Ganho máximo de potência do transistor de microondas Calculadora

✖A frequência de corte do tempo de trânsito está relacionada ao tempo que os portadores de carga (elétrons ou lacunas) levam para transitar pelo dispositivo.ⓘ Frequência de corte do tempo de trânsito [f_TC]			+10% -10%
✖Frequência de ganho de potência refere-se à frequência na qual o ganho de potência do dispositivo começa a diminuir.ⓘ Frequência de ganho de potência [f]			+10% -10%
✖Impedância de Saída refere-se à impedância, ou resistência, que um dispositivo ou circuito apresenta à carga externa conectada à sua saída.ⓘ Impedância de saída [Z_out]			+10% -10%
✖Impedância de entrada é a impedância ou resistência equivalente que um dispositivo ou circuito apresenta em seus terminais de entrada quando um sinal é aplicado.ⓘ Impedância de entrada [Z_in]			+10% -10%

✖O ganho máximo de potência de um transistor de micro-ondas é a frequência na qual o transistor opera de maneira ideal.ⓘ Ganho máximo de potência do transistor de microondas [G_max]

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Fórmula

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Ganho máximo de potência do transistor de microondas

Fórmula

`"G"_{"max"} = ("f"_{"TC"}/"f")^2*"Z"_{"out"}/"Z"_{"in"}`

Exemplo

`"3.4E^-5"=("2.08Hz"/"80Hz")^2*"0.27Ω"/"5.4Ω"`

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Ganho máximo de potência do transistor de microondas Solução

ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo

Fórmula Usada

Ganho máximo de potência de um transistor de micro-ondas = (Frequência de corte do tempo de trânsito/Frequência de ganho de potência)^2*Impedância de saída/Impedância de entrada
G_max = (f_TC/f)^2*Z_out/Z_in
Esta fórmula usa 5 Variáveis

Variáveis Usadas

Ganho máximo de potência de um transistor de micro-ondas - O ganho máximo de potência de um transistor de micro-ondas é a frequência na qual o transistor opera de maneira ideal.
Frequência de corte do tempo de trânsito - (Medido em Hertz) - A frequência de corte do tempo de trânsito está relacionada ao tempo que os portadores de carga (elétrons ou lacunas) levam para transitar pelo dispositivo.
Frequência de ganho de potência - (Medido em Hertz) - Frequência de ganho de potência refere-se à frequência na qual o ganho de potência do dispositivo começa a diminuir.
Impedância de saída - (Medido em Ohm) - Impedância de Saída refere-se à impedância, ou resistência, que um dispositivo ou circuito apresenta à carga externa conectada à sua saída.
Impedância de entrada - (Medido em Ohm) - Impedância de entrada é a impedância ou resistência equivalente que um dispositivo ou circuito apresenta em seus terminais de entrada quando um sinal é aplicado.

ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base

Frequência de corte do tempo de trânsito: 2.08 Hertz --> 2.08 Hertz Nenhuma conversão necessária
Frequência de ganho de potência: 80 Hertz --> 80 Hertz Nenhuma conversão necessária
Impedância de saída: 0.27 Ohm --> 0.27 Ohm Nenhuma conversão necessária
Impedância de entrada: 5.4 Ohm --> 5.4 Ohm Nenhuma conversão necessária

ETAPA 2: Avalie a Fórmula

Substituindo valores de entrada na fórmula

G_max = (f_TC/f)^2*Z_out/Z_in --> (2.08/80)^2*0.27/5.4

Avaliando ... ...

G_max = 3.38E-05

PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída

3.38E-05 --> Nenhuma conversão necessária

RESPOSTA FINAL

3.38E-05 ≈ 3.4E-5 <-- Ganho máximo de potência de um transistor de micro-ondas

(Cálculo concluído em 00.020 segundos)

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Créditos

Criado por banuprakash

Faculdade de Engenharia Dayananda Sagar (DSCE), Bangalore

banuprakash criou esta calculadora e mais 50+ calculadoras!

Verificado por Dipanjona Mallick

Instituto Patrimonial de Tecnologia (HITK), Calcutá

Dipanjona Mallick verificou esta calculadora e mais 50+ calculadoras!

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Ganho de potência do conversor descendente dado o Fator de Degradação

Vai Ganho de potência do conversor descendente = Frequência do sinal/Frequência de saída*(Frequência do sinal/Frequência de saída*(Figura de mérito)^2)/(1+sqrt(1+(Frequência do sinal/Frequência de saída*(Figura de mérito)^2)))^2

Ganhe fator de degradação para MESFET

Vai Ganhe fator de degradação = Frequência de saída/Frequência do sinal*(Frequência do sinal/Frequência de saída*(Figura de mérito)^2)/(1+sqrt(1+(Frequência do sinal/Frequência de saída*(Figura de mérito)^2)))^2

Fator de Ruído GaAs MESFET

Vai Fator de ruído = 1+2*Frequência angular*Capacitância da Fonte da Porta/Transcondutância do MESFET*sqrt((Resistência da Fonte-Resistência do portão)/Resistência de entrada)

Frequência máxima de operação

Vai Frequência máxima de operação = Frequência de corte MESFET/2*sqrt(Resistência à drenagem/(Resistência da Fonte+Resistência de entrada+Resistência à Metalização de Portas))

Potência máxima permitida

Vai Potência máxima permitida = 1/(Reatância*Frequência de corte do tempo de trânsito^2)*(Campo Elétrico Máximo*Velocidade máxima de desvio de saturação/(2*pi))^2

Ganho máximo de potência do transistor de microondas

Vai Ganho máximo de potência de um transistor de micro-ondas = (Frequência de corte do tempo de trânsito/Frequência de ganho de potência)^2*Impedância de saída/Impedância de entrada

Transcondutância na região de saturação no MESFET

Vai Transcondutância do MESFET = Condutância de saída*(1-sqrt((Tensão de entrada-Tensão de limiar)/Tensão de pinçamento))

Ângulo de Trânsito

Vai Ângulo de Trânsito = Frequência angular*Comprimento do espaço de deriva/Velocidade de deriva do transportador

Frequência de corte MESFET

Vai Frequência de corte MESFET = Transcondutância do MESFET/(2*pi*Capacitância da Fonte da Porta)

Frequência Máxima de Oscilação

Vai Frequência Máxima de Oscilação = Velocidade de saturação/(2*pi*Comprimento do canal)

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