Transcondutância usando a corrente do coletor do amplificador de transistor Calculadora

✖A corrente do coletor é uma corrente de saída amplificada de um transistor de junção bipolar.ⓘ Corrente do coletor [i_c]			+10% -10%
✖A tensão limite do transistor é a porta mínima para a tensão da fonte necessária para criar um caminho condutor entre os terminais da fonte e do dreno.ⓘ Tensão de limiar [V_t]			+10% -10%

✖A transcondutância primária do MOSFET é a mudança na corrente de dreno dividida pela pequena mudança na tensão de porta/fonte com uma tensão de dreno/fonte constante.ⓘ Transcondutância usando a corrente do coletor do amplificador de transistor [g_mp]

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Fórmula

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Transcondutância usando a corrente do coletor do amplificador de transistor

Fórmula

`"g"_{"mp"} = "i"_{"c"}/"V"_{"t"}`

Exemplo

`"19.76mS"="39.52mA"/"2V"`

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Transcondutância usando a corrente do coletor do amplificador de transistor Solução

ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo

Fórmula Usada

Transcondutância Primária MOSFET = Corrente do coletor/Tensão de limiar
g_mp = i_c/V_t
Esta fórmula usa 3 Variáveis

Variáveis Usadas

Transcondutância Primária MOSFET - (Medido em Siemens) - A transcondutância primária do MOSFET é a mudança na corrente de dreno dividida pela pequena mudança na tensão de porta/fonte com uma tensão de dreno/fonte constante.
Corrente do coletor - (Medido em Ampere) - A corrente do coletor é uma corrente de saída amplificada de um transistor de junção bipolar.
Tensão de limiar - (Medido em Volt) - A tensão limite do transistor é a porta mínima para a tensão da fonte necessária para criar um caminho condutor entre os terminais da fonte e do dreno.

ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base

Corrente do coletor: 39.52 Miliamperes --> 0.03952 Ampere (Verifique a conversão aqui)
Tensão de limiar: 2 Volt --> 2 Volt Nenhuma conversão necessária

ETAPA 2: Avalie a Fórmula

Substituindo valores de entrada na fórmula

g_mp = i_c/V_t --> 0.03952/2

Avaliando ... ...

g_mp = 0.01976

PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída

0.01976 Siemens -->19.76 Millisiemens (Verifique a conversão aqui)

RESPOSTA FINAL

19.76 Millisiemens <-- Transcondutância Primária MOSFET

(Cálculo concluído em 00.020 segundos)

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Créditos

Criado por Payal Priya

Birsa Institute of Technology (MORDEU), Sindri

Payal Priya criou esta calculadora e mais 600+ calculadoras!

Verificado por Anshika Arya

Instituto Nacional de Tecnologia (NIT), Hamirpur

Anshika Arya verificou esta calculadora e mais 2500+ calculadoras!

< 18 Características do amplificador transistorizado Calculadoras

Corrente que flui através do canal induzido no transistor dada a tensão de óxido

Vai Corrente de saída = (Mobilidade do Elétron*Capacitância de Óxido*(Largura do canal/Comprimento do canal)*(Tensão através do óxido-Tensão de limiar))*Tensão de saturação entre dreno e fonte

Tensão efetiva geral da transcondutância MOSFET

Vai Tensão Efetiva = sqrt(2*Corrente de drenagem de saturação/(Parâmetro de Transcondutância do Processo*(Largura do canal/Comprimento do canal)))

Tensão de entrada fornecida Tensão de sinal

Vai Tensão do Componente Fundamental = (Resistência de entrada finita/(Resistência de entrada finita+Resistência do sinal))*Tensão de sinal pequeno

Terminal de drenagem de entrada de corrente do MOSFET na saturação

Vai Corrente de drenagem de saturação = 1/2*Parâmetro de Transcondutância do Processo*(Largura do canal/Comprimento do canal)*(Tensão Efetiva)^2

Parâmetro de transcondutância do transistor MOS

Vai Parâmetro de Transcondutância = Corrente de drenagem/((Tensão através do óxido-Tensão de limiar)*Tensão entre Gate e Fonte)

Corrente de drenagem instantânea usando tensão entre o dreno e a fonte

Vai Corrente de drenagem = Parâmetro de Transcondutância*(Tensão através do óxido-Tensão de limiar)*Tensão entre Gate e Fonte

Corrente de drenagem do transistor

Vai Corrente de drenagem = (Tensão do Componente Fundamental+Tensão de drenagem instantânea total)/Resistência à drenagem

Tensão de dreno instantânea total

Vai Tensão de drenagem instantânea total = Tensão do Componente Fundamental-Resistência à drenagem*Corrente de drenagem

Tensão de entrada no transistor

Vai Tensão do Componente Fundamental = Resistência à drenagem*Corrente de drenagem-Tensão de drenagem instantânea total

Transcondutância de Amplificadores Transistores

Vai Transcondutância Primária MOSFET = (2*Corrente de drenagem)/(Tensão através do óxido-Tensão de limiar)

Corrente de sinal no emissor dado sinal de entrada

Vai Corrente de sinal no emissor = Tensão do Componente Fundamental/Resistência do emissor

