Ângulo de Trânsito Calculadora

✖Frequência angular refere-se à taxa na qual uma forma de onda senoidal oscila no contexto de circuitos e sinais elétricos.ⓘ Frequência angular [ω]			+10% -10%
✖O comprimento do espaço de deriva refere-se à região onde as partículas carregadas (elétrons ou íons) se movem livremente sob a influência de um campo elétrico ou magnético.ⓘ Comprimento do espaço de deriva [L]			+10% -10%
✖A velocidade de deriva da portadora refere-se à velocidade média com a qual os portadores de carga se movem através de um meio condutor em resposta a um campo elétrico aplicado.ⓘ Velocidade de deriva do transportador [V_d]			+10% -10%

✖O ângulo de trânsito refere-se ao tempo que os portadores de carga (elétrons ou lacunas) levam para viajar através de um dispositivo semicondutor.ⓘ Ângulo de Trânsito [θ_t]

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Fórmula

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Ângulo de Trânsito

Fórmula

`"θ"_{"t"} = "ω"*"L"/"V"_{"d"}`

Exemplo

`"29.54196rad"="53.25rad/s"*"3.57m"/"6.435V"`

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Ângulo de Trânsito Solução

ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo

Fórmula Usada

Ângulo de Trânsito = Frequência angular*Comprimento do espaço de deriva/Velocidade de deriva do transportador
θ_t = ω*L/V_d
Esta fórmula usa 4 Variáveis

Variáveis Usadas

Ângulo de Trânsito - (Medido em Radiano) - O ângulo de trânsito refere-se ao tempo que os portadores de carga (elétrons ou lacunas) levam para viajar através de um dispositivo semicondutor.
Frequência angular - (Medido em Radiano por Segundo) - Frequência angular refere-se à taxa na qual uma forma de onda senoidal oscila no contexto de circuitos e sinais elétricos.
Comprimento do espaço de deriva - (Medido em Metro) - O comprimento do espaço de deriva refere-se à região onde as partículas carregadas (elétrons ou íons) se movem livremente sob a influência de um campo elétrico ou magnético.
Velocidade de deriva do transportador - (Medido em Volt) - A velocidade de deriva da portadora refere-se à velocidade média com a qual os portadores de carga se movem através de um meio condutor em resposta a um campo elétrico aplicado.

ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base

Frequência angular: 53.25 Radiano por Segundo --> 53.25 Radiano por Segundo Nenhuma conversão necessária
Comprimento do espaço de deriva: 3.57 Metro --> 3.57 Metro Nenhuma conversão necessária
Velocidade de deriva do transportador: 6.435 Volt --> 6.435 Volt Nenhuma conversão necessária

ETAPA 2: Avalie a Fórmula

Substituindo valores de entrada na fórmula

θ_t = ω*L/V_d --> 53.25*3.57/6.435

Avaliando ... ...

θ_t = 29.541958041958

PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída

29.541958041958 Radiano --> Nenhuma conversão necessária

RESPOSTA FINAL

29.541958041958 ≈ 29.54196 Radiano <-- Ângulo de Trânsito

(Cálculo concluído em 00.004 segundos)

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Créditos

Criado por banuprakash

Faculdade de Engenharia Dayananda Sagar (DSCE), Bangalore

banuprakash criou esta calculadora e mais 50+ calculadoras!

Verificado por Dipanjona Mallick

Instituto Patrimonial de Tecnologia (HITK), Calcutá

Dipanjona Mallick verificou esta calculadora e mais 50+ calculadoras!

< 10+ Amplificadores transistorizados Calculadoras

Ganho de potência do conversor descendente dado o Fator de Degradação

Vai Ganho de potência do conversor descendente = Frequência do sinal/Frequência de saída*(Frequência do sinal/Frequência de saída*(Figura de mérito)^2)/(1+sqrt(1+(Frequência do sinal/Frequência de saída*(Figura de mérito)^2)))^2

Ganhe fator de degradação para MESFET

Vai Ganhe fator de degradação = Frequência de saída/Frequência do sinal*(Frequência do sinal/Frequência de saída*(Figura de mérito)^2)/(1+sqrt(1+(Frequência do sinal/Frequência de saída*(Figura de mérito)^2)))^2

Fator de Ruído GaAs MESFET

Vai Fator de ruído = 1+2*Frequência angular*Capacitância da Fonte da Porta/Transcondutância do MESFET*sqrt((Resistência da Fonte-Resistência do portão)/Resistência de entrada)

Frequência máxima de operação

Vai Frequência máxima de operação = Frequência de corte MESFET/2*sqrt(Resistência à drenagem/(Resistência da Fonte+Resistência de entrada+Resistência à Metalização de Portas))

Potência máxima permitida

Vai Potência máxima permitida = 1/(Reatância*Frequência de corte do tempo de trânsito^2)*(Campo Elétrico Máximo*Velocidade máxima de desvio de saturação/(2*pi))^2

Ganho máximo de potência do transistor de microondas

Vai Ganho máximo de potência de um transistor de micro-ondas = (Frequência de corte do tempo de trânsito/Frequência de ganho de potência)^2*Impedância de saída/Impedância de entrada

Transcondutância na região de saturação no MESFET

Vai Transcondutância do MESFET = Condutância de saída*(1-sqrt((Tensão de entrada-Tensão de limiar)/Tensão de pinçamento))

Ângulo de Trânsito

Vai Ângulo de Trânsito = Frequência angular*Comprimento do espaço de deriva/Velocidade de deriva do transportador

Frequência de corte MESFET

Vai Frequência de corte MESFET = Transcondutância do MESFET/(2*pi*Capacitância da Fonte da Porta)

Frequência Máxima de Oscilação

Vai Frequência Máxima de Oscilação = Velocidade de saturação/(2*pi*Comprimento do canal)

Ângulo de Trânsito Fórmula

Ângulo de Trânsito = Frequência angular*Comprimento do espaço de deriva/Velocidade de deriva do transportador
θ_t = ω*L/V_d

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