Steilheit unter Verwendung des Kollektorstroms des Transistorverstärkers Taschenrechner

✖Der Kollektorstrom ist ein verstärkter Ausgangsstrom eines Bipolartransistors.ⓘ Kollektorstrom [i_c]			+10% -10%
✖Die Schwellenspannung des Transistors ist die minimale Gate-Source-Spannung, die erforderlich ist, um einen leitenden Pfad zwischen den Source- und Drain-Anschlüssen herzustellen.ⓘ Grenzspannung [V_t]			+10% -10%

✖Die primäre Transkonduktanz des MOSFET ist die Änderung des Drain-Stroms geteilt durch die kleine Änderung der Gate/Source-Spannung bei konstanter Drain/Source-Spannung.ⓘ Steilheit unter Verwendung des Kollektorstroms des Transistorverstärkers [g_mp]

⎘ Kopie

👎

Formel

✖

Steilheit unter Verwendung des Kollektorstroms des Transistorverstärkers

Formel

`"g"_{"mp"} = "i"_{"c"}/"V"_{"t"}`

Beispiel

`"19.76mS"="39.52mA"/"2V"`

Taschenrechner

LaTeX

Rücksetzen

👍

Herunterladen Eigenschaften des Transistorverstärkers Formeln Pdf PDF Image

Steilheit unter Verwendung des Kollektorstroms des Transistorverstärkers Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung

Gebrauchte Formel

MOSFET-Primärtranskonduktanz = Kollektorstrom/Grenzspannung
g_mp = i_c/V_t
Diese formel verwendet 3 Variablen

Verwendete Variablen

MOSFET-Primärtranskonduktanz - (Gemessen in Siemens) - Die primäre Transkonduktanz des MOSFET ist die Änderung des Drain-Stroms geteilt durch die kleine Änderung der Gate/Source-Spannung bei konstanter Drain/Source-Spannung.
Kollektorstrom - (Gemessen in Ampere) - Der Kollektorstrom ist ein verstärkter Ausgangsstrom eines Bipolartransistors.
Grenzspannung - (Gemessen in Volt) - Die Schwellenspannung des Transistors ist die minimale Gate-Source-Spannung, die erforderlich ist, um einen leitenden Pfad zwischen den Source- und Drain-Anschlüssen herzustellen.

SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit

Kollektorstrom: 39.52 Milliampere --> 0.03952 Ampere (Überprüfen sie die konvertierung hier)
Grenzspannung: 2 Volt --> 2 Volt Keine Konvertierung erforderlich

SCHRITT 2: Formel auswerten

Eingabewerte in Formel ersetzen

g_mp = i_c/V_t --> 0.03952/2

Auswerten ... ...

g_mp = 0.01976

SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit

0.01976 Siemens -->19.76 Millisiemens (Überprüfen sie die konvertierung hier)

ENDGÜLTIGE ANTWORT

19.76 Millisiemens <-- MOSFET-Primärtranskonduktanz

(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)

Du bist da -

Zuhause » Maschinenbau » Elektronik » Verstärker » Transistorverstärker » Eigenschaften des Transistorverstärkers » Steilheit unter Verwendung des Kollektorstroms des Transistorverstärkers

Credits

Erstellt von Payal Priya

Birsa Institute of Technology (BISSCHEN), Sindri

Payal Priya hat diesen Rechner und 600+ weitere Rechner erstellt!

Geprüft von Anshika Arya

Nationales Institut für Technologie (NIT), Hamirpur

Anshika Arya hat diesen Rechner und 2500+ weitere Rechner verifiziert!