Resistência de entrada do amplificador de coletor comum

Vai Resistência de entrada = Tensão do Componente Fundamental/Corrente Básica

Transcondutância usando a corrente do coletor do amplificador de transistor

Vai Transcondutância Primária MOSFET = Corrente do coletor/Tensão de limiar

Entrada do amplificador do amplificador transistor

Vai Entrada do amplificador = Resistência de entrada*Corrente de entrada

Resistência de saída do circuito de portão comum dada a tensão de teste

Vai Resistência de saída finita = Tensão de teste/Corrente de teste

Corrente de teste do amplificador transistorizado

Vai Corrente de teste = Tensão de teste/Resistência de entrada

Resistência de entrada do circuito de porta comum

Vai Resistência de entrada = Tensão de teste/Corrente de teste

Ganho de corrente DC do amplificador

Vai Ganho de corrente CC = Corrente do coletor/Corrente Básica

< 18 Ações CV de amplificadores de estágio comum Calculadoras

Tensão de saída do transistor de fonte controlada

Vai Componente DC da tensão de porta para fonte = (Ganho de tensão*Corrente elétrica-Transcondutância de Curto-Circuito*Sinal de saída diferencial)*(1/Resistência Final+1/Resistência do enrolamento primário no secundário)

Resistência de entrada do circuito de base comum

Vai Resistência de entrada = (Resistência do emissor*(Resistência de saída finita+Resistência de carga))/(Resistência de saída finita+(Resistência de carga/(Ganho de corrente da base do coletor+1)))

Resistência de saída em outro dreno do transistor de fonte controlada

Vai Resistência à drenagem = Resistência do enrolamento secundário no primário+2*Resistência Finita+2*Resistência Finita*Transcondutância Primária MOSFET*Resistência do enrolamento secundário no primário

Resistência de saída do amplificador CE degenerado por emissor

Vai Resistência à drenagem = Resistência de saída finita+(Transcondutância Primária MOSFET*Resistência de saída finita)*(1/Resistência do emissor+1/Resistência de entrada de sinal pequeno)

Resistência de entrada do amplificador de emissor comum dada resistência de entrada de sinal pequeno

Vai Resistência de entrada = (1/Resistência Básica+1/Resistência Básica 2+1/(Resistência de entrada de sinal pequeno+(Ganho de corrente da base do coletor+1)*Resistência do emissor))^-1

Resistência de entrada do amplificador de emissor comum dada a resistência do emissor

Vai Resistência de entrada = (1/Resistência Básica+1/Resistência Básica 2+1/((Resistência Total+Resistência do emissor)*(Ganho de corrente da base do coletor+1)))^-1

Resistência de saída do amplificador CS com resistência da fonte

Vai Resistência à drenagem = Resistência de saída finita+Resistência da Fonte+(Transcondutância Primária MOSFET*Resistência de saída finita*Resistência da Fonte)

Corrente de drenagem instantânea usando tensão entre o dreno e a fonte

Vai Corrente de drenagem = Parâmetro de Transcondutância*(Tensão através do óxido-Tensão de limiar)*Tensão entre Gate e Fonte

Transcondutância em Amplificador de Fonte Comum

Vai Transcondutância Primária MOSFET = Frequência de ganho de unidade*(Porta para capacitância de fonte+Porta de capacitância para drenagem)

Resistência de entrada do amplificador de emissor comum

Vai Resistência de entrada = (1/Resistência Básica+1/Resistência Básica 2+1/Resistência de entrada de sinal pequeno)^-1

Impedância de entrada do amplificador de base comum

Vai Impedância de entrada = (1/Resistência do emissor+1/Resistência de entrada de sinal pequeno)^(-1)

Corrente de sinal no emissor dado sinal de entrada

Vai Corrente de sinal no emissor = Tensão do Componente Fundamental/Resistência do emissor

Resistência de entrada do amplificador de coletor comum

Vai Resistência de entrada = Tensão do Componente Fundamental/Corrente Básica

Tensão Fundamental no Amplificador de Emissor Comum

Vai Tensão do Componente Fundamental = Resistência de entrada*Corrente Básica

Transcondutância usando a corrente do coletor do amplificador de transistor

Vai Transcondutância Primária MOSFET = Corrente do coletor/Tensão de limiar

Resistência do emissor no amplificador de base comum

Vai Resistência do emissor = Tensão de entrada/Corrente do Emissor

Corrente do Emissor do Amplificador de Base Comum

Vai Corrente do Emissor = Tensão de entrada/Resistência do emissor

Tensão de carga do amplificador CS

Vai Tensão de carga = Ganho de tensão*Tensão de entrada

Transcondutância usando a corrente do coletor do amplificador de transistor Fórmula

Transcondutância Primária MOSFET = Corrente do coletor/Tensão de limiar
g_mp = i_c/V_t

Qual é o uso da transcondutância no MOSFET?

A transcondutância é uma expressão do desempenho de um transistor bipolar ou transistor de efeito de campo (FET). Em geral, quanto maior o valor de transcondutância de um dispositivo, maior o ganho (amplificação) que ele é capaz de fornecer, quando todos os outros fatores são mantidos constantes.

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