Doorgangshoek Rekenmachine

✖Hoekfrequentie verwijst naar de snelheid waarmee een sinusoïdale golfvorm oscilleert in de context van elektrische circuits en signalen.ⓘ Hoekfrequentie [ω]			+10% -10%
✖Lengte van de driftruimte verwijst naar het gebied waar geladen deeltjes (elektronen of ionen) vrij bewegen onder invloed van een elektrisch of magnetisch veld.ⓘ Lengte van driftruimte [L]			+10% -10%
✖Carrier Drift Velocity verwijst naar de gemiddelde snelheid waarmee ladingsdragers door een geleidend medium bewegen als reactie op een aangelegd elektrisch veld.ⓘ Driftsnelheid van de drager [V_d]			+10% -10%

✖Transit Angle verwijst naar de tijd die ladingsdragers (elektronen of gaten) nodig hebben om door een halfgeleiderapparaat te reizen.ⓘ Doorgangshoek [θ_t]

⎘ Kopiëren

👎

Formule

✖

Doorgangshoek

Formule

`"θ"_{"t"} = "ω"*"L"/"V"_{"d"}`

Voorbeeld

`"29.54196rad"="53.25rad/s"*"3.57m"/"6.435V"`

Rekenmachine

LaTeX

Reset

👍

Downloaden Microgolf-halfgeleiders Formule Pdf PDF Image

Doorgangshoek Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening

Formule gebruikt

Doorgangshoek = Hoekfrequentie*Lengte van driftruimte/Driftsnelheid van de drager
θ_t = ω*L/V_d
Deze formule gebruikt 4 Variabelen

Variabelen gebruikt

Doorgangshoek - (Gemeten in radiaal) - Transit Angle verwijst naar de tijd die ladingsdragers (elektronen of gaten) nodig hebben om door een halfgeleiderapparaat te reizen.
Hoekfrequentie - (Gemeten in Radiaal per seconde) - Hoekfrequentie verwijst naar de snelheid waarmee een sinusoïdale golfvorm oscilleert in de context van elektrische circuits en signalen.
Lengte van driftruimte - (Gemeten in Meter) - Lengte van de driftruimte verwijst naar het gebied waar geladen deeltjes (elektronen of ionen) vrij bewegen onder invloed van een elektrisch of magnetisch veld.
Driftsnelheid van de drager - (Gemeten in Volt) - Carrier Drift Velocity verwijst naar de gemiddelde snelheid waarmee ladingsdragers door een geleidend medium bewegen als reactie op een aangelegd elektrisch veld.

STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid

Hoekfrequentie: 53.25 Radiaal per seconde --> 53.25 Radiaal per seconde Geen conversie vereist
Lengte van driftruimte: 3.57 Meter --> 3.57 Meter Geen conversie vereist
Driftsnelheid van de drager: 6.435 Volt --> 6.435 Volt Geen conversie vereist

STAP 2: Evalueer de formule

Invoerwaarden in formule vervangen

θ_t = ω*L/V_d --> 53.25*3.57/6.435

Evalueren ... ...

θ_t = 29.541958041958

STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer

29.541958041958 radiaal --> Geen conversie vereist

DEFINITIEVE ANTWOORD

29.541958041958 ≈ 29.54196 radiaal <-- Doorgangshoek

(Berekening voltooid in 00.020 seconden)

Je bevindt je hier -

Huis » Engineering » Elektronica » Magnetron theorie » Microgolf-halfgeleiders » Transistorversterkers » Doorgangshoek

Credits

Gemaakt door banuprakash

Dayananda Sagar College of Engineering (DSCE), Bangalore

banuprakash heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 50+ meer rekenmachines!

Geverifieërd door Dipanjona Mallick

Erfgoedinstituut voor technologie (HITK), Calcutta

Dipanjona Mallick heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 50+ rekenmachines!

< 10+ Transistorversterkers Rekenmachines

Vermogensversterking van de neerwaartse converter gegeven degradatiefactor

Gaan Vermogensversterking van de downconverter = Signaalfrequentie/Uitgangsfrequentie*(Signaalfrequentie/Uitgangsfrequentie*(Maat van verdienste)^2)/(1+sqrt(1+(Signaalfrequentie/Uitgangsfrequentie*(Maat van verdienste)^2)))^2

Versterkingsdegradatiefactor voor MESFET

Gaan Verkrijg degradatiefactor = Uitgangsfrequentie/Signaalfrequentie*(Signaalfrequentie/Uitgangsfrequentie*(Maat van verdienste)^2)/(1+sqrt(1+(Signaalfrequentie/Uitgangsfrequentie*(Maat van verdienste)^2)))^2

Ruisfactor GaAs MESFET

Gaan Ruisfactor = 1+2*Hoekfrequentie*Gate-broncapaciteit/Transconductantie van de MESFET*sqrt((Bron weerstand-Poort weerstand)/Ingangsweerstand)

Maximale bedrijfsfrequentie

Gaan Maximale bedrijfsfrequentie = MESFET-afsnijfrequentie/2*sqrt(Afvoerweerstand/(Bron weerstand+Ingangsweerstand+Weerstand tegen metallisatie van poorten))

Maximaal toegestaan vermogen

Gaan Maximaal toegestaan vermogen = 1/(Reactantie*Afsnijfrequentie transittijd^2)*(Maximaal elektrisch veld*Maximale verzadigingsdriftsnelheid/(2*pi))^2

Maximale vermogenswinst van microgolftransistor

Gaan Maximale vermogenswinst van een microgolftransistor = (Afsnijfrequentie transittijd/Frequentie van vermogensversterking)^2*Uitgangsimpedantie/Ingangsimpedantie

Transconductantie in het verzadigingsgebied in MESFET

Gaan Transconductantie van de MESFET = Uitgangsgeleiding*(1-sqrt((Ingangsspanning-Drempelspanning)/Afknijpspanning))

MESFET-afsnijfrequentie

Gaan MESFET-afsnijfrequentie = Transconductantie van de MESFET/(2*pi*Gate-broncapaciteit)

Doorgangshoek

Gaan Doorgangshoek = Hoekfrequentie*Lengte van driftruimte/Driftsnelheid van de drager

Maximale frequentie van oscillatie

Gaan Maximale frequentie van oscillatie = Verzadigingssnelheid/(2*pi*Kanaallengte)

Doorgangshoek Formule

Doorgangshoek = Hoekfrequentie*Lengte van driftruimte/Driftsnelheid van de drager
θ_t = ω*L/V_d

Huis

VRIJ PDF's

🔍 Zoeken

Categorieën

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!