Легирование в технологии КМОП используется для введения примесей в полупроводниковый материал с целью изменения его электрических свойств. Добавляя примеси, можно увеличить количество свободных носителей заряда (электронов или дырок), что позволяет лучше контролировать электрическое поведение устройства. Это важно для создания высокопроизводительных КМОП-схем, в которых используются транзисторы как n-типа, так и p-типа.