< 18 Eigenschaften des Transistorverstärkers Taschenrechner

Strom, der durch den induzierten Kanal im Transistor bei gegebener Oxidspannung fließt

Gehen Ausgangsstrom = (Mobilität des Elektrons*Oxidkapazität*(Breite des Kanals/Länge des Kanals)*(Spannung über Oxid-Grenzspannung))*Sättigungsspannung zwischen Drain und Source

Gesamteffektivspannung der MOSFET-Transkonduktanz

Gehen Effektive Spannung = sqrt(2*Sättigungsstrom/(Transkonduktanzparameter verarbeiten*(Breite des Kanals/Länge des Kanals)))

Eingangsspannung gegeben Signalspannung

Gehen Grundkomponentenspannung = (Endlicher Eingangswiderstand/(Endlicher Eingangswiderstand+Signalwiderstand))*Kleine Signalspannung

Stromeintritt in den Drain-Anschluss des MOSFET bei Sättigung

Gehen Sättigungsstrom = 1/2*Transkonduktanzparameter verarbeiten*(Breite des Kanals/Länge des Kanals)*(Effektive Spannung)^2

Transkonduktanzparameter des MOS-Transistors

Gehen Transkonduktanzparameter = Stromverbrauch/((Spannung über Oxid-Grenzspannung)*Spannung zwischen Gate und Source)

Momentaner Drain-Strom unter Verwendung der Spannung zwischen Drain und Source

Gehen Stromverbrauch = Transkonduktanzparameter*(Spannung über Oxid-Grenzspannung)*Spannung zwischen Gate und Source

Drainstrom des Transistors

Gehen Stromverbrauch = (Grundkomponentenspannung+Gesamte momentane Entladespannung)/Abflusswiderstand

Gesamte momentane Drain-Spannung

Gehen Gesamte momentane Entladespannung = Grundkomponentenspannung-Abflusswiderstand*Stromverbrauch

Eingangsspannung im Transistor

Gehen Grundkomponentenspannung = Abflusswiderstand*Stromverbrauch-Gesamte momentane Entladespannung

Steilheit von Transistorverstärkern

Gehen MOSFET-Primärtranskonduktanz = (2*Stromverbrauch)/(Spannung über Oxid-Grenzspannung)

Signalstrom im Emitter bei gegebenem Eingangssignal

Gehen Signalstrom im Emitter = Grundkomponentenspannung/Emitterwiderstand

Steilheit unter Verwendung des Kollektorstroms des Transistorverstärkers

Gehen MOSFET-Primärtranskonduktanz = Kollektorstrom/Grenzspannung

Eingangswiderstand des Common-Collector-Verstärkers

Gehen Eingangswiderstand = Grundkomponentenspannung/Basisstrom

Ausgangswiderstand des gemeinsamen Gate-Schaltkreises bei gegebener Testspannung

Gehen Endlicher Ausgangswiderstand = Prüfspannung/Teststrom

Verstärkereingang des Transistorverstärkers

Gehen Verstärkereingang = Eingangswiderstand*Eingangsstrom

Gleichstromverstärkung des Verstärkers

Gehen Gleichstromverstärkung = Kollektorstrom/Basisstrom

Eingangswiderstand der Common-Gate-Schaltung

Gehen Eingangswiderstand = Prüfspannung/Teststrom

Teststrom des Transistorverstärkers

Gehen Teststrom = Prüfspannung/Eingangswiderstand

< 18 CV-Aktionen gängiger Bühnenverstärker Taschenrechner

Ausgangsspannung des Controlled Source Transistors

Gehen Gleichstromkomponente der Gate-Source-Spannung = (Spannungsverstärkung*Elektrischer Strom-Kurzschlusstranskonduktanz*Differenzielles Ausgangssignal)*(1/Endgültiger Widerstand+1/Widerstand der Primärwicklung in der Sekundärwicklung)

Ausgangswiderstand an einem anderen Drain des Controlled-Source-Transistors

Gehen Abflusswiderstand = Widerstand der Sekundärwicklung in der Primärwicklung+2*Endlicher Widerstand+2*Endlicher Widerstand*MOSFET-Primärtranskonduktanz*Widerstand der Sekundärwicklung in der Primärwicklung

Eingangswiderstand der Common-Base-Schaltung

Gehen Eingangswiderstand = (Emitterwiderstand*(Endlicher Ausgangswiderstand+Lastwiderstand))/(Endlicher Ausgangswiderstand+(Lastwiderstand/(Kollektor-Basisstromverstärkung+1)))

