Транскондуктивность с использованием тока коллектора транзисторного усилителя Калькулятор

✖Коллекторный ток — это усиленный выходной ток биполярного транзистора.ⓘ Коллекторный ток [i_c]			+10% -10%
✖Пороговое напряжение транзистора — это минимальное напряжение затвор-исток, которое необходимо для создания проводящего пути между клеммами истока и стока.ⓘ Пороговое напряжение [V_t]			+10% -10%

✖Первичная крутизна МОП-транзистора — это изменение тока стока, деленное на небольшое изменение напряжения затвор/исток при постоянном напряжении сток/исток.ⓘ Транскондуктивность с использованием тока коллектора транзисторного усилителя [g_mp]

⎘ копия

👎

Формула

✖

Транскондуктивность с использованием тока коллектора транзисторного усилителя

Формула

`"g"_{"mp"} = "i"_{"c"}/"V"_{"t"}`

Пример

`"19.76mS"="39.52mA"/"2V"`

Калькулятор

LaTeX

сбросить

👍

Скачать Характеристики транзисторного усилителя Формулы PDF PDF Image

Транскондуктивность с использованием тока коллектора транзисторного усилителя Решение

ШАГ 0: Сводка предварительного расчета

Используемая формула

Первичная крутизна МОП-транзистора = Коллекторный ток/Пороговое напряжение
g_mp = i_c/V_t
В этой формуле используются 3 Переменные

Используемые переменные

Первичная крутизна МОП-транзистора - (Измеряется в Сименс) - Первичная крутизна МОП-транзистора — это изменение тока стока, деленное на небольшое изменение напряжения затвор/исток при постоянном напряжении сток/исток.
Коллекторный ток - (Измеряется в Ампер) - Коллекторный ток — это усиленный выходной ток биполярного транзистора.
Пороговое напряжение - (Измеряется в вольт) - Пороговое напряжение транзистора — это минимальное напряжение затвор-исток, которое необходимо для создания проводящего пути между клеммами истока и стока.

ШАГ 1. Преобразование входов в базовый блок

Коллекторный ток: 39.52 Миллиампер --> 0.03952 Ампер (Проверьте преобразование здесь)
Пороговое напряжение: 2 вольт --> 2 вольт Конверсия не требуется

ШАГ 2: Оцените формулу

Подстановка входных значений в формулу

g_mp = i_c/V_t --> 0.03952/2

Оценка ... ...

g_mp = 0.01976

ШАГ 3: Преобразуйте результат в единицу вывода

0.01976 Сименс -->19.76 Миллисименс (Проверьте преобразование здесь)

ОКОНЧАТЕЛЬНЫЙ ОТВЕТ

19.76 Миллисименс <-- Первичная крутизна МОП-транзистора

(Расчет завершен через 00.004 секунд)

Вы здесь -

Дом » Инженерное дело » Электроника » Усилители » Транзисторные усилители » Характеристики транзисторного усилителя » Транскондуктивность с использованием тока коллектора транзисторного усилителя

Кредиты

Сделано Паял Прия

Бирса технологический институт (НЕМНОГО), Синдри

Паял Прия создал этот калькулятор и еще 600+!

Проверено Аншика Арья

Национальный Технологический Институт (NIT), Хамирпур

Аншика Арья проверил этот калькулятор и еще 2500+!

< 18 Характеристики транзисторного усилителя Калькуляторы

Ток, протекающий через индуцированный канал в транзисторе при заданном напряжении оксида

Идти Выходной ток = (Мобильность электрона*Оксидная емкость*(Ширина канала/Длина канала)*(Напряжение на оксиде-Пороговое напряжение))*Напряжение насыщения между стоком и истоком

Заданное входное напряжение Сигнальное напряжение

Идти Основное напряжение компонента = (Конечное входное сопротивление/(Конечное входное сопротивление+Сигнальное сопротивление))*Малое напряжение сигнала

Общее эффективное напряжение крутизны МОП-транзистора

Идти Эффективное напряжение = sqrt(2*Ток стока насыщения/(Параметр крутизны процесса*(Ширина канала/Длина канала)))

Параметр крутизны МОП-транзистора

Идти Параметр крутизны = Ток стока/((Напряжение на оксиде-Пороговое напряжение)*Напряжение между затвором и истоком)

Мгновенный ток стока с использованием напряжения между стоком и истоком

Идти Ток стока = Параметр крутизны*(Напряжение на оксиде-Пороговое напряжение)*Напряжение между затвором и истоком

Ток, поступающий на клемму стока MOSFET при насыщении

Идти Ток стока насыщения = 1/2*Параметр крутизны процесса*(Ширина канала/Длина канала)*(Эффективное напряжение)^2

Ток стока транзистора

Идти Ток стока = (Основное напряжение компонента+Общее мгновенное напряжение стока)/Сопротивление дренажу

Общее мгновенное напряжение стока

Идти Общее мгновенное напряжение стока = Основное напряжение компонента-Сопротивление дренажу*Ток стока

Входное напряжение транзистора

Идти Основное напряжение компонента = Сопротивление дренажу*Ток стока-Общее мгновенное напряжение стока

Крутизна транзисторных усилителей

Идти Первичная крутизна МОП-транзистора = (2*Ток стока)/(Напряжение на оксиде-Пороговое напряжение)

