Maksymalne wzmocnienie mocy tranzystora mikrofalowego Kalkulator

✖Częstotliwość graniczna czasu przejścia jest powiązana z czasem potrzebnym nośnikom ładunku (elektronom lub dziurom) na przejście przez urządzenie.ⓘ Częstotliwość graniczna czasu tranzytu [f_TC]			+10% -10%
✖Częstotliwość wzmocnienia mocy odnosi się do częstotliwości, przy której wzmocnienie mocy urządzenia zaczyna spadać.ⓘ Częstotliwość wzmocnienia mocy [f]			+10% -10%
✖Impedancja wyjściowa odnosi się do impedancji lub rezystancji, jaką urządzenie lub obwód przedstawia zewnętrznemu obciążeniu podłączonemu do jego wyjścia.ⓘ Impedancja wyjściowa [Z_out]			+10% -10%
✖Impedancja wejściowa to równoważna impedancja lub rezystancja, jaką urządzenie lub obwód przedstawia na swoich zaciskach wejściowych po przyłożeniu sygnału.ⓘ Impedancja wejściowa [Z_in]			+10% -10%

✖Maksymalne wzmocnienie mocy tranzystora mikrofalowego to częstotliwość, przy której tranzystor działa optymalnie.ⓘ Maksymalne wzmocnienie mocy tranzystora mikrofalowego [G_max]

⎘ Kopiuj

👎

Formuła

✖

Maksymalne wzmocnienie mocy tranzystora mikrofalowego

Formuła

G max = {(\frac{f TC}{f})}^{2} \cdot \frac{Z out}{Z in}

Przykład

3.4E-5 = {(\frac{2.08 Hz}{80 Hz})}^{2} \cdot \frac{0.27 Ω}{5.4 Ω}

Kalkulator

LaTeX

Resetowanie

👍

Pobierać Mikrofalowe urządzenia półprzewodnikowe Formułę PDF PDF Image

Maksymalne wzmocnienie mocy tranzystora mikrofalowego Rozwiązanie

KROK 0: Podsumowanie wstępnych obliczeń

Formułę używana

Maksymalne wzmocnienie mocy tranzystora mikrofalowego = (Częstotliwość graniczna czasu tranzytu/Częstotliwość wzmocnienia mocy)^2*Impedancja wyjściowa/Impedancja wejściowa
G_max = (f_TC/f)^2*Z_out/Z_in
Ta formuła używa 5 Zmienne

Używane zmienne

Maksymalne wzmocnienie mocy tranzystora mikrofalowego - Maksymalne wzmocnienie mocy tranzystora mikrofalowego to częstotliwość, przy której tranzystor działa optymalnie.
Częstotliwość graniczna czasu tranzytu - (Mierzone w Herc) - Częstotliwość graniczna czasu przejścia jest powiązana z czasem potrzebnym nośnikom ładunku (elektronom lub dziurom) na przejście przez urządzenie.
Częstotliwość wzmocnienia mocy - (Mierzone w Herc) - Częstotliwość wzmocnienia mocy odnosi się do częstotliwości, przy której wzmocnienie mocy urządzenia zaczyna spadać.
Impedancja wyjściowa - (Mierzone w Om) - Impedancja wyjściowa odnosi się do impedancji lub rezystancji, jaką urządzenie lub obwód przedstawia zewnętrznemu obciążeniu podłączonemu do jego wyjścia.
Impedancja wejściowa - (Mierzone w Om) - Impedancja wejściowa to równoważna impedancja lub rezystancja, jaką urządzenie lub obwód przedstawia na swoich zaciskach wejściowych po przyłożeniu sygnału.

KROK 1: Zamień wejście (a) na jednostkę bazową

Częstotliwość graniczna czasu tranzytu: 2.08 Herc --> 2.08 Herc Nie jest wymagana konwersja
Częstotliwość wzmocnienia mocy: 80 Herc --> 80 Herc Nie jest wymagana konwersja
Impedancja wyjściowa: 0.27 Om --> 0.27 Om Nie jest wymagana konwersja
Impedancja wejściowa: 5.4 Om --> 5.4 Om Nie jest wymagana konwersja

KROK 2: Oceń formułę

Zastępowanie wartości wejściowych we wzorze

G_max = (f_TC/f)^2*Z_out/Z_in --> (2.08/80)^2*0.27/5.4

Ocenianie ... ...

G_max = 3.38E-05

KROK 3: Konwertuj wynik na jednostkę wyjścia

3.38E-05 --> Nie jest wymagana konwersja

OSTATNIA ODPOWIEDŹ

3.38E-05 ≈ 3.4E-5 <-- Maksymalne wzmocnienie mocy tranzystora mikrofalowego

(Obliczenie zakończone za 00.004 sekund)

Jesteś tutaj -

Dom » Inżynieria » Elektronika » Teoria mikrofalowa » Mikrofalowe urządzenia półprzewodnikowe » Wzmacniacze tranzystorowe » Maksymalne wzmocnienie mocy tranzystora mikrofalowego

Kredyty

Stworzone przez banuprakasz

Szkoła Inżynierska Dayananda Sagar (DSCE), Bangalore

banuprakasz utworzył ten kalkulator i 50+ więcej kalkulatorów!

Zweryfikowane przez Dipanjona Mallick

Instytut Dziedzictwa Technologicznego (UDERZENIE), Kalkuta

Dipanjona Mallick zweryfikował ten kalkulator i 50+ więcej kalkulatorów!

< Wzmacniacze tranzystorowe Kalkulatory

Maksymalna częstotliwość robocza

Iść Maksymalna częstotliwość robocza = Częstotliwość odcięcia MESFET/2*sqrt(Odporność na drenaż/(Opór źródła+Rezystancja wejściowa+Odporność na metalizację bramy))

Transkonduktancja w obszarze nasycenia w MESFET

Iść Transkonduktancja MESFET-u = Przewodność wyjściowa*(1-sqrt((Napięcie wejściowe-Próg napięcia)/Napięcie odcięcia))

Częstotliwość odcięcia MESFET

Iść Częstotliwość odcięcia MESFET = Transkonduktancja MESFET-u/(2*pi*Pojemność źródła bramki)

Maksymalna częstotliwość oscylacji

Iść Maksymalna częstotliwość oscylacji = Prędkość nasycenia/(2*pi*Długość kanału)

Zobacz więcej >>