✖Czas wyłączenia pojemności źródła bramki FET odnosi się do czasu wymaganego do rozładowania pojemności między bramką a źródłem, co jest parametrem krytycznym dla kontrolowania szybkości przełączania i wydajności energetycznej.ⓘ Czas wyłączenia pojemności źródła bramki FET [Tgs-off(fet)] | | | +10% -10% |
✖Napięcie źródła drenu FET to napięcie pomiędzy drenem a zaciskiem źródła FET.ⓘ Napięcie źródła drenu FET [Vds(fet)] | | | +10% -10% |
✖Potencjał powierzchniowy FET działa w oparciu o potencjał powierzchniowy kanału półprzewodnikowego, kontrolując przepływ prądu przez napięcie bramki bez generowania warstw inwersyjnych.ⓘ Potencjał powierzchniowy FET [Ψ0(fet)] | | | +10% -10% |