Сигнал Ток в эмиттере при заданном входном сигнале

Идти Ток сигнала в эмиттере = Основное напряжение компонента/Сопротивление эмиттера

Транскондуктивность с использованием тока коллектора транзисторного усилителя

Идти Первичная крутизна МОП-транзистора = Коллекторный ток/Пороговое напряжение

Выходное сопротивление цепи общего затвора с заданным тестовым напряжением

Идти Конечное выходное сопротивление = Испытательное напряжение/Тестовый ток

Входное сопротивление усилителя с общим коллектором

Идти Входное сопротивление = Основное напряжение компонента/Базовый ток

Входное сопротивление схемы с общим затвором

Идти Входное сопротивление = Испытательное напряжение/Тестовый ток

Испытательный ток транзисторного усилителя

Идти Тестовый ток = Испытательное напряжение/Входное сопротивление

Коэффициент усиления постоянного тока усилителя

Идти Усиление постоянного тока = Коллекторный ток/Базовый ток

Вход усилителя транзисторного усилителя

Идти Вход усилителя = Входное сопротивление*Входной ток

< 18 CV-действия усилителей общего каскада Калькуляторы

Выходное напряжение транзистора с управляемым источником

Идти Компонент постоянного тока от затвора к напряжению источника = (Усиление напряжения*Электрический ток-Транспроводимость короткого замыкания*Дифференциальный выходной сигнал)*(1/Последнее сопротивление+1/Сопротивление первичной обмотки во вторичной)

Входное сопротивление цепи с общей базой

Идти Входное сопротивление = (Сопротивление эмиттера*(Конечное выходное сопротивление+Сопротивление нагрузки))/(Конечное выходное сопротивление+(Сопротивление нагрузки/(Коэффициент усиления базового тока коллектора+1)))

Выходное сопротивление на другом стоке транзистора с управляемым истоком

Идти Сопротивление дренажу = Сопротивление вторичной обмотки в первичной+2*Конечное сопротивление+2*Конечное сопротивление*Первичная крутизна МОП-транзистора*Сопротивление вторичной обмотки в первичной

Входное сопротивление усилителя с общим эмиттером при входном сопротивлении слабого сигнала

Идти Входное сопротивление = (1/Базовое сопротивление+1/Базовое сопротивление 2+1/(Малое входное сопротивление сигнала+(Коэффициент усиления базового тока коллектора+1)*Сопротивление эмиттера))^-1

Выходное сопротивление усилителя CE с эмиттерной дегенерацией

Идти Сопротивление дренажу = Конечное выходное сопротивление+(Первичная крутизна МОП-транзистора*Конечное выходное сопротивление)*(1/Сопротивление эмиттера+1/Малое входное сопротивление сигнала)

Входное сопротивление усилителя с общим эмиттером при заданном сопротивлении эмиттера

Идти Входное сопротивление = (1/Базовое сопротивление+1/Базовое сопротивление 2+1/((Общее сопротивление+Сопротивление эмиттера)*(Коэффициент усиления базового тока коллектора+1)))^-1

Выходное сопротивление усилителя CS с сопротивлением источника

Идти Сопротивление дренажу = Конечное выходное сопротивление+Источник сопротивления+(Первичная крутизна МОП-транзистора*Конечное выходное сопротивление*Источник сопротивления)

Мгновенный ток стока с использованием напряжения между стоком и истоком

Крутизна усилителя с общим истоком

Идти Первичная крутизна МОП-транзистора = Частота единичного усиления*(Ворота к емкости источника+Емкостной вентиль для стока)

Входное сопротивление усилителя с общим эмиттером

Идти Входное сопротивление = (1/Базовое сопротивление+1/Базовое сопротивление 2+1/Малое входное сопротивление сигнала)^-1

Входное сопротивление усилителя с общей базой

Идти Входное сопротивление = (1/Сопротивление эмиттера+1/Малое входное сопротивление сигнала)^(-1)

Сигнал Ток в эмиттере при заданном входном сигнале

Идти Ток сигнала в эмиттере = Основное напряжение компонента/Сопротивление эмиттера

Транскондуктивность с использованием тока коллектора транзисторного усилителя

Идти Первичная крутизна МОП-транзистора = Коллекторный ток/Пороговое напряжение

Входное сопротивление усилителя с общим коллектором

Идти Входное сопротивление = Основное напряжение компонента/Базовый ток

Основное напряжение в усилителе с общим эмиттером

Идти Основное напряжение компонента = Входное сопротивление*Базовый ток

Напряжение нагрузки усилителя CS

Идти Напряжение нагрузки = Усиление напряжения*Входное напряжение

Сопротивление эмиттера в усилителе с общей базой

Идти Сопротивление эмиттера = Входное напряжение/Ток эмиттера

Ток эмиттера усилителя с общей базой

Идти Ток эмиттера = Входное напряжение/Сопротивление эмиттера

Транскондуктивность с использованием тока коллектора транзисторного усилителя формула

Первичная крутизна МОП-транзистора = Коллекторный ток/Пороговое напряжение
g_mp = i_c/V_t

Какая польза от крутизны в MOSFET?

Крутизна - это выражение характеристик биполярного транзистора или полевого транзистора (FET). В общем, чем больше коэффициент крутизны для устройства, тем большее усиление (усиление) оно способно обеспечить, когда все другие факторы остаются постоянными.

Дом

БЕСПЛАТНО PDF-файлы

🔍 Поиск

Категории

доля

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!