Capacité de source de porte du FET Calculatrice

✖Le temps d'arrêt de la capacité de la source de grille d'un FET a un impact sur le temps d'arrêt du FET. Le temps d'arrêt consiste à passer de l'état allumé à l'état éteint.ⓘ Temps d'arrêt de la capacité de la source de porte [C_off(g-s)]			+10% -10%
✖Le gain par rapport à la tension source d'un JFET est le rapport entre la variation de la tension de drain et la variation de la tension source.ⓘ Gain à la tension source [V_(g-s)]			+10% -10%
✖Psi (ψ) est le potentiel de surface d'un FET. C'est la différence de potentiel entre la surface du semi-conducteur et le semi-conducteur massif.ⓘ Psi [Ψ₀]			+10% -10%

✖Capacité porte à source (Cⓘ Capacité de source de porte du FET [C_(g-s)]

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Formule

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Capacité de source de porte du FET

Formule

`"C"_{"(g-s)"} = "C"_{"off(g-s)"}/(1-("V"_{"(g-s)"}/"Ψ"_{"0"}))^(1/3)`

Exemple

`"45.13716F"="45.134F"/(1-("0.0039V"/"0.01859kPa"))^(1/3)`

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Capacité de source de porte du FET Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul

Formule utilisée

Capacité porte à source = Temps d'arrêt de la capacité de la source de porte/(1-(Gain à la tension source/Psi))^(1/3)
C_(g-s) = C_off(g-s)/(1-(V_(g-s)/Ψ₀))^(1/3)
Cette formule utilise 4 Variables

Variables utilisées

Capacité porte à source - (Mesuré en Farad) - Capacité porte à source (C
Temps d'arrêt de la capacité de la source de porte - (Mesuré en Farad) - Le temps d'arrêt de la capacité de la source de grille d'un FET a un impact sur le temps d'arrêt du FET. Le temps d'arrêt consiste à passer de l'état allumé à l'état éteint.
Gain à la tension source - (Mesuré en Volt) - Le gain par rapport à la tension source d'un JFET est le rapport entre la variation de la tension de drain et la variation de la tension source.
Psi - (Mesuré en Pascal) - Psi (ψ) est le potentiel de surface d'un FET. C'est la différence de potentiel entre la surface du semi-conducteur et le semi-conducteur massif.

ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base

Temps d'arrêt de la capacité de la source de porte: 45.134 Farad --> 45.134 Farad Aucune conversion requise
Gain à la tension source: 0.0039 Volt --> 0.0039 Volt Aucune conversion requise
Psi: 0.01859 Kilopascal --> 18.59 Pascal (Vérifiez la conversion ici)

ÉTAPE 2: Évaluer la formule

Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule

C_(g-s) = C_off(g-s)/(1-(V_(g-s)/Ψ₀))^(1/3) --> 45.134/(1-(0.0039/18.59))^(1/3)

Évaluer ... ...

C_(g-s) = 45.1371566652782

ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie

45.1371566652782 Farad --> Aucune conversion requise

RÉPONSE FINALE

45.1371566652782 ≈ 45.13716 Farad <-- Capacité porte à source

(Calcul effectué en 00.008 secondes)

Tu es là -

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Crédits

Créé par Mohamed Fazil V

Institut de technologie Acharya (ACI), Bangalore

Mohamed Fazil V a créé cette calculatrice et 50+ autres calculatrices!

Vérifié par Parminder Singh

Université de Chandigarh (UC), Pendjab

Parminder Singh a validé cette calculatrice et 600+ autres calculatrices!

< 10+ FET Calculatrices

Courant de drainage de la région ohmique du FET

Aller Courant de vidange = Conductance du canal*(Tension de drain vers la source+3/2*((Psi+Gain à la tension source-Tension de drain vers la source)^(3/2)-(Psi+Gain à la tension source)^(3/2))/((Psi+Tension de pincement)^(1/2)))

Transconductance du FET

Aller Transconductance directe = (2*Courant de drain de polarisation nulle)/Tension de pincement*(1-Gain à la tension source/Tension de pincement)

Tension de source de drain du FET

Aller Tension de drain vers la source = Tension d'alimentation au drain-Courant de vidange*(Résistance aux fuites+Résistance à la source)

Courant de drain du FET

Aller Courant de vidange = Courant de drain de polarisation nulle*(1-Gain à la tension source/Gain de coupure par rapport à la tension source)^2

Capacité du substrat de porte du FET

Aller Capacité du substrat de porte = Temps d'arrêt de la capacité du substrat de porte/(1-(Tension du substrat de porte/Psi))^(1/2)

Capacité de drain de grille du FET

Aller Capacité de la porte à drainer = Temps d'arrêt de la capacité de drainage de la porte/(1-Tension de porte à drain/Psi)^(1/3)

Capacité de source de porte du FET

Aller Capacité porte à source = Temps d'arrêt de la capacité de la source de porte/(1-(Gain à la tension source/Psi))^(1/3)

Pincer la tension du FET

Aller Tension de pincement = Pincez le drain vers la tension source-Gain à la tension source

Transconductance directe du FET

Aller Transconductance directe = Courant de vidange/Gain à la tension source

Gain de tension du FET

Aller Gain de tension = -Transconductance directe*Résistance aux fuites

Capacité de source de porte du FET Formule

Capacité porte à source = Temps d'arrêt de la capacité de la source de porte/(1-(Gain à la tension source/Psi))^(1/3)
C_(g-s) = C_off(g-s)/(1-(V_(g-s)/Ψ₀))^(1/3)

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