Maximale Leistungsverstärkung des Mikrowellentransistors Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung
Gebrauchte Formel
Maximale Leistungsverstärkung eines Mikrowellentransistors = (Transitzeit-Grenzfrequenz/Frequenz der Leistungsverstärkung)^2*Ausgangsimpedanz/Eingangsimpedanz
Gmax = (fTC/f)^2*Zout/Zin
Diese formel verwendet 5 Variablen
Verwendete Variablen
Maximale Leistungsverstärkung eines Mikrowellentransistors - Die maximale Leistungsverstärkung eines Mikrowellentransistors ist die Frequenz, bei der der Transistor optimal arbeitet.
Transitzeit-Grenzfrequenz - (Gemessen in Hertz) - Die Transitzeit-Grenzfrequenz bezeichnet die Zeit, die Ladungsträger (Elektronen oder Löcher) für den Durchgang durch das Gerät benötigen.
Frequenz der Leistungsverstärkung - (Gemessen in Hertz) - Die Leistungsverstärkungsfrequenz bezieht sich auf die Frequenz, bei der die Leistungsverstärkung des Geräts abzunehmen beginnt.
Ausgangsimpedanz - (Gemessen in Ohm) - Unter Ausgangsimpedanz versteht man die Impedanz oder den Widerstand, den ein Gerät oder ein Schaltkreis der an seinen Ausgang angeschlossenen externen Last entgegensetzt.
Eingangsimpedanz - (Gemessen in Ohm) - Die Eingangsimpedanz ist die äquivalente Impedanz oder der äquivalente Widerstand, den ein Gerät oder eine Schaltung an seinen Eingangsanschlüssen aufweist, wenn ein Signal angelegt wird.
SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit
Transitzeit-Grenzfrequenz: 2.08 Hertz --> 2.08 Hertz Keine Konvertierung erforderlich
Frequenz der Leistungsverstärkung: 80 Hertz --> 80 Hertz Keine Konvertierung erforderlich
Ausgangsimpedanz: 0.27 Ohm --> 0.27 Ohm Keine Konvertierung erforderlich
Eingangsimpedanz: 5.4 Ohm --> 5.4 Ohm Keine Konvertierung erforderlich
SCHRITT 2: Formel auswerten
Eingabewerte in Formel ersetzen
Gmax = (fTC/f)^2*Zout/Zin --> (2.08/80)^2*0.27/5.4
Auswerten ... ...
Gmax = 3.38E-05
SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit
3.38E-05 --> Keine Konvertierung erforderlich
ENDGÜLTIGE ANTWORT
3.38E-05 3.4E-5 <-- Maximale Leistungsverstärkung eines Mikrowellentransistors
(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)

Credits

Creator Image
Erstellt von Banu Prakash LinkedIn Logo
Dayananda Sagar College of Engineering (DSCE), Bangalore
Banu Prakash hat diesen Rechner und 50+ weitere Rechner erstellt!
Verifier Image
Geprüft von Dipanjona Mallick LinkedIn Logo
Heritage Institute of Technology (HITK), Kalkutta
Dipanjona Mallick hat diesen Rechner und 50+ weitere Rechner verifiziert!

Transistorverstärker Taschenrechner

Maximale Betriebsfrequenz
​ LaTeX ​ Gehen Maximale Betriebsfrequenz = MESFET-Grenzfrequenz/2*sqrt(Abflusswiderstand/(Quellenwiderstand+Eingangswiderstand+Widerstand der Gate-Metallisierung))
Transkonduktanz im Sättigungsbereich im MESFET
​ LaTeX ​ Gehen Transkonduktanz des MESFET = Ausgangsleitfähigkeit*(1-sqrt((Eingangsspannung-Grenzspannung)/Abschnürspannung))
MESFET-Grenzfrequenz
​ LaTeX ​ Gehen MESFET-Grenzfrequenz = Transkonduktanz des MESFET/(2*pi*Gate-Source-Kapazität)
Maximale Schwingungsfrequenz
​ LaTeX ​ Gehen Maximale Schwingungsfrequenz = Sättigungsgeschwindigkeit/(2*pi*Kanallänge)

Maximale Leistungsverstärkung des Mikrowellentransistors Formel

​LaTeX ​Gehen
Maximale Leistungsverstärkung eines Mikrowellentransistors = (Transitzeit-Grenzfrequenz/Frequenz der Leistungsverstärkung)^2*Ausgangsimpedanz/Eingangsimpedanz
Gmax = (fTC/f)^2*Zout/Zin
Let Others Know
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!