Входное напряжение транзистора Решение

ШАГ 0: Сводка предварительного расчета
Используемая формула
Основное напряжение компонента = Сопротивление дренажу*Ток стока-Общее мгновенное напряжение стока
Vfc = Rd*id-Vd
В этой формуле используются 4 Переменные
Используемые переменные
Основное напряжение компонента - (Измеряется в вольт) - Основная составляющая напряжения — это первая гармоника напряжения при гармоническом анализе прямоугольной волны напряжения в схеме на основе инвертора.
Сопротивление дренажу - (Измеряется в ом) - Сопротивление стока — это отношение изменения напряжения стока к истоку к соответствующему изменению тока стока при постоянном напряжении затвор-исток.
Ток стока - (Измеряется в Ампер) - Ток стока ниже порогового напряжения определяется как подпороговой ток и изменяется экспоненциально в зависимости от напряжения затвор-исток.
Общее мгновенное напряжение стока - (Измеряется в вольт) - Общее мгновенное напряжение стока — это напряжение, которое падает на вывод затвор-исток транзистора.
ШАГ 1. Преобразование входов в базовый блок
Сопротивление дренажу: 0.36 килоом --> 360 ом (Проверьте преобразование ​здесь)
Ток стока: 17.5 Миллиампер --> 0.0175 Ампер (Проверьте преобразование ​здесь)
Общее мгновенное напряжение стока: 1.284 вольт --> 1.284 вольт Конверсия не требуется
ШАГ 2: Оцените формулу
Подстановка входных значений в формулу
Vfc = Rd*id-Vd --> 360*0.0175-1.284
Оценка ... ...
Vfc = 5.016
ШАГ 3: Преобразуйте результат в единицу вывода
5.016 вольт --> Конверсия не требуется
ОКОНЧАТЕЛЬНЫЙ ОТВЕТ
5.016 вольт <-- Основное напряжение компонента
(Расчет завершен через 00.004 секунд)

Кредиты

Creator Image
Сделано Паял Прия
Бирса технологический институт (НЕМНОГО), Синдри
Паял Прия создал этот калькулятор и еще 600+!
Verifier Image
Проверено Прахалад Сингх
Джайпурский инженерный колледж и исследовательский центр (JECRC), Джайпур
Прахалад Сингх проверил этот калькулятор и еще 10+!

18 Характеристики транзисторного усилителя Калькуляторы

Ток, протекающий через индуцированный канал в транзисторе при заданном напряжении оксида
​ Идти Выходной ток = (Мобильность электрона*Оксидная емкость*(Ширина канала/Длина канала)*(Напряжение на оксиде-Пороговое напряжение))*Напряжение насыщения между стоком и истоком
Заданное входное напряжение Сигнальное напряжение
​ Идти Основное напряжение компонента = (Конечное входное сопротивление/(Конечное входное сопротивление+Сигнальное сопротивление))*Малое напряжение сигнала
Общее эффективное напряжение крутизны МОП-транзистора
​ Идти Эффективное напряжение = sqrt(2*Ток стока насыщения/(Параметр крутизны процесса*(Ширина канала/Длина канала)))
Параметр крутизны МОП-транзистора
​ Идти Параметр крутизны = Ток стока/((Напряжение на оксиде-Пороговое напряжение)*Напряжение между затвором и истоком)
Мгновенный ток стока с использованием напряжения между стоком и истоком
​ Идти Ток стока = Параметр крутизны*(Напряжение на оксиде-Пороговое напряжение)*Напряжение между затвором и истоком
Ток, поступающий на клемму стока MOSFET при насыщении
​ Идти Ток стока насыщения = 1/2*Параметр крутизны процесса*(Ширина канала/Длина канала)*(Эффективное напряжение)^2
Ток стока транзистора
​ Идти Ток стока = (Основное напряжение компонента+Общее мгновенное напряжение стока)/Сопротивление дренажу
Общее мгновенное напряжение стока
​ Идти Общее мгновенное напряжение стока = Основное напряжение компонента-Сопротивление дренажу*Ток стока
Входное напряжение транзистора
​ Идти Основное напряжение компонента = Сопротивление дренажу*Ток стока-Общее мгновенное напряжение стока
Крутизна транзисторных усилителей
​ Идти Первичная крутизна МОП-транзистора = (2*Ток стока)/(Напряжение на оксиде-Пороговое напряжение)
Сигнал Ток в эмиттере при заданном входном сигнале
​ Идти Ток сигнала в эмиттере = Основное напряжение компонента/Сопротивление эмиттера
Транскондуктивность с использованием тока коллектора транзисторного усилителя
​ Идти Первичная крутизна МОП-транзистора = Коллекторный ток/Пороговое напряжение
Выходное сопротивление цепи общего затвора с заданным тестовым напряжением
​ Идти Конечное выходное сопротивление = Испытательное напряжение/Тестовый ток
Входное сопротивление усилителя с общим коллектором
​ Идти Входное сопротивление = Основное напряжение компонента/Базовый ток
Входное сопротивление схемы с общим затвором
​ Идти Входное сопротивление = Испытательное напряжение/Тестовый ток
Испытательный ток транзисторного усилителя
​ Идти Тестовый ток = Испытательное напряжение/Входное сопротивление
Коэффициент усиления постоянного тока усилителя
​ Идти Усиление постоянного тока = Коллекторный ток/Базовый ток
Вход усилителя транзисторного усилителя
​ Идти Вход усилителя = Входное сопротивление*Входной ток

Входное напряжение транзистора формула

Основное напряжение компонента = Сопротивление дренажу*Ток стока-Общее мгновенное напряжение стока
Vfc = Rd*id-Vd

Что такое MOSFET и его применение?

MOSFET используется для переключения или усиления сигналов. Возможность изменения проводимости в зависимости от приложенного напряжения может использоваться для усиления или переключения электронных сигналов. MOSFET теперь даже более распространены, чем BJT (биполярные переходные транзисторы) в цифровых и аналоговых схемах.

Let Others Know
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!