Largura de Transição de Junção Calculadora

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Portadores de semicondutores

✖Penetração de carga do tipo N refere-se ao fenômeno em que elétrons adicionais de átomos dopantes, normalmente fósforo ou arsênico, penetram na rede cristalina do material semicondutor.ⓘ Penetração de carga tipo N [x_no]			+10% -10%
✖A concentração do receptor é a concentração de um átomo receptor ou dopante que, quando substituído em uma rede semicondutora, forma uma região do tipo p.ⓘ Concentração do Aceitador [N_a]			+10% -10%
✖A concentração de doadores refere-se à concentração ou densidade de átomos doadores em um material semicondutor.ⓘ Concentração de Doadores [N_d]			+10% -10%

✖A largura da transição da junção é definida como a região espacial sobre a qual a largura da junção muda de um valor para outro.ⓘ Largura de Transição de Junção [W_j]

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Fórmula

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Largura de Transição de Junção

Fórmula

`"W"_{"j"} = "x"_{"no"}*(("N"_{"a"}+"N"_{"d"})/"N"_{"a"})`

Exemplo

`"0.025013μm"="0.019μm"*(("7.9e35/m³"+"2.5e35/m³")/"7.9e35/m³")`

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Largura de Transição de Junção Solução

ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo

Fórmula Usada

Largura de Transição de Junção = Penetração de carga tipo N*((Concentração do Aceitador+Concentração de Doadores)/Concentração do Aceitador)
W_j = x_no*((N_a+N_d)/N_a)
Esta fórmula usa 4 Variáveis

Variáveis Usadas

Largura de Transição de Junção - (Medido em Metro) - A largura da transição da junção é definida como a região espacial sobre a qual a largura da junção muda de um valor para outro.
Penetração de carga tipo N - (Medido em Metro) - Penetração de carga do tipo N refere-se ao fenômeno em que elétrons adicionais de átomos dopantes, normalmente fósforo ou arsênico, penetram na rede cristalina do material semicondutor.
Concentração do Aceitador - (Medido em 1 por metro cúbico) - A concentração do receptor é a concentração de um átomo receptor ou dopante que, quando substituído em uma rede semicondutora, forma uma região do tipo p.
Concentração de Doadores - (Medido em 1 por metro cúbico) - A concentração de doadores refere-se à concentração ou densidade de átomos doadores em um material semicondutor.

ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base

Penetração de carga tipo N: 0.019 Micrômetro --> 1.9E-08 Metro (Verifique a conversão aqui)
Concentração do Aceitador: 7.9E+35 1 por metro cúbico --> 7.9E+35 1 por metro cúbico Nenhuma conversão necessária
Concentração de Doadores: 2.5E+35 1 por metro cúbico --> 2.5E+35 1 por metro cúbico Nenhuma conversão necessária

ETAPA 2: Avalie a Fórmula

Substituindo valores de entrada na fórmula

W_j = x_no*((N_a+N_d)/N_a) --> 1.9E-08*((7.9E+35+2.5E+35)/7.9E+35)

Avaliando ... ...

W_j = 2.50126582278481E-08

PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída

2.50126582278481E-08 Metro -->0.0250126582278481 Micrômetro (Verifique a conversão aqui)

RESPOSTA FINAL

0.0250126582278481 ≈ 0.025013 Micrômetro <-- Largura de Transição de Junção

(Cálculo concluído em 00.020 segundos)

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Créditos

Criado por Shobhit Dimri

Instituto de Tecnologia Bipin Tripathi Kumaon (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri criou esta calculadora e mais 900+ calculadoras!

Verificado por Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod verificou esta calculadora e mais 1900+ calculadoras!

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Capacitância de Junção

Vai Capacitância de Junção = (Área de Junção/2)*sqrt((2*[Charge-e]*Deslocamento de Comprimento Constante*Dopagem Concentração de Base)/(Tensão da fonte-Tensão da fonte 1))

Comprimento da Junção do Lado P

Vai Comprimento da Junção do Lado P = (Corrente óptica/([Charge-e]*Área de Junção*Taxa de geração óptica))-(Largura de Transição de Junção+Comprimento de difusão da região de transição)

Largura de Transição de Junção

Vai Largura de Transição de Junção = Penetração de carga tipo N*((Concentração do Aceitador+Concentração de Doadores)/Concentração do Aceitador)

Resistência em série no tipo P

Vai Resistência em série na junção P = ((Tensão da fonte-Tensão de Junção)/Corrente elétrica)-Resistência em série na junção N

Resistência em série no tipo N

Vai Resistência em série na junção N = ((Tensão da fonte-Tensão de Junção)/Corrente elétrica)-Resistência em série na junção P

Tensão de junção

Vai Tensão de Junção = Tensão da fonte-(Resistência em série na junção P+Resistência em série na junção N)*Corrente elétrica

Concentração de Doadores

Vai Concentração de Doadores = Cobrança total do aceitante/([Charge-e]*Tipo P de Penetração de Carga*Área de Junção)

Área de Seção Transversal de Junção

Vai Área de Junção = Cobrança total do aceitante/([Charge-e]*Penetração de carga tipo N*Concentração do Aceitador)

Concentração do Aceitador

Vai Concentração do Aceitador = Cobrança total do aceitante/([Charge-e]*Penetração de carga tipo N*Área de Junção)

Largura tipo N

Vai Penetração de carga tipo N = Cobrança total do aceitante/(Área de Junção*Concentração do Aceitador*[Charge-e])

Cobrança total do aceitante

Vai Cobrança total do aceitante = [Charge-e]*Penetração de carga tipo N*Área de Junção*Concentração do Aceitador

Coeficiente de absorção

Vai Coeficiente de absorção = (-1/Espessura da amostra)*ln(Potência Absorvida/Poder Incidente)

Potência absorvida

Vai Potência Absorvida = Poder Incidente*exp(-Espessura da amostra*Coeficiente de absorção)

Distribuição Líquida de Encargos

Vai Distribuição Líquida = (Concentração de Doadores-Concentração do Aceitador)/Constante graduada

Comprimento da junção PN

Vai Comprimento da Junção = Deslocamento de Comprimento Constante+Comprimento efetivo do canal

Número quântico

Vai Número quântico = [Coulomb]*Comprimento potencial do poço/3.14

Largura de Transição de Junção Fórmula

Largura de Transição de Junção = Penetração de carga tipo N*((Concentração do Aceitador+Concentração de Doadores)/Concentração do Aceitador)
W_j = x_no*((N_a+N_d)/N_a)

O que são correntes de difusão e deriva?

A corrente de deriva depende do campo elétrico aplicado, se não houver campo elétrico não há corrente de deriva. A corrente de difusão ocorre mesmo que não haja um campo elétrico aplicado ao semicondutor.

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