Transitwinkel Taschenrechner

✖Die Winkelfrequenz bezeichnet die Geschwindigkeit, mit der eine sinusförmige Wellenform im Zusammenhang mit elektrischen Schaltkreisen und Signalen schwingt.ⓘ Winkelfrequenz [ω]			+10% -10%
✖Die Länge des Driftraums bezieht sich auf den Bereich, in dem sich geladene Teilchen (Elektronen oder Ionen) unter dem Einfluss eines elektrischen oder magnetischen Feldes frei bewegen.ⓘ Länge des Driftraums [L]			+10% -10%
✖Die Trägerdriftgeschwindigkeit bezieht sich auf die Durchschnittsgeschwindigkeit, mit der sich Ladungsträger als Reaktion auf ein angelegtes elektrisches Feld durch ein leitendes Medium bewegen.ⓘ Trägerdriftgeschwindigkeit [V_d]			+10% -10%

✖Der Transitwinkel bezieht sich auf die Zeit, die Ladungsträger (Elektronen oder Löcher) benötigen, um sich über ein Halbleiterbauelement zu bewegen.ⓘ Transitwinkel [θ_t]

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Formel

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Transitwinkel

Formel

`"θ"_{"t"} = "ω"*"L"/"V"_{"d"}`

Beispiel

`"29.54196rad"="53.25rad/s"*"3.57m"/"6.435V"`

Taschenrechner

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Transitwinkel Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung

Gebrauchte Formel

Transitwinkel = Winkelfrequenz*Länge des Driftraums/Trägerdriftgeschwindigkeit
θ_t = ω*L/V_d
Diese formel verwendet 4 Variablen

Verwendete Variablen

Transitwinkel - (Gemessen in Bogenmaß) - Der Transitwinkel bezieht sich auf die Zeit, die Ladungsträger (Elektronen oder Löcher) benötigen, um sich über ein Halbleiterbauelement zu bewegen.
Winkelfrequenz - (Gemessen in Radiant pro Sekunde) - Die Winkelfrequenz bezeichnet die Geschwindigkeit, mit der eine sinusförmige Wellenform im Zusammenhang mit elektrischen Schaltkreisen und Signalen schwingt.
Länge des Driftraums - (Gemessen in Meter) - Die Länge des Driftraums bezieht sich auf den Bereich, in dem sich geladene Teilchen (Elektronen oder Ionen) unter dem Einfluss eines elektrischen oder magnetischen Feldes frei bewegen.
Trägerdriftgeschwindigkeit - (Gemessen in Volt) - Die Trägerdriftgeschwindigkeit bezieht sich auf die Durchschnittsgeschwindigkeit, mit der sich Ladungsträger als Reaktion auf ein angelegtes elektrisches Feld durch ein leitendes Medium bewegen.

SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit

Winkelfrequenz: 53.25 Radiant pro Sekunde --> 53.25 Radiant pro Sekunde Keine Konvertierung erforderlich
Länge des Driftraums: 3.57 Meter --> 3.57 Meter Keine Konvertierung erforderlich
Trägerdriftgeschwindigkeit: 6.435 Volt --> 6.435 Volt Keine Konvertierung erforderlich

SCHRITT 2: Formel auswerten

Eingabewerte in Formel ersetzen

θ_t = ω*L/V_d --> 53.25*3.57/6.435

Auswerten ... ...

θ_t = 29.541958041958

SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit

29.541958041958 Bogenmaß --> Keine Konvertierung erforderlich

ENDGÜLTIGE ANTWORT

29.541958041958 ≈ 29.54196 Bogenmaß <-- Transitwinkel

(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)

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Credits

Erstellt von Banuprakash

Dayananda Sagar College of Engineering (DSCE), Bangalore

Banuprakash hat diesen Rechner und 50+ weitere Rechner erstellt!

Geprüft von Dipanjona Mallick

Heritage Institute of Technology (HITK), Kalkutta

Dipanjona Mallick hat diesen Rechner und 50+ weitere Rechner verifiziert!

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Leistungsgewinn des Abwärtswandlers bei gegebenem Degradationsfaktor

Gehen Leistungsverstärkung des Abwärtswandlers = Signalfrequenz/Ausgangsfrequenz*(Signalfrequenz/Ausgangsfrequenz*(Leistungszahl)^2)/(1+sqrt(1+(Signalfrequenz/Ausgangsfrequenz*(Leistungszahl)^2)))^2

Verstärkungsdegradationsfaktor für MESFET

Gehen Degradationsfaktor gewinnen = Ausgangsfrequenz/Signalfrequenz*(Signalfrequenz/Ausgangsfrequenz*(Leistungszahl)^2)/(1+sqrt(1+(Signalfrequenz/Ausgangsfrequenz*(Leistungszahl)^2)))^2

Rauschfaktor GaAs MESFET

Gehen Lärmfaktor = 1+2*Winkelfrequenz*Gate-Source-Kapazität/Transkonduktanz des MESFET*sqrt((Quellenwiderstand-Gate-Widerstand)/Eingangswiderstand)

Maximale Betriebsfrequenz

Gehen Maximale Betriebsfrequenz = MESFET-Grenzfrequenz/2*sqrt(Abflusswiderstand/(Quellenwiderstand+Eingangswiderstand+Widerstand der Gate-Metallisierung))

Maximal zulässige Leistung

Gehen Maximal zulässige Leistung = 1/(Reaktanz*Transitzeit-Grenzfrequenz^2)*(Maximales elektrisches Feld*Maximale Sättigungsdriftgeschwindigkeit/(2*pi))^2

Maximale Leistungsverstärkung des Mikrowellentransistors

Gehen Maximale Leistungsverstärkung eines Mikrowellentransistors = (Transitzeit-Grenzfrequenz/Frequenz der Leistungsverstärkung)^2*Ausgangsimpedanz/Eingangsimpedanz

Transkonduktanz im Sättigungsbereich im MESFET

Gehen Transkonduktanz des MESFET = Ausgangsleitfähigkeit*(1-sqrt((Eingangsspannung-Grenzspannung)/Abschnürspannung))

MESFET-Grenzfrequenz

Gehen MESFET-Grenzfrequenz = Transkonduktanz des MESFET/(2*pi*Gate-Source-Kapazität)

Transitwinkel

Gehen Transitwinkel = Winkelfrequenz*Länge des Driftraums/Trägerdriftgeschwindigkeit

Maximale Schwingungsfrequenz

Gehen Maximale Schwingungsfrequenz = Sättigungsgeschwindigkeit/(2*pi*Kanallänge)

Transitwinkel Formel

Transitwinkel = Winkelfrequenz*Länge des Driftraums/Trägerdriftgeschwindigkeit
θ_t = ω*L/V_d

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