✖Die Ausschaltzeit der Gate-Source-Kapazität eines FET hat Einfluss auf die Ausschaltzeit des FET. Die Ausschaltzeit besteht darin, vom Ein-Zustand in den Aus-Zustand zu wechseln.ⓘ Ausschaltzeit der Gate-Quellenkapazität [Coff(g-s)] | | | +10% -10% |
✖Die Verstärkung zur Source-Spannung eines JFET ist das Verhältnis der Änderung der Drain-Spannung zur Änderung der Source-Spannung.ⓘ Verstärkung zur Quellenspannung [V(g-s)] | | | +10% -10% |
✖Psi (ψ) ist das Oberflächenpotential eines FET. Es handelt sich um die Potentialdifferenz zwischen der Halbleiteroberfläche und dem massiven Halbleiter.ⓘ Psi [Ψ0] | | | +10% -10% |