Tensão de entrada no transistor Calculadora

✖A resistência do dreno é a razão entre a mudança na tensão do dreno e da fonte e a mudança correspondente na corrente de dreno para uma porta constante para a tensão da fonte.ⓘ Resistência à drenagem [R_d]			+10% -10%
✖A corrente de dreno abaixo da tensão limite é definida como a corrente sublimiar e varia exponencialmente com a tensão da porta para a fonte.ⓘ Corrente de drenagem [i_d]			+10% -10%
✖A tensão de dreno instantânea total é a tensão que passa pelo terminal porta-fonte do transistor.ⓘ Tensão de drenagem instantânea total [V_d]			+10% -10%

✖A tensão do componente fundamental é o primeiro harmônico da tensão na análise harmônica da onda quadrada de tensão em um circuito baseado em inversor.ⓘ Tensão de entrada no transistor [V_fc]

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Fórmula

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Tensão de entrada no transistor

Fórmula

`"V"_{"fc"} = "R"_{"d"}*"i"_{"d"}-"V"_{"d"}`

Exemplo

`"5.016V"="0.36kΩ"*"17.5mA"-"1.284V"`

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Tensão de entrada no transistor Solução

ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo

Fórmula Usada

Tensão do Componente Fundamental = Resistência à drenagem*Corrente de drenagem-Tensão de drenagem instantânea total
V_fc = R_d*i_d-V_d
Esta fórmula usa 4 Variáveis

Variáveis Usadas

Tensão do Componente Fundamental - (Medido em Volt) - A tensão do componente fundamental é o primeiro harmônico da tensão na análise harmônica da onda quadrada de tensão em um circuito baseado em inversor.
Resistência à drenagem - (Medido em Ohm) - A resistência do dreno é a razão entre a mudança na tensão do dreno e da fonte e a mudança correspondente na corrente de dreno para uma porta constante para a tensão da fonte.
Corrente de drenagem - (Medido em Ampere) - A corrente de dreno abaixo da tensão limite é definida como a corrente sublimiar e varia exponencialmente com a tensão da porta para a fonte.
Tensão de drenagem instantânea total - (Medido em Volt) - A tensão de dreno instantânea total é a tensão que passa pelo terminal porta-fonte do transistor.

ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base

Resistência à drenagem: 0.36 Quilohm --> 360 Ohm (Verifique a conversão aqui)
Corrente de drenagem: 17.5 Miliamperes --> 0.0175 Ampere (Verifique a conversão aqui)
Tensão de drenagem instantânea total: 1.284 Volt --> 1.284 Volt Nenhuma conversão necessária

ETAPA 2: Avalie a Fórmula

Substituindo valores de entrada na fórmula

V_fc = R_d*i_d-V_d --> 360*0.0175-1.284

Avaliando ... ...

V_fc = 5.016

PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída

5.016 Volt --> Nenhuma conversão necessária

RESPOSTA FINAL

5.016 Volt <-- Tensão do Componente Fundamental

(Cálculo concluído em 00.004 segundos)

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Créditos

Criado por Payal Priya

Birsa Institute of Technology (MORDEU), Sindri

Payal Priya criou esta calculadora e mais 600+ calculadoras!

Verificado por Prahalad Singh

Jaipur Engineering College and Research Center (JECRC), Jaipur

Prahalad Singh verificou esta calculadora e mais 10+ calculadoras!

< 18 Características do amplificador transistorizado Calculadoras

Corrente que flui através do canal induzido no transistor dada a tensão de óxido

Vai Corrente de saída = (Mobilidade do Elétron*Capacitância de Óxido*(Largura do canal/Comprimento do canal)*(Tensão através do óxido-Tensão de limiar))*Tensão de saturação entre dreno e fonte

Tensão efetiva geral da transcondutância MOSFET

Vai Tensão Efetiva = sqrt(2*Corrente de drenagem de saturação/(Parâmetro de Transcondutância do Processo*(Largura do canal/Comprimento do canal)))

Tensão de entrada fornecida Tensão de sinal

Vai Tensão do Componente Fundamental = (Resistência de entrada finita/(Resistência de entrada finita+Resistência do sinal))*Tensão de sinal pequeno

Terminal de drenagem de entrada de corrente do MOSFET na saturação

Vai Corrente de drenagem de saturação = 1/2*Parâmetro de Transcondutância do Processo*(Largura do canal/Comprimento do canal)*(Tensão Efetiva)^2

Parâmetro de transcondutância do transistor MOS

Vai Parâmetro de Transcondutância = Corrente de drenagem/((Tensão através do óxido-Tensão de limiar)*Tensão entre Gate e Fonte)

Corrente de drenagem instantânea usando tensão entre o dreno e a fonte

Vai Corrente de drenagem = Parâmetro de Transcondutância*(Tensão através do óxido-Tensão de limiar)*Tensão entre Gate e Fonte

Corrente de drenagem do transistor

Vai Corrente de drenagem = (Tensão do Componente Fundamental+Tensão de drenagem instantânea total)/Resistência à drenagem

Tensão de dreno instantânea total

Vai Tensão de drenagem instantânea total = Tensão do Componente Fundamental-Resistência à drenagem*Corrente de drenagem

Tensão de entrada no transistor

Vai Tensão do Componente Fundamental = Resistência à drenagem*Corrente de drenagem-Tensão de drenagem instantânea total

Transcondutância de Amplificadores Transistores

Vai Transcondutância Primária MOSFET = (2*Corrente de drenagem)/(Tensão através do óxido-Tensão de limiar)

Corrente de sinal no emissor dado sinal de entrada

Vai Corrente de sinal no emissor = Tensão do Componente Fundamental/Resistência do emissor

Resistência de entrada do amplificador de coletor comum

Vai Resistência de entrada = Tensão do Componente Fundamental/Corrente Básica

Transcondutância usando a corrente do coletor do amplificador de transistor

Vai Transcondutância Primária MOSFET = Corrente do coletor/Tensão de limiar

Entrada do amplificador do amplificador transistor

Vai Entrada do amplificador = Resistência de entrada*Corrente de entrada

Resistência de saída do circuito de portão comum dada a tensão de teste

Vai Resistência de saída finita = Tensão de teste/Corrente de teste

Corrente de teste do amplificador transistorizado

Vai Corrente de teste = Tensão de teste/Resistência de entrada

Resistência de entrada do circuito de porta comum

Vai Resistência de entrada = Tensão de teste/Corrente de teste

Ganho de corrente DC do amplificador

Vai Ganho de corrente CC = Corrente do coletor/Corrente Básica

Tensão de entrada no transistor Fórmula

Tensão do Componente Fundamental = Resistência à drenagem*Corrente de drenagem-Tensão de drenagem instantânea total
V_fc = R_d*i_d-V_d

O que é MOSFET e sua aplicação?

MOSFET é usado para comutar ou amplificar sinais. A capacidade de alterar a condutividade com a quantidade de voltagem aplicada pode ser usada para amplificar ou alternar sinais eletrônicos. Os MOSFETs agora são ainda mais comuns do que os BJTs (transistores de junção bipolar) em circuitos digitais e analógicos.

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