Angle de transit Calculatrice

✖La fréquence angulaire fait référence à la vitesse à laquelle une forme d'onde sinusoïdale oscille dans le contexte de circuits et de signaux électriques.ⓘ Fréquence angulaire [ω]			+10% -10%
✖La longueur de l'espace de dérive fait référence à la région où les particules chargées (électrons ou ions) se déplacent librement sous l'influence d'un champ électrique ou magnétique.ⓘ Longueur de l'espace de dérive [L]			+10% -10%
✖La vitesse de dérive des porteurs fait référence à la vitesse moyenne à laquelle les porteurs de charge se déplacent dans un milieu conducteur en réponse à un champ électrique appliqué.ⓘ Vitesse de dérive du transporteur [V_d]			+10% -10%

✖L'angle de transit fait référence au temps nécessaire aux porteurs de charge (électrons ou trous) pour traverser un dispositif semi-conducteur.ⓘ Angle de transit [θ_t]

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Formule

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Angle de transit

Formule

`"θ"_{"t"} = "ω"*"L"/"V"_{"d"}`

Exemple

`"29.54196rad"="53.25rad/s"*"3.57m"/"6.435V"`

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Angle de transit Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul

Formule utilisée

Angle de transit = Fréquence angulaire*Longueur de l'espace de dérive/Vitesse de dérive du transporteur
θ_t = ω*L/V_d
Cette formule utilise 4 Variables

Variables utilisées

Angle de transit - (Mesuré en Radian) - L'angle de transit fait référence au temps nécessaire aux porteurs de charge (électrons ou trous) pour traverser un dispositif semi-conducteur.
Fréquence angulaire - (Mesuré en Radian par seconde) - La fréquence angulaire fait référence à la vitesse à laquelle une forme d'onde sinusoïdale oscille dans le contexte de circuits et de signaux électriques.
Longueur de l'espace de dérive - (Mesuré en Mètre) - La longueur de l'espace de dérive fait référence à la région où les particules chargées (électrons ou ions) se déplacent librement sous l'influence d'un champ électrique ou magnétique.
Vitesse de dérive du transporteur - (Mesuré en Volt) - La vitesse de dérive des porteurs fait référence à la vitesse moyenne à laquelle les porteurs de charge se déplacent dans un milieu conducteur en réponse à un champ électrique appliqué.

ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base

Fréquence angulaire: 53.25 Radian par seconde --> 53.25 Radian par seconde Aucune conversion requise
Longueur de l'espace de dérive: 3.57 Mètre --> 3.57 Mètre Aucune conversion requise
Vitesse de dérive du transporteur: 6.435 Volt --> 6.435 Volt Aucune conversion requise

ÉTAPE 2: Évaluer la formule

Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule

θ_t = ω*L/V_d --> 53.25*3.57/6.435

Évaluer ... ...

θ_t = 29.541958041958

ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie

29.541958041958 Radian --> Aucune conversion requise

RÉPONSE FINALE

29.541958041958 ≈ 29.54196 Radian <-- Angle de transit

(Calcul effectué en 00.004 secondes)

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Crédits

Créé par banuprakash

Collège d'ingénierie Dayananda Sagar (DSCE), Bangalore

banuprakash a créé cette calculatrice et 50+ autres calculatrices!

Vérifié par Dipanjona Mallick

Institut du patrimoine de technologie (HITK), Calcutta

Dipanjona Mallick a validé cette calculatrice et 50+ autres calculatrices!

< 10+ Amplificateurs à transistors Calculatrices

Gain de puissance du convertisseur abaisseur compte tenu du facteur de dégradation

Aller Gain de puissance du convertisseur abaisseur = Fréquence du signal/Fréquence de sortie*(Fréquence du signal/Fréquence de sortie*(Symbole de mérite)^2)/(1+sqrt(1+(Fréquence du signal/Fréquence de sortie*(Symbole de mérite)^2)))^2

Gain du facteur de dégradation pour MESFET

Aller Gain du facteur de dégradation = Fréquence de sortie/Fréquence du signal*(Fréquence du signal/Fréquence de sortie*(Symbole de mérite)^2)/(1+sqrt(1+(Fréquence du signal/Fréquence de sortie*(Symbole de mérite)^2)))^2

Facteur de bruit GaAs MESFET

Aller Facteur de bruit = 1+2*Fréquence angulaire*Capacité de la source de porte/Transconductance du MESFET*sqrt((Résistance à la source-Résistance de porte)/Résistance d'entrée)

Fréquence de fonctionnement maximale

Aller Fréquence de fonctionnement maximale = Fréquence de coupure MESFET/2*sqrt(Résistance aux fuites/(Résistance à la source+Résistance d'entrée+Résistance de métallisation de porte))

Puissance maximale autorisée

Aller Puissance maximale autorisée = 1/(Réactance*Fréquence limite du temps de transit^2)*(Champ électrique maximal*Vitesse maximale de dérive de saturation/(2*pi))^2

Gain de puissance maximal du transistor micro-ondes

Aller Gain de puissance maximal d'un transistor micro-ondes = (Fréquence limite du temps de transit/Fréquence de gain de puissance)^2*Impédance de sortie/Impédance d'entrée

Transconductance dans la région de saturation dans MESFET

Aller Transconductance du MESFET = Conductance de sortie*(1-sqrt((Tension d'entrée-Tension de seuil)/Tension de pincement))

Angle de transit

Aller Angle de transit = Fréquence angulaire*Longueur de l'espace de dérive/Vitesse de dérive du transporteur

Fréquence de coupure MESFET

Aller Fréquence de coupure MESFET = Transconductance du MESFET/(2*pi*Capacité de la source de porte)

Fréquence maximale d'oscillation

Aller Fréquence maximale d'oscillation = Vitesse de saturation/(2*pi*Longueur du canal)

Angle de transit Formule

Angle de transit = Fréquence angulaire*Longueur de l'espace de dérive/Vitesse de dérive du transporteur
θ_t = ω*L/V_d

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