Calculadora Máxima ganancia de potencia del transistor de microondas

✖La frecuencia de corte del tiempo de tránsito se relaciona con el tiempo que tardan los portadores de carga (electrones o huecos) en transitar a través del dispositivo.ⓘ Frecuencia de corte del tiempo de tránsito [f_TC]			+10% -10%
✖La frecuencia de ganancia de potencia se refiere a la frecuencia a la que la ganancia de potencia del dispositivo comienza a disminuir.ⓘ Frecuencia de ganancia de potencia [f]			+10% -10%
✖La impedancia de salida se refiere a la impedancia o resistencia que un dispositivo o circuito presenta a la carga externa conectada a su salida.ⓘ Impedancia de salida [Z_out]			+10% -10%
✖La impedancia de entrada es la impedancia o resistencia equivalente que presenta un dispositivo o circuito en sus terminales de entrada cuando se aplica una señal.ⓘ Impedencia de entrada [Z_in]			+10% -10%

✖La ganancia de potencia máxima de un transistor de microondas es la frecuencia a la que el transistor funciona de manera óptima.ⓘ Máxima ganancia de potencia del transistor de microondas [G_max]

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Fórmula

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Máxima ganancia de potencia del transistor de microondas

Fórmula

`"G"_{"max"} = ("f"_{"TC"}/"f")^2*"Z"_{"out"}/"Z"_{"in"}`

Ejemplo

`"3.4E^-5"=("2.08Hz"/"80Hz")^2*"0.27Ω"/"5.4Ω"`

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Máxima ganancia de potencia del transistor de microondas Solución

PASO 0: Resumen del cálculo previo

Fórmula utilizada

Máxima ganancia de potencia de un transistor de microondas = (Frecuencia de corte del tiempo de tránsito/Frecuencia de ganancia de potencia)^2*Impedancia de salida/Impedencia de entrada
G_max = (f_TC/f)^2*Z_out/Z_in
Esta fórmula usa 5 Variables

Variables utilizadas

Máxima ganancia de potencia de un transistor de microondas - La ganancia de potencia máxima de un transistor de microondas es la frecuencia a la que el transistor funciona de manera óptima.
Frecuencia de corte del tiempo de tránsito - (Medido en hercios) - La frecuencia de corte del tiempo de tránsito se relaciona con el tiempo que tardan los portadores de carga (electrones o huecos) en transitar a través del dispositivo.
Frecuencia de ganancia de potencia - (Medido en hercios) - La frecuencia de ganancia de potencia se refiere a la frecuencia a la que la ganancia de potencia del dispositivo comienza a disminuir.
Impedancia de salida - (Medido en Ohm) - La impedancia de salida se refiere a la impedancia o resistencia que un dispositivo o circuito presenta a la carga externa conectada a su salida.
Impedencia de entrada - (Medido en Ohm) - La impedancia de entrada es la impedancia o resistencia equivalente que presenta un dispositivo o circuito en sus terminales de entrada cuando se aplica una señal.

PASO 1: Convierta la (s) entrada (s) a la unidad base

Frecuencia de corte del tiempo de tránsito: 2.08 hercios --> 2.08 hercios No se requiere conversión
Frecuencia de ganancia de potencia: 80 hercios --> 80 hercios No se requiere conversión
Impedancia de salida: 0.27 Ohm --> 0.27 Ohm No se requiere conversión
Impedencia de entrada: 5.4 Ohm --> 5.4 Ohm No se requiere conversión

PASO 2: Evaluar la fórmula

Sustituir valores de entrada en una fórmula

G_max = (f_TC/f)^2*Z_out/Z_in --> (2.08/80)^2*0.27/5.4

Evaluar ... ...

G_max = 3.38E-05

PASO 3: Convierta el resultado a la unidad de salida

3.38E-05 --> No se requiere conversión

RESPUESTA FINAL

3.38E-05 ≈ 3.4E-5 <-- Máxima ganancia de potencia de un transistor de microondas

(Cálculo completado en 00.004 segundos)

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Créditos

Creado por banuprakash

Facultad de Ingeniería Dayananda Sagar (DSCE), Bangalore

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Verificada por Dipanjona Mallick

Instituto Tecnológico del Patrimonio (hitk), Calcuta

¡Dipanjona Mallick ha verificado esta calculadora y 50+ más calculadoras!

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Ganancia de potencia del convertidor reductor dado el factor de degradación

Vamos Ganancia de potencia del convertidor reductor = Frecuencia de señal/Frecuencia de salida*(Frecuencia de señal/Frecuencia de salida*(Figura de mérito)^2)/(1+sqrt(1+(Frecuencia de señal/Frecuencia de salida*(Figura de mérito)^2)))^2

Ganar factor de degradación para MESFET

Vamos Ganar factor de degradación = Frecuencia de salida/Frecuencia de señal*(Frecuencia de señal/Frecuencia de salida*(Figura de mérito)^2)/(1+sqrt(1+(Frecuencia de señal/Frecuencia de salida*(Figura de mérito)^2)))^2

Factor de ruido GaAs MESFET

Vamos factor de ruido = 1+2*Frecuencia angular*Capacitancia de la fuente de puerta/Transconductancia del MESFET*sqrt((Resistencia de la fuente-Resistencia de la puerta)/Resistencia de entrada)

Frecuencia máxima de funcionamiento

Vamos Frecuencia máxima de funcionamiento = Frecuencia de corte MESFET/2*sqrt(Resistencia al drenaje/(Resistencia de la fuente+Resistencia de entrada+Resistencia a la metalización de la puerta))

Potencia máxima permitida

Vamos Potencia máxima permitida = 1/(Resistencia reactiva*Frecuencia de corte del tiempo de tránsito^2)*(Campo eléctrico máximo*Velocidad máxima de deriva de saturación/(2*pi))^2

Máxima ganancia de potencia del transistor de microondas

Vamos Máxima ganancia de potencia de un transistor de microondas = (Frecuencia de corte del tiempo de tránsito/Frecuencia de ganancia de potencia)^2*Impedancia de salida/Impedencia de entrada

Transconductancia en la región de saturación en MESFET

Vamos Transconductancia del MESFET = Conductancia de salida*(1-sqrt((Voltaje de entrada-Voltaje umbral)/Voltaje de pellizco))

Ángulo de tránsito

Vamos Ángulo de tránsito = Frecuencia angular*Longitud del espacio de deriva/Velocidad de deriva del portador

Frecuencia de corte MESFET

Vamos Frecuencia de corte MESFET = Transconductancia del MESFET/(2*pi*Capacitancia de la fuente de puerta)

Frecuencia máxima de oscilación

Vamos Frecuencia máxima de oscilación = Velocidad de saturación/(2*pi*Longitud del canal)

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