punjab

Parminder Singh hat diesen Rechner und 600+ weitere Rechner verifiziert!

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Nomineller kontinuierlicher Kollektorstrom des IGBT

Gehen Vorwärtsstrom = (-Gesamtspannung von Kollektor und Emitter+sqrt((Gesamtspannung von Kollektor und Emitter)^2+4*Widerstand von Kollektor und Emitter*((Maximaler Betriebsknotenpunkt-Gehäusetemperatur)/Wärmewiderstand)))/(2*Widerstand von Kollektor und Emitter)

Spannungsabfall im IGBT im EIN-Zustand

Gehen Spannungsabfall auf der Stufe = Vorwärtsstrom*N-Kanal-Widerstand+Vorwärtsstrom*Driftwiderstand+Spannung PN-Anschluss 1

Sättigungsspannung des IGBT

Gehen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung = Basis-Emitter-Spannung des PNP-Transistors+Stromverbrauch*(Leitfähigkeitswiderstand+N-Kanal-Widerstand)

IGBT-Ausschaltzeit

Gehen Schalten Sie die Ausschaltzeit aus = Verzögerungszeit+Anfängliche Herbstzeit+Letzte Herbstzeit

Maximale Verlustleistung im IGBT

Gehen Maximale Verlustleistung = Maximaler Betriebsknotenpunkt/Kreuzung zum Case Angle

Eingangskapazität des IGBT

Gehen Eingangskapazität = Gate-Emitter-Kapazität+Gate-Kollektor-Kapazität

Durchbruchspannung des IGBT in Durchlassrichtung

Gehen Durchschlagsspannung im sicheren Betriebsbereich = (5.34*10^13)/((Positive Nettoladung)^(3/4))

Emitterstrom des IGBT

Gehen Emitterstrom = Lochstrom+Elektronischer Strom

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