Domieszkowanie w technologii CMOS stosuje się w celu wprowadzenia zanieczyszczeń do materiału półprzewodnikowego w celu zmiany jego właściwości elektrycznych. Dodając domieszki można zwiększyć liczbę wolnych nośników ładunku (elektronów lub dziur), co pozwala na większą kontrolę nad zachowaniem elektrycznym urządzenia. Jest to niezbędne do tworzenia wysokowydajnych obwodów CMOS, które wykorzystują zarówno tranzystory typu n, jak i typu p.