Maximale Leistungsverstärkung des Mikrowellentransistors Taschenrechner

✖Die Transitzeit-Grenzfrequenz bezeichnet die Zeit, die Ladungsträger (Elektronen oder Löcher) für den Durchgang durch das Gerät benötigen.ⓘ Transitzeit-Grenzfrequenz [f_TC]			+10% -10%
✖Die Leistungsverstärkungsfrequenz bezieht sich auf die Frequenz, bei der die Leistungsverstärkung des Geräts abzunehmen beginnt.ⓘ Frequenz der Leistungsverstärkung [f]			+10% -10%
✖Unter Ausgangsimpedanz versteht man die Impedanz oder den Widerstand, den ein Gerät oder ein Schaltkreis der an seinen Ausgang angeschlossenen externen Last entgegensetzt.ⓘ Ausgangsimpedanz [Z_out]			+10% -10%
✖Die Eingangsimpedanz ist die äquivalente Impedanz oder der äquivalente Widerstand, den ein Gerät oder eine Schaltung an seinen Eingangsanschlüssen aufweist, wenn ein Signal angelegt wird.ⓘ Eingangsimpedanz [Z_in]			+10% -10%

✖Die maximale Leistungsverstärkung eines Mikrowellentransistors ist die Frequenz, bei der der Transistor optimal arbeitet.ⓘ Maximale Leistungsverstärkung des Mikrowellentransistors [G_max]

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Formel

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Maximale Leistungsverstärkung des Mikrowellentransistors

Formel

`"G"_{"max"} = ("f"_{"TC"}/"f")^2*"Z"_{"out"}/"Z"_{"in"}`

Beispiel

`"3.4E^-5"=("2.08Hz"/"80Hz")^2*"0.27Ω"/"5.4Ω"`

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Maximale Leistungsverstärkung des Mikrowellentransistors Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung

Gebrauchte Formel

Maximale Leistungsverstärkung eines Mikrowellentransistors = (Transitzeit-Grenzfrequenz/Frequenz der Leistungsverstärkung)^2*Ausgangsimpedanz/Eingangsimpedanz
G_max = (f_TC/f)^2*Z_out/Z_in
Diese formel verwendet 5 Variablen

Verwendete Variablen

Maximale Leistungsverstärkung eines Mikrowellentransistors - Die maximale Leistungsverstärkung eines Mikrowellentransistors ist die Frequenz, bei der der Transistor optimal arbeitet.
Transitzeit-Grenzfrequenz - (Gemessen in Hertz) - Die Transitzeit-Grenzfrequenz bezeichnet die Zeit, die Ladungsträger (Elektronen oder Löcher) für den Durchgang durch das Gerät benötigen.
Frequenz der Leistungsverstärkung - (Gemessen in Hertz) - Die Leistungsverstärkungsfrequenz bezieht sich auf die Frequenz, bei der die Leistungsverstärkung des Geräts abzunehmen beginnt.
Ausgangsimpedanz - (Gemessen in Ohm) - Unter Ausgangsimpedanz versteht man die Impedanz oder den Widerstand, den ein Gerät oder ein Schaltkreis der an seinen Ausgang angeschlossenen externen Last entgegensetzt.
Eingangsimpedanz - (Gemessen in Ohm) - Die Eingangsimpedanz ist die äquivalente Impedanz oder der äquivalente Widerstand, den ein Gerät oder eine Schaltung an seinen Eingangsanschlüssen aufweist, wenn ein Signal angelegt wird.

SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit

Transitzeit-Grenzfrequenz: 2.08 Hertz --> 2.08 Hertz Keine Konvertierung erforderlich
Frequenz der Leistungsverstärkung: 80 Hertz --> 80 Hertz Keine Konvertierung erforderlich
Ausgangsimpedanz: 0.27 Ohm --> 0.27 Ohm Keine Konvertierung erforderlich
Eingangsimpedanz: 5.4 Ohm --> 5.4 Ohm Keine Konvertierung erforderlich

SCHRITT 2: Formel auswerten

Eingabewerte in Formel ersetzen

G_max = (f_TC/f)^2*Z_out/Z_in --> (2.08/80)^2*0.27/5.4

Auswerten ... ...

