Guadagno di potenza massimo del transistor a microonde calcolatrice

✖La frequenza di taglio del tempo di transito è correlata al tempo impiegato dai portatori di carica (elettroni o lacune) per transitare attraverso il dispositivo.ⓘ Frequenza limite del tempo di transito [f_TC]			+10% -10%
✖La frequenza di guadagno di potenza si riferisce alla frequenza alla quale il guadagno di potenza del dispositivo inizia a diminuire.ⓘ Frequenza del guadagno di potenza [f]			+10% -10%
✖L'impedenza di uscita si riferisce all'impedenza, o resistenza, che un dispositivo o circuito presenta al carico esterno collegato alla sua uscita.ⓘ Impedenza di uscita [Z_out]			+10% -10%
✖L'impedenza di ingresso è l'impedenza o resistenza equivalente che un dispositivo o circuito presenta ai suoi terminali di ingresso quando viene applicato un segnale.ⓘ Impedenza di ingresso [Z_in]			+10% -10%

✖Il guadagno di potenza massimo di un transistor a microonde è la frequenza alla quale il transistor funziona in modo ottimale.ⓘ Guadagno di potenza massimo del transistor a microonde [G_max]

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Formula

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Guadagno di potenza massimo del transistor a microonde

Formula

`"G"_{"max"} = ("f"_{"TC"}/"f")^2*"Z"_{"out"}/"Z"_{"in"}`

Esempio

`"3.4E^-5"=("2.08Hz"/"80Hz")^2*"0.27Ω"/"5.4Ω"`

Calcolatrice

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Guadagno di potenza massimo del transistor a microonde Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo

Formula utilizzata

Guadagno di potenza massimo di un transistor a microonde = (Frequenza limite del tempo di transito/Frequenza del guadagno di potenza)^2*Impedenza di uscita/Impedenza di ingresso
G_max = (f_TC/f)^2*Z_out/Z_in
Questa formula utilizza 5 Variabili

Variabili utilizzate

Guadagno di potenza massimo di un transistor a microonde - Il guadagno di potenza massimo di un transistor a microonde è la frequenza alla quale il transistor funziona in modo ottimale.
Frequenza limite del tempo di transito - (Misurato in Hertz) - La frequenza di taglio del tempo di transito è correlata al tempo impiegato dai portatori di carica (elettroni o lacune) per transitare attraverso il dispositivo.
Frequenza del guadagno di potenza - (Misurato in Hertz) - La frequenza di guadagno di potenza si riferisce alla frequenza alla quale il guadagno di potenza del dispositivo inizia a diminuire.
Impedenza di uscita - (Misurato in Ohm) - L'impedenza di uscita si riferisce all'impedenza, o resistenza, che un dispositivo o circuito presenta al carico esterno collegato alla sua uscita.
Impedenza di ingresso - (Misurato in Ohm) - L'impedenza di ingresso è l'impedenza o resistenza equivalente che un dispositivo o circuito presenta ai suoi terminali di ingresso quando viene applicato un segnale.

PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base

Frequenza limite del tempo di transito: 2.08 Hertz --> 2.08 Hertz Nessuna conversione richiesta
Frequenza del guadagno di potenza: 80 Hertz --> 80 Hertz Nessuna conversione richiesta
Impedenza di uscita: 0.27 Ohm --> 0.27 Ohm Nessuna conversione richiesta
Impedenza di ingresso: 5.4 Ohm --> 5.4 Ohm Nessuna conversione richiesta

FASE 2: valutare la formula

Sostituzione dei valori di input nella formula

G_max = (f_TC/f)^2*Z_out/Z_in --> (2.08/80)^2*0.27/5.4

Valutare ... ...

G_max = 3.38E-05

PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output

3.38E-05 --> Nessuna conversione richiesta

RISPOSTA FINALE

3.38E-05 ≈ 3.4E-5 <-- Guadagno di potenza massimo di un transistor a microonde

(Calcolo completato in 00.004 secondi)

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Titoli di coda

Creato da banuprakash

Dayananda Sagar College di Ingegneria (DSCE), Bangalore

banuprakash ha creato questa calcolatrice e altre 50+ altre calcolatrici!

Verificato da Dipanjona Mallick

Heritage Institute of Technology (COLPO), Calcutta

Dipanjona Mallick ha verificato questa calcolatrice e altre 50+ altre calcolatrici!

< 10+ Amplificatori a transistor Calcolatrici

Guadagno di potenza del convertitore in basso dato il fattore di degradazione

Partire Guadagno di potenza del down converter = Frequenza del segnale/Frequenza di uscita*(Frequenza del segnale/Frequenza di uscita*(Persona di merito)^2)/(1+sqrt(1+(Frequenza del segnale/Frequenza di uscita*(Persona di merito)^2)))^2

Ottieni il fattore di degradazione per MESFET

Partire Guadagno fattore di degradazione = Frequenza di uscita/Frequenza del segnale*(Frequenza del segnale/Frequenza di uscita*(Persona di merito)^2)/(1+sqrt(1+(Frequenza del segnale/Frequenza di uscita*(Persona di merito)^2)))^2

Fattore di rumore GaAs MESFET

Partire Fattore di rumore = 1+2*Frequenza angolare*Capacità della sorgente di gate/Transconduttanza del MESFET*sqrt((Resistenza alla fonte-Resistenza al cancello)/Resistenza in ingresso)

Frequenza operativa massima

Partire Frequenza operativa massima = Frequenza di taglio MESFET/2*sqrt(Resistenza allo scarico/(Resistenza alla fonte+Resistenza in ingresso+Resistenza alla metallizzazione del cancello))

Potenza massima consentita

Partire Potenza massima consentita = 1/(Reattanza*Frequenza limite del tempo di transito^2)*(Campo elettrico massimo*Massima velocità di deriva della saturazione/(2*pi))^2

Guadagno di potenza massimo del transistor a microonde

Partire Guadagno di potenza massimo di un transistor a microonde = (Frequenza limite del tempo di transito/Frequenza del guadagno di potenza)^2*Impedenza di uscita/Impedenza di ingresso

Transconduttanza nella regione di saturazione in MESFET

Partire Transconduttanza del MESFET = Conduttanza di uscita*(1-sqrt((Tensione di ingresso-Soglia di voltaggio)/Tensione di pinch-off))

Angolo di transito

Partire Angolo di transito = Frequenza angolare*Lunghezza dello spazio di deriva/Velocità di deriva del portatore

Frequenza di taglio MESFET

Partire Frequenza di taglio MESFET = Transconduttanza del MESFET/(2*pi*Capacità della sorgente di gate)

Frequenza massima di oscillazione

Partire Frequenza massima di oscillazione = Velocità di saturazione/(2*pi*Lunghezza del canale)

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