Transcondutância na região de saturação no MESFET Calculadora

✖A Condutância de Saída é um parâmetro que caracteriza o comportamento de um transistor de efeito de campo (FET) em sua região de saturação.ⓘ Condutância de saída [g₀]			+10% -10%
✖Tensão de entrada é a diferença de potencial elétrico aplicada aos terminais de entrada de um componente ou sistema.ⓘ Tensão de entrada [V_i]			+10% -10%
✖A tensão limite é referida como a tensão na qual o transistor começa a conduzir.ⓘ Tensão de limiar [V_G]			+10% -10%
✖A tensão de pinçamento representa a tensão da porta-fonte na qual o canal do MESFET fecha, ou "comprime".ⓘ Tensão de pinçamento [V_p]			+10% -10%

✖A transcondutância do MESFET é um parâmetro chave nos MESFETs, representando a mudança na corrente de dreno em relação à mudança na tensão porta-fonte.ⓘ Transcondutância na região de saturação no MESFET [G_m]

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Fórmula

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Transcondutância na região de saturação no MESFET

Fórmula

`"G"_{"m"} = "g"_{"0"}*(1-sqrt(("V"_{"i"}-"V"_{"G"})/"V"_{"p"}))`

Exemplo

`"0.063072S"="0.152S"*(1-sqrt(("2.25V"-"1.562V")/"2.01V"))`

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Transcondutância na região de saturação no MESFET Solução

ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo

Fórmula Usada

Transcondutância do MESFET = Condutância de saída*(1-sqrt((Tensão de entrada-Tensão de limiar)/Tensão de pinçamento))
G_m = g₀*(1-sqrt((V_i-V_G)/V_p))
Esta fórmula usa 1 Funções, 5 Variáveis

Funções usadas

sqrt - Uma função de raiz quadrada é uma função que recebe um número não negativo como entrada e retorna a raiz quadrada do número de entrada fornecido., sqrt(Number)

Variáveis Usadas

Transcondutância do MESFET - (Medido em Siemens) - A transcondutância do MESFET é um parâmetro chave nos MESFETs, representando a mudança na corrente de dreno em relação à mudança na tensão porta-fonte.
Condutância de saída - (Medido em Siemens) - A Condutância de Saída é um parâmetro que caracteriza o comportamento de um transistor de efeito de campo (FET) em sua região de saturação.
Tensão de entrada - (Medido em Volt) - Tensão de entrada é a diferença de potencial elétrico aplicada aos terminais de entrada de um componente ou sistema.
Tensão de limiar - (Medido em Volt) - A tensão limite é referida como a tensão na qual o transistor começa a conduzir.
Tensão de pinçamento - (Medido em Volt) - A tensão de pinçamento representa a tensão da porta-fonte na qual o canal do MESFET fecha, ou "comprime".

ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base

Condutância de saída: 0.152 Siemens --> 0.152 Siemens Nenhuma conversão necessária
Tensão de entrada: 2.25 Volt --> 2.25 Volt Nenhuma conversão necessária
Tensão de limiar: 1.562 Volt --> 1.562 Volt Nenhuma conversão necessária
Tensão de pinçamento: 2.01 Volt --> 2.01 Volt Nenhuma conversão necessária

ETAPA 2: Avalie a Fórmula

Substituindo valores de entrada na fórmula

G_m = g₀*(1-sqrt((V_i-V_G)/V_p)) --> 0.152*(1-sqrt((2.25-1.562)/2.01))

Avaliando ... ...

G_m = 0.0630717433777618

PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída

0.0630717433777618 Siemens --> Nenhuma conversão necessária

RESPOSTA FINAL

0.0630717433777618 ≈ 0.063072 Siemens <-- Transcondutância do MESFET

(Cálculo concluído em 00.004 segundos)

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Créditos

Criado por banuprakash

Faculdade de Engenharia Dayananda Sagar (DSCE), Bangalore

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Verificado por Dipanjona Mallick

Instituto Patrimonial de Tecnologia (HITK), Calcutá

Dipanjona Mallick verificou esta calculadora e mais 50+ calculadoras!

< 10+ Amplificadores transistorizados Calculadoras

Ganho de potência do conversor descendente dado o Fator de Degradação

Vai Ganho de potência do conversor descendente = Frequência do sinal/Frequência de saída*(Frequência do sinal/Frequência de saída*(Figura de mérito)^2)/(1+sqrt(1+(Frequência do sinal/Frequência de saída*(Figura de mérito)^2)))^2

Ganhe fator de degradação para MESFET

Vai Ganhe fator de degradação = Frequência de saída/Frequência do sinal*(Frequência do sinal/Frequência de saída*(Figura de mérito)^2)/(1+sqrt(1+(Frequência do sinal/Frequência de saída*(Figura de mérito)^2)))^2

Fator de Ruído GaAs MESFET

Vai Fator de ruído = 1+2*Frequência angular*Capacitância da Fonte da Porta/Transcondutância do MESFET*sqrt((Resistência da Fonte-Resistência do portão)/Resistência de entrada)

Frequência máxima de operação

Vai Frequência máxima de operação = Frequência de corte MESFET/2*sqrt(Resistência à drenagem/(Resistência da Fonte+Resistência de entrada+Resistência à Metalização de Portas))

Potência máxima permitida

Vai Potência máxima permitida = 1/(Reatância*Frequência de corte do tempo de trânsito^2)*(Campo Elétrico Máximo*Velocidade máxima de desvio de saturação/(2*pi))^2

Ganho máximo de potência do transistor de microondas

Vai Ganho máximo de potência de um transistor de micro-ondas = (Frequência de corte do tempo de trânsito/Frequência de ganho de potência)^2*Impedância de saída/Impedância de entrada

Transcondutância na região de saturação no MESFET

Vai Transcondutância do MESFET = Condutância de saída*(1-sqrt((Tensão de entrada-Tensão de limiar)/Tensão de pinçamento))

Ângulo de Trânsito

Vai Ângulo de Trânsito = Frequência angular*Comprimento do espaço de deriva/Velocidade de deriva do transportador

Frequência de corte MESFET

Vai Frequência de corte MESFET = Transcondutância do MESFET/(2*pi*Capacitância da Fonte da Porta)

Frequência Máxima de Oscilação

Vai Frequência Máxima de Oscilação = Velocidade de saturação/(2*pi*Comprimento do canal)

Transcondutância na região de saturação no MESFET Fórmula

Transcondutância do MESFET = Condutância de saída*(1-sqrt((Tensão de entrada-Tensão de limiar)/Tensão de pinçamento))
G_m = g₀*(1-sqrt((V_i-V_G)/V_p))

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