G_max = 3.38E-05

SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit

3.38E-05 --> Keine Konvertierung erforderlich

ENDGÜLTIGE ANTWORT

3.38E-05 ≈ 3.4E-5 <-- Maximale Leistungsverstärkung eines Mikrowellentransistors

(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)

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Credits

Erstellt von Banuprakash

Dayananda Sagar College of Engineering (DSCE), Bangalore

Banuprakash hat diesen Rechner und 50+ weitere Rechner erstellt!

Geprüft von Dipanjona Mallick

Heritage Institute of Technology (HITK), Kalkutta

Dipanjona Mallick hat diesen Rechner und 50+ weitere Rechner verifiziert!

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Leistungsgewinn des Abwärtswandlers bei gegebenem Degradationsfaktor

Gehen Leistungsverstärkung des Abwärtswandlers = Signalfrequenz/Ausgangsfrequenz*(Signalfrequenz/Ausgangsfrequenz*(Leistungszahl)^2)/(1+sqrt(1+(Signalfrequenz/Ausgangsfrequenz*(Leistungszahl)^2)))^2

Verstärkungsdegradationsfaktor für MESFET

Gehen Degradationsfaktor gewinnen = Ausgangsfrequenz/Signalfrequenz*(Signalfrequenz/Ausgangsfrequenz*(Leistungszahl)^2)/(1+sqrt(1+(Signalfrequenz/Ausgangsfrequenz*(Leistungszahl)^2)))^2

Rauschfaktor GaAs MESFET

Gehen Lärmfaktor = 1+2*Winkelfrequenz*Gate-Source-Kapazität/Transkonduktanz des MESFET*sqrt((Quellenwiderstand-Gate-Widerstand)/Eingangswiderstand)

Maximale Betriebsfrequenz

Gehen Maximale Betriebsfrequenz = MESFET-Grenzfrequenz/2*sqrt(Abflusswiderstand/(Quellenwiderstand+Eingangswiderstand+Widerstand der Gate-Metallisierung))

Maximal zulässige Leistung

Gehen Maximal zulässige Leistung = 1/(Reaktanz*Transitzeit-Grenzfrequenz^2)*(Maximales elektrisches Feld*Maximale Sättigungsdriftgeschwindigkeit/(2*pi))^2

Maximale Leistungsverstärkung des Mikrowellentransistors

Gehen Maximale Leistungsverstärkung eines Mikrowellentransistors = (Transitzeit-Grenzfrequenz/Frequenz der Leistungsverstärkung)^2*Ausgangsimpedanz/Eingangsimpedanz

Transkonduktanz im Sättigungsbereich im MESFET

Gehen Transkonduktanz des MESFET = Ausgangsleitfähigkeit*(1-sqrt((Eingangsspannung-Grenzspannung)/Abschnürspannung))

MESFET-Grenzfrequenz

Gehen MESFET-Grenzfrequenz = Transkonduktanz des MESFET/(2*pi*Gate-Source-Kapazität)

Transitwinkel

Gehen Transitwinkel = Winkelfrequenz*Länge des Driftraums/Trägerdriftgeschwindigkeit

Maximale Schwingungsfrequenz

Gehen Maximale Schwingungsfrequenz = Sättigungsgeschwindigkeit/(2*pi*Kanallänge)

Maximale Leistungsverstärkung des Mikrowellentransistors Formel

Maximale Leistungsverstärkung eines Mikrowellentransistors = (Transitzeit-Grenzfrequenz/Frequenz der Leistungsverstärkung)^2*Ausgangsimpedanz/Eingangsimpedanz
G_max = (f_TC/f)^2*Z_out/Z_in

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