Largura de transição do CMOS Calculadora

↳

Eletrônicos

Ciência de materiais

Civil

Elétrico

Eletrônica e Instrumentação

Engenharia de Produção

Engenheiro químico

Mecânico

⤿

Características do circuito CMOS

Características de atraso CMOS

Características de projeto CMOS

Características de tempo CMOS

Inversores CMOS

Métricas de potência CMOS

Subsistema de Datapath de matriz

Subsistema de finalidade especial CMOS

✖A capacitância de sobreposição de porta MOS é uma capacitância que vem da construção do próprio dispositivo e geralmente está associada às suas junções PN internas.ⓘ Capacitância de sobreposição de porta MOS [C_mos]			+10% -10%
✖A capacitância da porta MOS é um fator importante no cálculo da capacitância de sobreposição da porta.ⓘ Capacitância da Porta MOS [C_gs]			+10% -10%

✖A largura de transição é definida como o aumento na largura quando a tensão do dreno para a fonte aumenta, resultando na transição da região do triodo para a região de saturação.ⓘ Largura de transição do CMOS [W]

⎘ Cópia De

👎

Fórmula

✖

Largura de transição do CMOS

Fórmula

`"W" = "C"_{"mos"}/"C"_{"gs"}`

Exemplo

`"89.82036mm"="1.8μF"/"20.04μF"`

Calculadora

LaTeX

Redefinir

👍

Download Características do circuito CMOS Fórmulas PDF PDF Image

Largura de transição do CMOS Solução

ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo

Fórmula Usada

Largura da transição = Capacitância de sobreposição de porta MOS/Capacitância da Porta MOS
W = C_mos/C_gs
Esta fórmula usa 3 Variáveis

Variáveis Usadas

Largura da transição - (Medido em Metro) - A largura de transição é definida como o aumento na largura quando a tensão do dreno para a fonte aumenta, resultando na transição da região do triodo para a região de saturação.
Capacitância de sobreposição de porta MOS - (Medido em Farad) - A capacitância de sobreposição de porta MOS é uma capacitância que vem da construção do próprio dispositivo e geralmente está associada às suas junções PN internas.
Capacitância da Porta MOS - (Medido em Farad) - A capacitância da porta MOS é um fator importante no cálculo da capacitância de sobreposição da porta.

ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base

Capacitância de sobreposição de porta MOS: 1.8 Microfarad --> 1.8E-06 Farad (Verifique a conversão aqui)
Capacitância da Porta MOS: 20.04 Microfarad --> 2.004E-05 Farad (Verifique a conversão aqui)

ETAPA 2: Avalie a Fórmula

Substituindo valores de entrada na fórmula

W = C_mos/C_gs --> 1.8E-06/2.004E-05

Avaliando ... ...

W = 0.0898203592814371

PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída

0.0898203592814371 Metro -->89.8203592814371 Milímetro (Verifique a conversão aqui)

RESPOSTA FINAL

89.8203592814371 ≈ 89.82036 Milímetro <-- Largura da transição

(Cálculo concluído em 00.004 segundos)

Você está aqui -

Casa » Engenharia » Eletrônicos » Design e aplicações CMOS » Características do circuito CMOS » Largura de transição do CMOS

Créditos

Criado por Shobhit Dimri

Instituto de Tecnologia Bipin Tripathi Kumaon (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri criou esta calculadora e mais 900+ calculadoras!

Verificado por Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod verificou esta calculadora e mais 1900+ calculadoras!

< 15 Características do circuito CMOS Calculadoras

Capacitância efetiva em CMOS

Vai Capacitância Efetiva em CMOS = Ciclo de trabalho*(Desatualizado*(10^(Tensão do Coletor Base)))/(Portões no Caminho Crítico*[BoltZ]*Tensão do Coletor Base)

Permissividade da Camada de Óxido

Vai Permissividade da camada de óxido = Espessura da Camada de Óxido*Capacitância da porta de entrada/(Largura do portão*Comprimento do portão)

Espessura da Camada de Óxido

Vai Espessura da Camada de Óxido = Permissividade da camada de óxido*Largura do portão*Comprimento do portão/Capacitância da porta de entrada

Largura do Portão

Vai Largura do portão = Capacitância da porta de entrada/(Capacitância da camada de óxido de porta*Comprimento do portão)

Perímetro de Difusão de Fonte de Parede Lateral

Vai Perímetro da parede lateral de difusão da fonte = (2*Largura da transição)+(2*Comprimento da Fonte)

Largura de transição do CMOS

Vai Largura da transição = Capacitância de sobreposição de porta MOS/Capacitância da Porta MOS

Largura da região de depleção

Vai Largura da região de esgotamento = Comprimento da junção PN-Comprimento Efetivo do Canal

Comprimento Efetivo do Canal

Vai Comprimento Efetivo do Canal = Comprimento da junção PN-Largura da região de esgotamento

Comprimento da junção PN

Vai Comprimento da junção PN = Largura da região de esgotamento+Comprimento Efetivo do Canal

Campo Elétrico Crítico

Vai Campo Elétrico Crítico = (2*Saturação de velocidade)/Mobilidade do Elétron

CMOS significa caminho livre

Vai Significa caminho livre = Tensão Crítica em CMOS/Campo Elétrico Crítico

Tensão Crítica CMOS

Vai Tensão Crítica em CMOS = Campo Elétrico Crítico*Significa caminho livre

Largura da Difusão da Fonte

Vai Largura da transição = Área de Difusão de Fonte/Comprimento da Fonte

Área de Difusão de Fonte

Vai Área de Difusão de Fonte = Comprimento da Fonte*Largura da transição

Tensão no Mínimo EDP

Vai Tensão no EDP Mínimo = (3*Tensão de limiar)/(3-Fator de atividade)

Largura de transição do CMOS Fórmula

Largura da transição = Capacitância de sobreposição de porta MOS/Capacitância da Porta MOS
W = C_mos/C_gs

Qual é a necessidade de doping no CMOS?

A dopagem na tecnologia CMOS é usada para introduzir impurezas no material semicondutor para alterar suas propriedades elétricas. Ao adicionar dopantes, o número de portadores de carga livres (elétrons ou lacunas) pode ser aumentado, o que permite maior controle sobre o comportamento elétrico do dispositivo. Isso é essencial para a criação de circuitos CMOS de alto desempenho que usam transistores tipo n e tipo p.

Casa

LIVRE PDFs

🔍 Procurar

Categorias

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!