Transconductantie in het verzadigingsgebied in MESFET Rekenmachine

✖Uitgangsgeleiding is een parameter die het gedrag van een veldeffecttransistor (FET) in zijn verzadigingsgebied karakteriseert.ⓘ Uitgangsgeleiding [g₀]			+10% -10%
✖Ingangsspanning is het elektrische potentiaalverschil dat wordt toegepast op de ingangsklemmen van een component of systeem.ⓘ Ingangsspanning [V_i]			+10% -10%
✖Drempelspanning wordt de spanning genoemd waarbij de transistor begint te geleiden.ⓘ Drempelspanning [V_G]			+10% -10%
✖Afknijpspanning vertegenwoordigt de poortbronspanning waarbij het kanaal van de MESFET sluit, of "afknijpt".ⓘ Afknijpspanning [V_p]			+10% -10%

✖Transconductantie van de MESFET is een sleutelparameter in MESFET's, die de verandering in drainstroom vertegenwoordigt ten opzichte van de verandering in gate-source-spanning.ⓘ Transconductantie in het verzadigingsgebied in MESFET [G_m]

⎘ Kopiëren

👎

Formule

✖

Transconductantie in het verzadigingsgebied in MESFET

Formule

`"G"_{"m"} = "g"_{"0"}*(1-sqrt(("V"_{"i"}-"V"_{"G"})/"V"_{"p"}))`

Voorbeeld

`"0.063072S"="0.152S"*(1-sqrt(("2.25V"-"1.562V")/"2.01V"))`

Rekenmachine

LaTeX

Reset

👍

Downloaden Microgolf-halfgeleiders Formule Pdf PDF Image

Transconductantie in het verzadigingsgebied in MESFET Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening

Formule gebruikt

Transconductantie van de MESFET = Uitgangsgeleiding*(1-sqrt((Ingangsspanning-Drempelspanning)/Afknijpspanning))
G_m = g₀*(1-sqrt((V_i-V_G)/V_p))
Deze formule gebruikt 1 Functies, 5 Variabelen

Functies die worden gebruikt

sqrt - Een vierkantswortelfunctie is een functie die een niet-negatief getal als invoer neemt en de vierkantswortel van het gegeven invoergetal retourneert., sqrt(Number)

Variabelen gebruikt

Transconductantie van de MESFET - (Gemeten in Siemens) - Transconductantie van de MESFET is een sleutelparameter in MESFET's, die de verandering in drainstroom vertegenwoordigt ten opzichte van de verandering in gate-source-spanning.
Uitgangsgeleiding - (Gemeten in Siemens) - Uitgangsgeleiding is een parameter die het gedrag van een veldeffecttransistor (FET) in zijn verzadigingsgebied karakteriseert.
Ingangsspanning - (Gemeten in Volt) - Ingangsspanning is het elektrische potentiaalverschil dat wordt toegepast op de ingangsklemmen van een component of systeem.
Drempelspanning - (Gemeten in Volt) - Drempelspanning wordt de spanning genoemd waarbij de transistor begint te geleiden.
Afknijpspanning - (Gemeten in Volt) - Afknijpspanning vertegenwoordigt de poortbronspanning waarbij het kanaal van de MESFET sluit, of "afknijpt".

STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid

Uitgangsgeleiding: 0.152 Siemens --> 0.152 Siemens Geen conversie vereist
Ingangsspanning: 2.25 Volt --> 2.25 Volt Geen conversie vereist
Drempelspanning: 1.562 Volt --> 1.562 Volt Geen conversie vereist
Afknijpspanning: 2.01 Volt --> 2.01 Volt Geen conversie vereist

STAP 2: Evalueer de formule

Invoerwaarden in formule vervangen

G_m = g₀*(1-sqrt((V_i-V_G)/V_p)) --> 0.152*(1-sqrt((2.25-1.562)/2.01))

Evalueren ... ...

G_m = 0.0630717433777618

STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer

0.0630717433777618 Siemens --> Geen conversie vereist

DEFINITIEVE ANTWOORD

0.0630717433777618 ≈ 0.063072 Siemens <-- Transconductantie van de MESFET

(Berekening voltooid in 00.004 seconden)

Je bevindt je hier -

Huis » Engineering » Elektronica » Magnetron theorie » Microgolf-halfgeleiders » Transistorversterkers » Transconductantie in het verzadigingsgebied in MESFET

Credits

Gemaakt door banuprakash

Dayananda Sagar College of Engineering (DSCE), Bangalore

banuprakash heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 50+ meer rekenmachines!

Geverifieërd door Dipanjona Mallick

Erfgoedinstituut voor technologie (HITK), Calcutta

Dipanjona Mallick heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 50+ rekenmachines!

< 10+ Transistorversterkers Rekenmachines

Vermogensversterking van de neerwaartse converter gegeven degradatiefactor

Gaan Vermogensversterking van de downconverter = Signaalfrequentie/Uitgangsfrequentie*(Signaalfrequentie/Uitgangsfrequentie*(Maat van verdienste)^2)/(1+sqrt(1+(Signaalfrequentie/Uitgangsfrequentie*(Maat van verdienste)^2)))^2

Versterkingsdegradatiefactor voor MESFET

Gaan Verkrijg degradatiefactor = Uitgangsfrequentie/Signaalfrequentie*(Signaalfrequentie/Uitgangsfrequentie*(Maat van verdienste)^2)/(1+sqrt(1+(Signaalfrequentie/Uitgangsfrequentie*(Maat van verdienste)^2)))^2

Ruisfactor GaAs MESFET

Gaan Ruisfactor = 1+2*Hoekfrequentie*Gate-broncapaciteit/Transconductantie van de MESFET*sqrt((Bron weerstand-Poort weerstand)/Ingangsweerstand)

Maximale bedrijfsfrequentie

Gaan Maximale bedrijfsfrequentie = MESFET-afsnijfrequentie/2*sqrt(Afvoerweerstand/(Bron weerstand+Ingangsweerstand+Weerstand tegen metallisatie van poorten))

Maximaal toegestaan vermogen

Gaan Maximaal toegestaan vermogen = 1/(Reactantie*Afsnijfrequentie transittijd^2)*(Maximaal elektrisch veld*Maximale verzadigingsdriftsnelheid/(2*pi))^2

Maximale vermogenswinst van microgolftransistor

Gaan Maximale vermogenswinst van een microgolftransistor = (Afsnijfrequentie transittijd/Frequentie van vermogensversterking)^2*Uitgangsimpedantie/Ingangsimpedantie

Transconductantie in het verzadigingsgebied in MESFET

Gaan Transconductantie van de MESFET = Uitgangsgeleiding*(1-sqrt((Ingangsspanning-Drempelspanning)/Afknijpspanning))

MESFET-afsnijfrequentie

Gaan MESFET-afsnijfrequentie = Transconductantie van de MESFET/(2*pi*Gate-broncapaciteit)

Doorgangshoek

Gaan Doorgangshoek = Hoekfrequentie*Lengte van driftruimte/Driftsnelheid van de drager

Maximale frequentie van oscillatie

Gaan Maximale frequentie van oscillatie = Verzadigingssnelheid/(2*pi*Kanaallengte)

Transconductantie in het verzadigingsgebied in MESFET Formule

Transconductantie van de MESFET = Uitgangsgeleiding*(1-sqrt((Ingangsspanning-Drempelspanning)/Afknijpspanning))
G_m = g₀*(1-sqrt((V_i-V_G)/V_p))

Huis

VRIJ PDF's

🔍 Zoeken

Categorieën

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!