Емкость источника затвора полевого транзистора Калькулятор

✖Время выключения емкости затвор-исток FET относится к времени, необходимому для разрядки емкости затвор-исток, что является критическим параметром для управления скоростью переключения и энергоэффективностью.ⓘ Емкость источника затвора Время выключения FET [T_gs-off(fet)]			+10% -10%
✖Напряжение источника стока FET — это напряжение между стоком и выводом истока полевого транзистора.ⓘ Напряжение источника стока FET [V_ds(fet)]			+10% -10%
✖Полевой транзистор с поверхностным потенциалом работает на основе поверхностного потенциала полупроводникового канала, управляя потоком тока через напряжение затвора без создания инверсионных слоев.ⓘ Поверхностный потенциал FET [Ψ_0(fet)]			+10% -10%

✖Емкость источника затвора FET — это емкость между выводами затвора и истока полевого транзистора.ⓘ Емкость источника затвора полевого транзистора [C_gs(fet)]

⎘ копия

👎

Формула

✖

Емкость источника затвора полевого транзистора

Формула

`"C"_{"gs(fet)"} = "T"_{"gs-off(fet)"}/(1-("V"_{"ds(fet)"}/"Ψ"_{"0(fet)"}))^(1/3)`

Пример

`"-21.120776F"="45.134s"/(1-("0.2V"/"0.01859V"))^(1/3)`

Калькулятор

LaTeX

сбросить

👍

Скачать Силовая электроника формула PDF PDF Image

Емкость источника затвора полевого транзистора Решение

ШАГ 0: Сводка предварительного расчета

Используемая формула

Емкость источника затвора FET = Емкость источника затвора Время выключения FET/(1-(Напряжение источника стока FET/Поверхностный потенциал FET))^(1/3)
C_gs(fet) = T_gs-off(fet)/(1-(V_ds(fet)/Ψ_0(fet)))^(1/3)
В этой формуле используются 4 Переменные

Используемые переменные

Емкость источника затвора FET - (Измеряется в фарада) - Емкость источника затвора FET — это емкость между выводами затвора и истока полевого транзистора.
Емкость источника затвора Время выключения FET - (Измеряется в Второй) - Время выключения емкости затвор-исток FET относится к времени, необходимому для разрядки емкости затвор-исток, что является критическим параметром для управления скоростью переключения и энергоэффективностью.
Напряжение источника стока FET - (Измеряется в вольт) - Напряжение источника стока FET — это напряжение между стоком и выводом истока полевого транзистора.
Поверхностный потенциал FET - (Измеряется в вольт) - Полевой транзистор с поверхностным потенциалом работает на основе поверхностного потенциала полупроводникового канала, управляя потоком тока через напряжение затвора без создания инверсионных слоев.

ШАГ 1. Преобразование входов в базовый блок

Емкость источника затвора Время выключения FET: 45.134 Второй --> 45.134 Второй Конверсия не требуется
Напряжение источника стока FET: 0.2 вольт --> 0.2 вольт Конверсия не требуется
Поверхностный потенциал FET: 0.01859 вольт --> 0.01859 вольт Конверсия не требуется

ШАГ 2: Оцените формулу

Подстановка входных значений в формулу

C_gs(fet) = T_gs-off(fet)/(1-(V_ds(fet)/Ψ_0(fet)))^(1/3) --> 45.134/(1-(0.2/0.01859))^(1/3)

Оценка ... ...

C_gs(fet) = -21.1207764594989

ШАГ 3: Преобразуйте результат в единицу вывода

-21.1207764594989 фарада --> Конверсия не требуется

ОКОНЧАТЕЛЬНЫЙ ОТВЕТ

-21.1207764594989 ≈ -21.120776 фарада <-- Емкость источника затвора FET

(Расчет завершен через 00.004 секунд)

Вы здесь -

Дом » Инженерное дело » Электрические » Силовая электроника » Усовершенствованные транзисторные устройства » полевой транзистор » Емкость источника затвора полевого транзистора

Кредиты

Сделано Мохамед Фазиль V

Технологический институт Ачарья (АИТ), Бангалор

Мохамед Фазиль V создал этот калькулятор и еще 50+!

Проверено Парминдер Сингх

Чандигархский университет (ТС), Пенджаб

Парминдер Сингх проверил этот калькулятор и еще 500+!

< 8 полевой транзистор Калькуляторы

Ток стока омической области полевого транзистора

Идти Ток стока полевого транзистора = Проводимость канала FET*(Напряжение источника стока FET+3/2*((Поверхностный потенциал FET+Напряжение источника стока FET-Напряжение источника стока FET)^(3/2)-(Поверхностный потенциал FET+Напряжение источника стока FET)^(3/2))/((Поверхностный потенциал FET+Напряжение отключения напряжения)^(1/2)))

Крутизна полевого транзистора

Идти Полевой транзистор прямой крутизны = (2*Ток стока нулевого смещения)/Напряжение отключения напряжения*(1-Напряжение источника стока FET/Напряжение отключения напряжения)

Напряжение источника стока полевого транзистора

Идти Напряжение источника стока FET = Напряжение питания на стоковом полевом транзисторе-Ток стока полевого транзистора*(Сопротивление стока FET+Исходное сопротивление FET)

Емкость затвора-стока полевого транзистора

Идти Емкость затвора-стока FET = Емкость стока затвора Время выключения FET/(1-Полевой транзистор с напряжением от затвора до стока/Поверхностный потенциал FET)^(1/3)

Емкость источника затвора полевого транзистора

Идти Емкость источника затвора FET = Емкость источника затвора Время выключения FET/(1-(Напряжение источника стока FET/Поверхностный потенциал FET))^(1/3)

Ток стока полевого транзистора

Идти Ток стока полевого транзистора = Ток стока нулевого смещения*(1-Напряжение источника стока FET/Напряжение отсечки FET)^2

Отключение напряжения полевого транзистора

Идти Напряжение отключения напряжения = Pinch OFF Напряжение источника стока FET-Напряжение источника стока FET

Коэффициент усиления полевого транзистора

Идти Усиление напряжения полевого транзистора = -Полевой транзистор прямой крутизны*Сопротивление стока FET