Tension d'entrée dans le transistor Calculatrice

✖La résistance de drain est le rapport entre la variation de la tension drain-source et la variation correspondante du courant de drain pour une tension grille-source constante.ⓘ Résistance aux fuites [R_d]			+10% -10%
✖Le courant de drain inférieur à la tension de seuil est défini comme le courant sous-seuil et varie de façon exponentielle avec la tension grille-source.ⓘ Courant de vidange [i_d]			+10% -10%
✖La tension de drain instantanée totale est la tension qui tombe aux bornes grille-source du transistor.ⓘ Tension de vidange instantanée totale [V_d]			+10% -10%

✖La tension du composant fondamental est la première harmonique de la tension dans l'analyse harmonique de l'onde carrée de tension dans un circuit basé sur un onduleur.ⓘ Tension d'entrée dans le transistor [V_fc]

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Formule

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Tension d'entrée dans le transistor

Formule

`"V"_{"fc"} = "R"_{"d"}*"i"_{"d"}-"V"_{"d"}`

Exemple

`"5.016V"="0.36kΩ"*"17.5mA"-"1.284V"`

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Tension d'entrée dans le transistor Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul

Formule utilisée

Tension des composants fondamentaux = Résistance aux fuites*Courant de vidange-Tension de vidange instantanée totale
V_fc = R_d*i_d-V_d
Cette formule utilise 4 Variables

Variables utilisées

Tension des composants fondamentaux - (Mesuré en Volt) - La tension du composant fondamental est la première harmonique de la tension dans l'analyse harmonique de l'onde carrée de tension dans un circuit basé sur un onduleur.
Résistance aux fuites - (Mesuré en Ohm) - La résistance de drain est le rapport entre la variation de la tension drain-source et la variation correspondante du courant de drain pour une tension grille-source constante.
Courant de vidange - (Mesuré en Ampère) - Le courant de drain inférieur à la tension de seuil est défini comme le courant sous-seuil et varie de façon exponentielle avec la tension grille-source.
Tension de vidange instantanée totale - (Mesuré en Volt) - La tension de drain instantanée totale est la tension qui tombe aux bornes grille-source du transistor.

ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base

Résistance aux fuites: 0.36 Kilohm --> 360 Ohm (Vérifiez la conversion ici)
Courant de vidange: 17.5 Milliampère --> 0.0175 Ampère (Vérifiez la conversion ici)
Tension de vidange instantanée totale: 1.284 Volt --> 1.284 Volt Aucune conversion requise

ÉTAPE 2: Évaluer la formule

Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule

V_fc = R_d*i_d-V_d --> 360*0.0175-1.284

Évaluer ... ...

V_fc = 5.016

ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie

5.016 Volt --> Aucune conversion requise

RÉPONSE FINALE

5.016 Volt <-- Tension des composants fondamentaux

(Calcul effectué en 00.020 secondes)

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Crédits

Créé par Payal Priya

Institut de technologie de Birsa (BIT), Sindri

Payal Priya a créé cette calculatrice et 600+ autres calculatrices!

Vérifié par Prahalad Singh

Collège d'ingénierie et centre de recherche de Jaipur (JECRC), Jaipur

Prahalad Singh a validé cette calculatrice et 10+ autres calculatrices!

< 18 Caractéristiques de l'amplificateur à transistor Calculatrices

Courant circulant dans le canal induit dans le transistor étant donné la tension d'oxyde

Aller Courant de sortie = (Mobilité de l'électron*Capacité d'oxyde*(Largeur du canal/Longueur du canal)*(Tension aux bornes de l'oxyde-Tension de seuil))*Tension de saturation entre drain et source

Tension efficace globale de la transconductance MOSFET

Aller Tension efficace = sqrt(2*Courant de drainage de saturation/(Paramètre de transconductance du processus*(Largeur du canal/Longueur du canal)))

Courant entrant dans la borne de drain du MOSFET à saturation

Aller Courant de drainage de saturation = 1/2*Paramètre de transconductance du processus*(Largeur du canal/Longueur du canal)*(Tension efficace)^2

Tension d'entrée donnée Tension du signal

Aller Tension des composants fondamentaux = (Résistance d'entrée finie/(Résistance d'entrée finie+Résistance du signal))*Tension du petit signal

Paramètre de transconductance du transistor MOS

Aller Paramètre de transconductance = Courant de vidange/((Tension aux bornes de l'oxyde-Tension de seuil)*Tension entre la porte et la source)

Courant de drain instantané utilisant la tension entre le drain et la source

Aller Courant de vidange = Paramètre de transconductance*(Tension aux bornes de l'oxyde-Tension de seuil)*Tension entre la porte et la source

Courant de drain du transistor

Aller Courant de vidange = (Tension des composants fondamentaux+Tension de vidange instantanée totale)/Résistance aux fuites

Tension de drain instantanée totale

Aller Tension de vidange instantanée totale = Tension des composants fondamentaux-Résistance aux fuites*Courant de vidange

Tension d'entrée dans le transistor

Aller Tension des composants fondamentaux = Résistance aux fuites*Courant de vidange-Tension de vidange instantanée totale

Transconductance des amplificateurs à transistors

Aller Transconductance primaire MOSFET = (2*Courant de vidange)/(Tension aux bornes de l'oxyde-Tension de seuil)

Courant de signal dans l'émetteur donné Signal d'entrée

Aller Courant de signal dans l'émetteur = Tension des composants fondamentaux/Résistance de l'émetteur

Transconductance utilisant le courant de collecteur de l'amplificateur à transistor

Aller Transconductance primaire MOSFET = Courant du collecteur/Tension de seuil

Résistance d'entrée de l'amplificateur à collecteur commun

Aller Résistance d'entrée = Tension des composants fondamentaux/Courant de base

Gain de courant continu de l'amplificateur

Aller Gain de courant continu = Courant du collecteur/Courant de base

Résistance de sortie du circuit de porte commun compte tenu de la tension de test

Aller Résistance de sortie finie = Tension d'essai/Courant d'essai

Entrée amplificateur de l'amplificateur à transistor

Aller Entrée amplificateur = Résistance d'entrée*Courant d'entrée

Courant de test de l'amplificateur à transistor

Aller Courant d'essai = Tension d'essai/Résistance d'entrée

Résistance d'entrée du circuit à porte commune

Aller Résistance d'entrée = Tension d'essai/Courant d'essai

Tension d'entrée dans le transistor Formule

Tension des composants fondamentaux = Résistance aux fuites*Courant de vidange-Tension de vidange instantanée totale
V_fc = R_d*i_d-V_d

Qu'est-ce que MOSFET et son application?

Le MOSFET est utilisé pour commuter ou amplifier des signaux. La capacité de changer la conductivité avec la quantité de tension appliquée peut être utilisée pour amplifier ou commuter des signaux électroniques. Les MOSFET sont maintenant encore plus courants que les BJT (transistors à jonction bipolaire) dans les circuits numériques et analogiques.

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