Ausgangswiderstand des Emitter-degenerierten CE-Verstärkers

Gehen Abflusswiderstand = Endlicher Ausgangswiderstand+(MOSFET-Primärtranskonduktanz*Endlicher Ausgangswiderstand)*(1/Emitterwiderstand+1/Kleinsignal-Eingangswiderstand)

Eingangswiderstand des Common-Emitter-Verstärkers bei gegebenem Kleinsignal-Eingangswiderstand

Gehen Eingangswiderstand = (1/Basiswiderstand+1/Basiswiderstand 2+1/(Kleinsignal-Eingangswiderstand+(Kollektor-Basisstromverstärkung+1)*Emitterwiderstand))^-1

Ausgangswiderstand des CS-Verstärkers mit Quellwiderstand

Gehen Abflusswiderstand = Endlicher Ausgangswiderstand+Quellenwiderstand+(MOSFET-Primärtranskonduktanz*Endlicher Ausgangswiderstand*Quellenwiderstand)

Eingangswiderstand des Common-Emitter-Verstärkers bei gegebenem Emitterwiderstand

Gehen Eingangswiderstand = (1/Basiswiderstand+1/Basiswiderstand 2+1/((Totaler Widerstand+Emitterwiderstand)*(Kollektor-Basisstromverstärkung+1)))^-1

Momentaner Drain-Strom unter Verwendung der Spannung zwischen Drain und Source

Gehen Stromverbrauch = Transkonduktanzparameter*(Spannung über Oxid-Grenzspannung)*Spannung zwischen Gate und Source

Transkonduktanz im Common-Source-Verstärker

Gehen MOSFET-Primärtranskonduktanz = Einheitsgewinnfrequenz*(Gate-Source-Kapazität+Kapazitäts-Gate zum Drain)

Eingangswiderstand des Verstärkers mit gemeinsamem Emitter

Gehen Eingangswiderstand = (1/Basiswiderstand+1/Basiswiderstand 2+1/Kleinsignal-Eingangswiderstand)^-1

Eingangsimpedanz des Common-Base-Verstärkers

Gehen Eingangsimpedanz = (1/Emitterwiderstand+1/Kleinsignal-Eingangswiderstand)^(-1)

Signalstrom im Emitter bei gegebenem Eingangssignal

Gehen Signalstrom im Emitter = Grundkomponentenspannung/Emitterwiderstand

Steilheit unter Verwendung des Kollektorstroms des Transistorverstärkers

Gehen MOSFET-Primärtranskonduktanz = Kollektorstrom/Grenzspannung

Eingangswiderstand des Common-Collector-Verstärkers

Gehen Eingangswiderstand = Grundkomponentenspannung/Basisstrom

Grundspannung im Common-Emitter-Verstärker

Gehen Grundkomponentenspannung = Eingangswiderstand*Basisstrom

Lastspannung des CS-Verstärkers

Gehen Lastspannung = Spannungsverstärkung*Eingangsspannung

Widerstand des Emitters im Common-Base-Verstärker

Gehen Emitterwiderstand = Eingangsspannung/Emitterstrom

Emitterstrom des Verstärkers in Basisschaltung

Gehen Emitterstrom = Eingangsspannung/Emitterwiderstand

Steilheit unter Verwendung des Kollektorstroms des Transistorverstärkers Formel

MOSFET-Primärtranskonduktanz = Kollektorstrom/Grenzspannung
g_mp = i_c/V_t

Was ist die Verwendung der Transkonduktanz in MOSFET?

Die Transkonduktanz ist ein Ausdruck der Leistung eines Bipolartransistors oder Feldeffekttransistors (FET). Im Allgemeinen ist die Verstärkung (Verstärkung), die es liefern kann, umso größer, je größer die Transkonduktanzzahl für ein Gerät ist, wenn alle anderen Faktoren konstant gehalten werden.

Zuhause

FREI PDFs

🔍 Suche

Kategorien

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!