Calculadora Ancho de transición de unión

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Portadores de semiconductores

✖El tipo N de penetración de carga se refiere al fenómeno en el que electrones adicionales de átomos dopantes, normalmente fósforo o arsénico, penetran en la red cristalina del material semiconductor.ⓘ Penetración de carga tipo N [x_no]			+10% -10%
✖La concentración del aceptor es la concentración de un átomo aceptor o dopante que, cuando se sustituye en una red semiconductora, forma una región de tipo p.ⓘ Concentración del aceptor [N_a]			+10% -10%
✖La concentración donante se refiere a la concentración o densidad de los átomos donantes en un material semiconductor.ⓘ Concentración de donantes [N_d]			+10% -10%

✖El ancho de transición de la unión se define como la región espacial sobre la cual el ancho de la unión cambia de un valor a otro.ⓘ Ancho de transición de unión [W_j]

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Fórmula

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Ancho de transición de unión

Fórmula

`"W"_{"j"} = "x"_{"no"}*(("N"_{"a"}+"N"_{"d"})/"N"_{"a"})`

Ejemplo

`"0.025013μm"="0.019μm"*(("7.9e35/m³"+"2.5e35/m³")/"7.9e35/m³")`

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Ancho de transición de unión Solución

PASO 0: Resumen del cálculo previo

Fórmula utilizada

Ancho de transición de unión = Penetración de carga tipo N*((Concentración del aceptor+Concentración de donantes)/Concentración del aceptor)
W_j = x_no*((N_a+N_d)/N_a)
Esta fórmula usa 4 Variables

Variables utilizadas

Ancho de transición de unión - (Medido en Metro) - El ancho de transición de la unión se define como la región espacial sobre la cual el ancho de la unión cambia de un valor a otro.
Penetración de carga tipo N - (Medido en Metro) - El tipo N de penetración de carga se refiere al fenómeno en el que electrones adicionales de átomos dopantes, normalmente fósforo o arsénico, penetran en la red cristalina del material semiconductor.
Concentración del aceptor - (Medido en 1 por metro cúbico) - La concentración del aceptor es la concentración de un átomo aceptor o dopante que, cuando se sustituye en una red semiconductora, forma una región de tipo p.
Concentración de donantes - (Medido en 1 por metro cúbico) - La concentración donante se refiere a la concentración o densidad de los átomos donantes en un material semiconductor.

PASO 1: Convierta la (s) entrada (s) a la unidad base

Penetración de carga tipo N: 0.019 Micrómetro --> 1.9E-08 Metro (Verifique la conversión aquí)
Concentración del aceptor: 7.9E+35 1 por metro cúbico --> 7.9E+35 1 por metro cúbico No se requiere conversión
Concentración de donantes: 2.5E+35 1 por metro cúbico --> 2.5E+35 1 por metro cúbico No se requiere conversión

PASO 2: Evaluar la fórmula

Sustituir valores de entrada en una fórmula

W_j = x_no*((N_a+N_d)/N_a) --> 1.9E-08*((7.9E+35+2.5E+35)/7.9E+35)

Evaluar ... ...

W_j = 2.50126582278481E-08

PASO 3: Convierta el resultado a la unidad de salida

2.50126582278481E-08 Metro -->0.0250126582278481 Micrómetro (Verifique la conversión aquí)

RESPUESTA FINAL

0.0250126582278481 ≈ 0.025013 Micrómetro <-- Ancho de transición de unión

(Cálculo completado en 00.004 segundos)

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Créditos

Creado por Shobhit Dimri

Instituto de Tecnología Bipin Tripathi Kumaon (BTKIT), Dwarahat

¡Shobhit Dimri ha creado esta calculadora y 900+ más calculadoras!

Verificada por Urvi Rathod

Facultad de Ingeniería del Gobierno de Vishwakarma (VGEC), Ahmedabad

¡Urvi Rathod ha verificado esta calculadora y 1900+ más calculadoras!

< 16 Unión SSD Calculadoras

Capacitancia de unión

Vamos Capacitancia de unión = (Área de unión/2)*sqrt((2*[Charge-e]*Compensación de longitud constante*Dopaje Concentración de Base)/(Voltaje de fuente-Voltaje de fuente 1))

Longitud de la unión del lado P

Vamos Longitud de la unión del lado P = (Corriente óptica/([Charge-e]*Área de unión*Tasa de generación óptica))-(Ancho de transición de unión+Longitud de difusión de la región de transición)

Ancho de transición de unión

Vamos Ancho de transición de unión = Penetración de carga tipo N*((Concentración del aceptor+Concentración de donantes)/Concentración del aceptor)

Resistencia en serie en tipo P

Vamos Resistencia en serie en la unión P = ((Voltaje de fuente-Voltaje de unión)/Corriente eléctrica)-Resistencia en serie en la unión N

Resistencia en serie en tipo N

Vamos Resistencia en serie en la unión N = ((Voltaje de fuente-Voltaje de unión)/Corriente eléctrica)-Resistencia en serie en la unión P

Voltaje de unión

Vamos Voltaje de unión = Voltaje de fuente-(Resistencia en serie en la unión P+Resistencia en serie en la unión N)*Corriente eléctrica

Área transversal de la unión

Vamos Área de unión = Cargo total del aceptador/([Charge-e]*Penetración de carga tipo N*Concentración del aceptor)

Concentración del aceptor

Vamos Concentración del aceptor = Cargo total del aceptador/([Charge-e]*Penetración de carga tipo N*Área de unión)

Concentración de donantes

Vamos Concentración de donantes = Cargo total del aceptador/([Charge-e]*Penetración de carga tipo P*Área de unión)

Ancho tipo N

Vamos Penetración de carga tipo N = Cargo total del aceptador/(Área de unión*Concentración del aceptor*[Charge-e])

Cargo total del aceptador

Vamos Cargo total del aceptador = [Charge-e]*Penetración de carga tipo N*Área de unión*Concentración del aceptor

Coeficiente de absorción

Vamos Coeficiente de absorción = (-1/Espesor de la muestra)*ln(Poder absorbido/Potencia incidente)

Poder absorbido

Vamos Poder absorbido = Potencia incidente*exp(-Espesor de la muestra*Coeficiente de absorción)

Distribución neta de cargo

Vamos Distribución neta = (Concentración de donantes-Concentración del aceptor)/Constante graduada

Longitud de la unión PN

Vamos Longitud de unión = Compensación de longitud constante+Longitud efectiva del canal

Número cuántico

Vamos Número cuántico = [Coulomb]*Longitud potencial del pozo/3.14

Ancho de transición de unión Fórmula

Ancho de transición de unión = Penetración de carga tipo N*((Concentración del aceptor+Concentración de donantes)/Concentración del aceptor)
W_j = x_no*((N_a+N_d)/N_a)

¿Qué son las corrientes de difusión y deriva?

La corriente de deriva depende del campo eléctrico aplicado, si no hay campo eléctrico, no hay corriente de deriva. La corriente de difusión se produce aunque no se aplique un campo eléctrico al semiconductor.

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