Tensione di ingresso nel transistor calcolatrice

✖La resistenza di drain è il rapporto tra la variazione della tensione da drain a source e la corrispondente variazione della corrente di drain per una tensione da gate a source costante.ⓘ Resistenza allo scarico [R_d]			+10% -10%
✖La corrente di drenaggio al di sotto della tensione di soglia è definita come corrente sottosoglia e varia in modo esponenziale con la tensione da gate a source.ⓘ Assorbimento di corrente [i_d]			+10% -10%
✖La tensione di drain istantanea totale è la tensione che cade attraverso il terminale gate-source del transistor.ⓘ Tensione di drenaggio istantanea totale [V_d]			+10% -10%

✖La tensione del componente fondamentale è la prima armonica della tensione nell'analisi armonica dell'onda quadra della tensione in un circuito basato su inverter.ⓘ Tensione di ingresso nel transistor [V_fc]

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Formula

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Tensione di ingresso nel transistor

Formula

`"V"_{"fc"} = "R"_{"d"}*"i"_{"d"}-"V"_{"d"}`

Esempio

`"5.016V"="0.36kΩ"*"17.5mA"-"1.284V"`

Calcolatrice

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Tensione di ingresso nel transistor Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo

Formula utilizzata

Tensione dei componenti fondamentali = Resistenza allo scarico*Assorbimento di corrente-Tensione di drenaggio istantanea totale
V_fc = R_d*i_d-V_d
Questa formula utilizza 4 Variabili

Variabili utilizzate

Tensione dei componenti fondamentali - (Misurato in Volt) - La tensione del componente fondamentale è la prima armonica della tensione nell'analisi armonica dell'onda quadra della tensione in un circuito basato su inverter.
Resistenza allo scarico - (Misurato in Ohm) - La resistenza di drain è il rapporto tra la variazione della tensione da drain a source e la corrispondente variazione della corrente di drain per una tensione da gate a source costante.
Assorbimento di corrente - (Misurato in Ampere) - La corrente di drenaggio al di sotto della tensione di soglia è definita come corrente sottosoglia e varia in modo esponenziale con la tensione da gate a source.
Tensione di drenaggio istantanea totale - (Misurato in Volt) - La tensione di drain istantanea totale è la tensione che cade attraverso il terminale gate-source del transistor.

PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base

Resistenza allo scarico: 0.36 Kilohm --> 360 Ohm (Controlla la conversione qui)
Assorbimento di corrente: 17.5 Millampere --> 0.0175 Ampere (Controlla la conversione qui)
Tensione di drenaggio istantanea totale: 1.284 Volt --> 1.284 Volt Nessuna conversione richiesta

FASE 2: valutare la formula

Sostituzione dei valori di input nella formula

V_fc = R_d*i_d-V_d --> 360*0.0175-1.284

Valutare ... ...

V_fc = 5.016

PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output

5.016 Volt --> Nessuna conversione richiesta

RISPOSTA FINALE

5.016 Volt <-- Tensione dei componenti fondamentali

(Calcolo completato in 00.020 secondi)

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Titoli di coda

Creato da Payal Priya

Istituto di tecnologia Birsa (PO), Sindri

Payal Priya ha creato questa calcolatrice e altre 600+ altre calcolatrici!

Verificato da Prahalad Singh

Jaipur Engineering College and Research Center (JECRC), Jaipur

Prahalad Singh ha verificato questa calcolatrice e altre 10+ altre calcolatrici!

< 18 Caratteristiche dell'amplificatore a transistor Calcolatrici

Corrente che scorre attraverso il canale indotto nel transistor data la tensione di ossido

Partire Corrente di uscita = (Mobilità dell'elettrone*Capacità dell'ossido*(Larghezza del canale/Lunghezza del canale)*(Tensione attraverso l'ossido-Soglia di voltaggio))*Tensione di saturazione tra Drain e Source

Tensione effettiva complessiva della transconduttanza del MOSFET

Partire Tensione effettiva = sqrt(2*Corrente di drenaggio di saturazione/(Parametro di transconduttanza del processo*(Larghezza del canale/Lunghezza del canale)))

Tensione di ingresso data tensione di segnale

Partire Tensione dei componenti fondamentali = (Resistenza di ingresso finita/(Resistenza di ingresso finita+Resistenza del segnale))*Piccola tensione di segnale

Corrente in entrata nel terminale di scarico del MOSFET alla saturazione

Partire Corrente di drenaggio di saturazione = 1/2*Parametro di transconduttanza del processo*(Larghezza del canale/Lunghezza del canale)*(Tensione effettiva)^2

Parametro di transconduttanza del transistor MOS

Partire Parametro di transconduttanza = Assorbimento di corrente/((Tensione attraverso l'ossido-Soglia di voltaggio)*Tensione tra Gate e Source)

Corrente di scarico istantanea utilizzando la tensione tra scarico e sorgente

Partire Assorbimento di corrente = Parametro di transconduttanza*(Tensione attraverso l'ossido-Soglia di voltaggio)*Tensione tra Gate e Source

Corrente di scarico del transistor

Partire Assorbimento di corrente = (Tensione dei componenti fondamentali+Tensione di drenaggio istantanea totale)/Resistenza allo scarico

Tensione di scarico totale istantanea

Partire Tensione di drenaggio istantanea totale = Tensione dei componenti fondamentali-Resistenza allo scarico*Assorbimento di corrente

Tensione di ingresso nel transistor

Partire Tensione dei componenti fondamentali = Resistenza allo scarico*Assorbimento di corrente-Tensione di drenaggio istantanea totale

Transconduttanza degli amplificatori a transistor

Partire Transconduttanza primaria MOSFET = (2*Assorbimento di corrente)/(Tensione attraverso l'ossido-Soglia di voltaggio)

Segnale Corrente nell'emettitore dato il segnale di ingresso

Partire Corrente del segnale nell'emettitore = Tensione dei componenti fondamentali/Resistenza dell'emettitore

Transconduttanza utilizzando la corrente di collettore dell'amplificatore a transistor

Partire Transconduttanza primaria MOSFET = Corrente del collettore/Soglia di voltaggio

Resistenza di ingresso dell'amplificatore a collettore comune

Partire Resistenza in ingresso = Tensione dei componenti fondamentali/Corrente di base

Ingresso amplificatore dell'amplificatore a transistor

Partire Ingresso dell'amplificatore = Resistenza in ingresso*Corrente in ingresso

Guadagno di corrente CC dell'amplificatore

Partire Guadagno di corrente CC = Corrente del collettore/Corrente di base

Resistenza di uscita del circuito di gate comune data la tensione di prova

Partire Resistenza di uscita finita = Prova di tensione/Prova corrente

Resistenza di ingresso del circuito di gate comune

Partire Resistenza in ingresso = Prova di tensione/Prova corrente

Prova la corrente dell'amplificatore a transistor

Partire Prova corrente = Prova di tensione/Resistenza in ingresso

Tensione di ingresso nel transistor Formula

Tensione dei componenti fondamentali = Resistenza allo scarico*Assorbimento di corrente-Tensione di drenaggio istantanea totale
V_fc = R_d*i_d-V_d

Cos'è il MOSFET e la sua applicazione?

MOSFET viene utilizzato per la commutazione o l'amplificazione dei segnali. La capacità di modificare la conduttività con la quantità di tensione applicata può essere utilizzata per amplificare o commutare i segnali elettronici. I MOSFET sono ora ancora più comuni dei BJT (transistor a giunzione bipolare) nei circuiti digitali e analogici.

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