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Calculadora Ancho de transición de CMOS

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✖La capacitancia de superposición de puerta MOS es una capacitancia que proviene de la construcción del propio dispositivo y generalmente está asociada con sus uniones PN internas.ⓘ Capacitancia de superposición de puerta MOS [Cmos]
+10%
-10%
✖La capacitancia de la puerta MOS es un factor importante en el cálculo de la capacitancia de superposición de la puerta.ⓘ Capacitancia de puerta MOS [Cgs]
+10%
-10%
✖El ancho de transición se define como el aumento del ancho cuando aumenta el voltaje drenaje-fuente, lo que da como resultado que la región del triodo pase a la región de saturación.ⓘ Ancho de transición de CMOS [W]
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Fórmula
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Ancho de transición de CMOS

Fórmula
`"W" = "C"_{"mos"}/"C"_{"gs"}`

Ejemplo
`"89.82036mm"="1.8μF"/"20.04μF"`

Calculadora
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Ancho de transición de CMOS Solución

PASO 0: Resumen del cálculo previo
Fórmula utilizada
Ancho de transición = Capacitancia de superposición de puerta MOS/Capacitancia de puerta MOS
W = Cmos/Cgs
Esta fórmula usa 3 Variables
Variables utilizadas
Ancho de transición - (Medido en Metro) - El ancho de transición se define como el aumento del ancho cuando aumenta el voltaje drenaje-fuente, lo que da como resultado que la región del triodo pase a la región de saturación.
Capacitancia de superposición de puerta MOS - (Medido en Faradio) - La capacitancia de superposición de puerta MOS es una capacitancia que proviene de la construcción del propio dispositivo y generalmente está asociada con sus uniones PN internas.
Capacitancia de puerta MOS - (Medido en Faradio) - La capacitancia de la puerta MOS es un factor importante en el cálculo de la capacitancia de superposición de la puerta.
PASO 1: Convierta la (s) entrada (s) a la unidad base
Capacitancia de superposición de puerta MOS: 1.8 Microfaradio --> 1.8E-06 Faradio (Verifique la conversión aquí)
Capacitancia de puerta MOS: 20.04 Microfaradio --> 2.004E-05 Faradio (Verifique la conversión aquí)
PASO 2: Evaluar la fórmula
Sustituir valores de entrada en una fórmula
W = Cmos/Cgs --> 1.8E-06/2.004E-05
Evaluar ... ...
W = 0.0898203592814371
PASO 3: Convierta el resultado a la unidad de salida
0.0898203592814371 Metro -->89.8203592814371 Milímetro (Verifique la conversión aquí)
RESPUESTA FINAL
89.8203592814371 ≈ 89.82036 Milímetro <-- Ancho de transición
(Cálculo completado en 00.004 segundos)
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Créditos

Creado por Shobhit Dimri
Instituto de Tecnología Bipin Tripathi Kumaon (BTKIT), Dwarahat
¡Shobhit Dimri ha creado esta calculadora y 900+ más calculadoras!
Verificada por Urvi Rathod
Facultad de Ingeniería del Gobierno de Vishwakarma (VGEC), Ahmedabad
¡Urvi Rathod ha verificado esta calculadora y 1900+ más calculadoras!

15 Características del circuito CMOS Calculadoras

Capacitancia efectiva en CMOS
Vamos Capacitancia efectiva en CMOS = Ciclo de trabajo*(Apagado actual*(10^(Voltaje base del colector)))/(Puertas en el camino crítico*[BoltZ]*Voltaje base del colector)
Permitividad de la capa de óxido
Vamos Permitividad de la capa de óxido = Espesor de la capa de óxido*Capacitancia de la puerta de entrada/(Ancho de la puerta*Longitud de la puerta)
Espesor de la capa de óxido
Vamos Espesor de la capa de óxido = Permitividad de la capa de óxido*Ancho de la puerta*Longitud de la puerta/Capacitancia de la puerta de entrada
Ancho de la puerta
Vamos Ancho de la puerta = Capacitancia de la puerta de entrada/(Capacitancia de la capa de óxido de puerta*Longitud de la puerta)
Perímetro de la pared lateral de la fuente de difusión
Vamos Perímetro de difusión de la fuente en la pared lateral = (2*Ancho de transición)+(2*Longitud de la fuente)
Ancho de transición de CMOS
Vamos Ancho de transición = Capacitancia de superposición de puerta MOS/Capacitancia de puerta MOS
Ancho de la región de agotamiento
Vamos Ancho de la región de agotamiento = Longitud de unión PN-Longitud efectiva del canal
Longitud efectiva del canal
Vamos Longitud efectiva del canal = Longitud de unión PN-Ancho de la región de agotamiento
Longitud de unión PN
Vamos Longitud de unión PN = Ancho de la región de agotamiento+Longitud efectiva del canal
Campo eléctrico crítico
Vamos Campo eléctrico crítico = (2*Saturación de velocidad)/Movilidad del electrón
Ancho de difusión de la fuente
Vamos Ancho de transición = Área de difusión de fuentes/Longitud de la fuente
Área de difusión de fuentes
Vamos Área de difusión de fuentes = Longitud de la fuente*Ancho de transición
CMOS significa ruta libre
Vamos Camino libre medio = Voltaje crítico en CMOS/Campo eléctrico crítico
Voltaje crítico CMOS
Vamos Voltaje crítico en CMOS = Campo eléctrico crítico*Camino libre medio
Voltaje en EDP Mínimo
Vamos Tensión al mínimo EDP = (3*Voltaje umbral)/(3-Factor de actividad)

Ancho de transición de CMOS Fórmula

Ancho de transición = Capacitancia de superposición de puerta MOS/Capacitancia de puerta MOS
W = Cmos/Cgs

¿Cuál es la necesidad del dopaje en CMOS?

El dopaje en la tecnología CMOS se utiliza para introducir impurezas en el material semiconductor para alterar sus propiedades eléctricas. Al agregar dopantes, se puede aumentar la cantidad de portadores de carga libres (electrones o huecos), lo que permite un mayor control sobre el comportamiento eléctrico del dispositivo. Esto es esencial para crear circuitos CMOS de alto rendimiento que utilicen transistores tipo n y tipo p.

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