Calculadora Capacitancia de fuente de puerta de FET

✖La capacitancia de la fuente de puerta en tiempo de apagado de un FET tiene un impacto en el tiempo de apagado del FET. El tiempo de apagado es para cambiar del estado encendido al estado apagado.ⓘ Capacitancia de fuente de puerta fuera de tiempo [C_off(g-s)]			+10% -10%
✖La ganancia al voltaje de fuente de un JFET es la relación entre el cambio en el voltaje de drenaje y el cambio en el voltaje de fuente.ⓘ Ganancia a voltaje de fuente [V_(g-s)]			+10% -10%
✖Psi (ψ) es el potencial superficial de un FET. Es la diferencia de potencial entre la superficie del semiconductor y el semiconductor en masa.ⓘ Psi [Ψ₀]			+10% -10%

✖Capacitancia de puerta a fuente (Cⓘ Capacitancia de fuente de puerta de FET [C_(g-s)]

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Fórmula

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Capacitancia de fuente de puerta de FET

Fórmula

`"C"_{"(g-s)"} = "C"_{"off(g-s)"}/(1-("V"_{"(g-s)"}/"Ψ"_{"0"}))^(1/3)`

Ejemplo

`"45.13716F"="45.134F"/(1-("0.0039V"/"0.01859kPa"))^(1/3)`

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Capacitancia de fuente de puerta de FET Solución

PASO 0: Resumen del cálculo previo

Fórmula utilizada

Capacitancia de puerta a fuente = Capacitancia de fuente de puerta fuera de tiempo/(1-(Ganancia a voltaje de fuente/Psi))^(1/3)
C_(g-s) = C_off(g-s)/(1-(V_(g-s)/Ψ₀))^(1/3)
Esta fórmula usa 4 Variables

Variables utilizadas

Capacitancia de puerta a fuente - (Medido en Faradio) - Capacitancia de puerta a fuente (C
Capacitancia de fuente de puerta fuera de tiempo - (Medido en Faradio) - La capacitancia de la fuente de puerta en tiempo de apagado de un FET tiene un impacto en el tiempo de apagado del FET. El tiempo de apagado es para cambiar del estado encendido al estado apagado.
Ganancia a voltaje de fuente - (Medido en Voltio) - La ganancia al voltaje de fuente de un JFET es la relación entre el cambio en el voltaje de drenaje y el cambio en el voltaje de fuente.
Psi - (Medido en Pascal) - Psi (ψ) es el potencial superficial de un FET. Es la diferencia de potencial entre la superficie del semiconductor y el semiconductor en masa.

PASO 1: Convierta la (s) entrada (s) a la unidad base

Capacitancia de fuente de puerta fuera de tiempo: 45.134 Faradio --> 45.134 Faradio No se requiere conversión
Ganancia a voltaje de fuente: 0.0039 Voltio --> 0.0039 Voltio No se requiere conversión
Psi: 0.01859 kilopascal --> 18.59 Pascal (Verifique la conversión aquí)

PASO 2: Evaluar la fórmula

Sustituir valores de entrada en una fórmula

C_(g-s) = C_off(g-s)/(1-(V_(g-s)/Ψ₀))^(1/3) --> 45.134/(1-(0.0039/18.59))^(1/3)

Evaluar ... ...

C_(g-s) = 45.1371566652782

PASO 3: Convierta el resultado a la unidad de salida

45.1371566652782 Faradio --> No se requiere conversión

RESPUESTA FINAL

45.1371566652782 ≈ 45.13716 Faradio <-- Capacitancia de puerta a fuente

(Cálculo completado en 00.004 segundos)

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Créditos

Creado por Mohamed Fazil V

instituto de tecnología acharya (AIT), Bangalore

¡Mohamed Fazil V ha creado esta calculadora y 50+ más calculadoras!

Verificada por parminder singh

Universidad de Chandigarh (CU), Punjab

¡parminder singh ha verificado esta calculadora y 600+ más calculadoras!

< 9 FET Calculadoras

Corriente de drenaje de la región óhmica de FET

Vamos Corriente de drenaje = Conductancia del canal*(Drenaje a voltaje de fuente+3/2*((Psi+Ganancia a voltaje de fuente-Drenaje a voltaje de fuente)^(3/2)-(Psi+Ganancia a voltaje de fuente)^(3/2))/((Psi+Tensión de pellizco apagado)^(1/2)))

Transconductancia de FET

Vamos Transconductancia directa = (2*Corriente de drenaje de polarización cero)/Tensión de pellizco apagado*(1-Ganancia a voltaje de fuente/Tensión de pellizco apagado)

Voltaje de fuente de drenaje de FET

Vamos Drenaje a voltaje de fuente = Voltaje de suministro en el drenaje-Corriente de drenaje*(Resistencia al drenaje+Resistencia de la fuente)

Capacitancia del sustrato de puerta de FET

Vamos Capacitancia del sustrato de puerta = Capacitancia del sustrato de puerta Tiempo de inactividad/(1-(Voltaje del sustrato de la puerta/Psi))^(1/2)

Corriente de drenaje de FET

Vamos Corriente de drenaje = Corriente de drenaje de polarización cero*(1-Ganancia a voltaje de fuente/Ganancia de corte a voltaje de fuente)^2

Capacitancia de drenaje de compuerta de FET

Vamos Capacitancia de puerta a drenaje = Capacitancia de drenaje de compuerta fuera de tiempo/(1-Voltaje de puerta a drenaje/Psi)^(1/3)

Capacitancia de fuente de puerta de FET

Vamos Capacitancia de puerta a fuente = Capacitancia de fuente de puerta fuera de tiempo/(1-(Ganancia a voltaje de fuente/Psi))^(1/3)

Pellizcar el voltaje del FET

Vamos Tensión de pellizco apagado = Apague el drenaje para alimentar el voltaje-Ganancia a voltaje de fuente

Ganancia de voltaje de FET

Vamos Ganancia de voltaje = -Transconductancia directa*Resistencia al drenaje

Capacitancia de fuente de puerta de FET Fórmula

Capacitancia de puerta a fuente = Capacitancia de fuente de puerta fuera de tiempo/(1-(Ganancia a voltaje de fuente/Psi))^(1/3)
C_(g-s) = C_off(g-s)/(1-(V_(g-s)/Ψ₀))^(1/3)

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