Kąt przejścia Kalkulator

✖Częstotliwość kątowa odnosi się do szybkości, z jaką oscyluje przebieg sinusoidalny w kontekście obwodów elektrycznych i sygnałów.ⓘ Częstotliwość kątowa [ω]			+10% -10%
✖Długość przestrzeni dryfu odnosi się do obszaru, w którym naładowane cząstki (elektrony lub jony) poruszają się swobodnie pod wpływem pola elektrycznego lub magnetycznego.ⓘ Długość przestrzeni dryfu [L]			+10% -10%
✖Prędkość dryfu nośnika odnosi się do średniej prędkości, z jaką nośniki ładunku poruszają się w ośrodku przewodzącym w odpowiedzi na przyłożone pole elektryczne.ⓘ Prędkość dryfu przewoźnika [V_d]			+10% -10%

✖Kąt przejścia odnosi się do czasu potrzebnego nośnikom ładunku (elektronom lub dziurom) na podróż przez urządzenie półprzewodnikowe.ⓘ Kąt przejścia [θ_t]

⎘ Kopiuj

👎

Formuła

✖

Kąt przejścia

Formuła

`"θ"_{"t"} = "ω"*"L"/"V"_{"d"}`

Przykład

`"29.54196rad"="53.25rad/s"*"3.57m"/"6.435V"`

Kalkulator

LaTeX

Resetowanie

👍

Pobierać Mikrofalowe urządzenia półprzewodnikowe Formułę PDF PDF Image

Kąt przejścia Rozwiązanie

KROK 0: Podsumowanie wstępnych obliczeń

Formułę używana

Kąt przejścia = Częstotliwość kątowa*Długość przestrzeni dryfu/Prędkość dryfu przewoźnika
θ_t = ω*L/V_d
Ta formuła używa 4 Zmienne

Używane zmienne

Kąt przejścia - (Mierzone w Radian) - Kąt przejścia odnosi się do czasu potrzebnego nośnikom ładunku (elektronom lub dziurom) na podróż przez urządzenie półprzewodnikowe.
Częstotliwość kątowa - (Mierzone w Radian na sekundę) - Częstotliwość kątowa odnosi się do szybkości, z jaką oscyluje przebieg sinusoidalny w kontekście obwodów elektrycznych i sygnałów.
Długość przestrzeni dryfu - (Mierzone w Metr) - Długość przestrzeni dryfu odnosi się do obszaru, w którym naładowane cząstki (elektrony lub jony) poruszają się swobodnie pod wpływem pola elektrycznego lub magnetycznego.
Prędkość dryfu przewoźnika - (Mierzone w Wolt) - Prędkość dryfu nośnika odnosi się do średniej prędkości, z jaką nośniki ładunku poruszają się w ośrodku przewodzącym w odpowiedzi na przyłożone pole elektryczne.

KROK 1: Zamień wejście (a) na jednostkę bazową

Częstotliwość kątowa: 53.25 Radian na sekundę --> 53.25 Radian na sekundę Nie jest wymagana konwersja
Długość przestrzeni dryfu: 3.57 Metr --> 3.57 Metr Nie jest wymagana konwersja
Prędkość dryfu przewoźnika: 6.435 Wolt --> 6.435 Wolt Nie jest wymagana konwersja

KROK 2: Oceń formułę

Zastępowanie wartości wejściowych we wzorze

θ_t = ω*L/V_d --> 53.25*3.57/6.435

Ocenianie ... ...

θ_t = 29.541958041958

KROK 3: Konwertuj wynik na jednostkę wyjścia

29.541958041958 Radian --> Nie jest wymagana konwersja

OSTATNIA ODPOWIEDŹ

29.541958041958 ≈ 29.54196 Radian <-- Kąt przejścia

(Obliczenie zakończone za 00.020 sekund)

Jesteś tutaj -

Dom » Inżynieria » Elektronika » Teoria mikrofalowa » Mikrofalowe urządzenia półprzewodnikowe » Wzmacniacze tranzystorowe » Kąt przejścia

Kredyty

Stworzone przez banuprakasz

Szkoła Inżynierska Dayananda Sagar (DSCE), Bangalore

banuprakasz utworzył ten kalkulator i 50+ więcej kalkulatorów!

Zweryfikowane przez Dipanjona Mallick

Instytut Dziedzictwa Technologicznego (UDERZENIE), Kalkuta

Dipanjona Mallick zweryfikował ten kalkulator i 50+ więcej kalkulatorów!

< 10+ Wzmacniacze tranzystorowe Kalkulatory

Zysk mocy konwertera obniżającego, biorąc pod uwagę współczynnik degradacji

Iść Wzmocnienie mocy konwertera obniżającego = Częstotliwość sygnału/Częstotliwość wyjściowa*(Częstotliwość sygnału/Częstotliwość wyjściowa*(Figura Zasługi)^2)/(1+sqrt(1+(Częstotliwość sygnału/Częstotliwość wyjściowa*(Figura Zasługi)^2)))^2

Uzyskaj współczynnik degradacji dla MESFET

Iść Zyskaj współczynnik degradacji = Częstotliwość wyjściowa/Częstotliwość sygnału*(Częstotliwość sygnału/Częstotliwość wyjściowa*(Figura Zasługi)^2)/(1+sqrt(1+(Częstotliwość sygnału/Częstotliwość wyjściowa*(Figura Zasługi)^2)))^2

Współczynnik szumu GaAs MESFET

Iść Współczynnik hałasu = 1+2*Częstotliwość kątowa*Pojemność źródła bramki/Transkonduktancja MESFET-u*sqrt((Opór źródła-Opór bramy)/Rezystancja wejściowa)

Maksymalna częstotliwość robocza

Iść Maksymalna częstotliwość robocza = Częstotliwość odcięcia MESFET/2*sqrt(Odporność na drenaż/(Opór źródła+Rezystancja wejściowa+Odporność na metalizację bramy))

Maksymalna dopuszczalna moc

Iść Maksymalna dopuszczalna moc = 1/(Reaktancja*Częstotliwość graniczna czasu tranzytu^2)*(Maksymalne pole elektryczne*Maksymalna prędkość dryfu nasycenia/(2*pi))^2

Maksymalne wzmocnienie mocy tranzystora mikrofalowego

Iść Maksymalne wzmocnienie mocy tranzystora mikrofalowego = (Częstotliwość graniczna czasu tranzytu/Częstotliwość wzmocnienia mocy)^2*Impedancja wyjściowa/Impedancja wejściowa

Transkonduktancja w obszarze nasycenia w MESFET

Iść Transkonduktancja MESFET-u = Przewodność wyjściowa*(1-sqrt((Napięcie wejściowe-Próg napięcia)/Napięcie odcięcia))

Częstotliwość odcięcia MESFET

Iść Częstotliwość odcięcia MESFET = Transkonduktancja MESFET-u/(2*pi*Pojemność źródła bramki)

Kąt przejścia

Iść Kąt przejścia = Częstotliwość kątowa*Długość przestrzeni dryfu/Prędkość dryfu przewoźnika

Maksymalna częstotliwość oscylacji

Iść Maksymalna częstotliwość oscylacji = Prędkość nasycenia/(2*pi*Długość kanału)

Kąt przejścia Formułę

Kąt przejścia = Częstotliwość kątowa*Długość przestrzeni dryfu/Prędkość dryfu przewoźnika
θ_t = ω*L/V_d

Dom

BEZPŁATNY pliki PDF

🔍 Szukaj

Kategorie

Dzielić

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!